"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9229
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
218

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2004 год:
Статья
Всего
Абстракт
Полный текст
Статья
Всего
Абстракт
Полный текст
print '
';
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
14
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Тонких А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ильчук Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мусихин Ю.Г.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Самсоненко Ю.Б.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Александрова Е.Л.
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Нифтиев Н.Н.
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
4
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
4
Крыжановская Н.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Никитин С.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Туринов В.И.
Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
4
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Алфёров Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Асрян Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Крюченко Ю.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Иванов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Егоров В.А.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Поляков Н.К.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Bimberg D.
Technical University of Berlin, Berlin, Germany
3
Андреев В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бирюлин П.В.
Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Дворецкий С.А.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Осминкина Л.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Бесюлькин А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Зерова В.Л.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Талалаев В.Г.
Max-Planck-Institut fur Mikrostrukturphysik, Halle (Saale), Germany
3
Гребенщикова Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
87
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
20
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
13
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
8
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
7
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
7
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
5
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
5
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
5
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
4
Научно-производственное предприятие "Исток", Фрязино, Россия
4
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
3
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
3
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
2
Физико-технологический институт Российской академии наук, Москва, Россия
2
Институт кристаллографии Российской академии наук, Москва, Россия
2
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Институт физики им. Б.И. Степанова Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете, Томск, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Ужгородский национальный университет, Ужгород, Украина
2
Якутский государственный университет, Якутск, Россия
2
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Университет Дублина, Тринити Колледж, Дублин 2, Ирландия
2
Department of Electrical and Computer Engineering, State University of New York, Stony Brook, NY, USA
1
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
1
Дагестанский государственный университет, Махачкала, Россия
1
Всероссийский электротехнический институт, Москва, Россия
1
Институт физики прочности и материаловедения Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия
1
Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Институт электроники Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
1
Федеральное государственное унитарное предприятие Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
1
Вильнюсский университет, Физический факультет, Институт материаловедения и прикладных наук, Вильнюс, Литва
1
Вильнюсский университет, Физический факультет, кафедра физики полупроводников, Вильнюс, Литва
1
ГНЦ РФ "Гиредмет", Москва, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Софт-Импакт, а/я 83, Санкт-Петербург, Россия
1