Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Исследование собирания носителей в CdZnTe-детекторах рентгеновского и gamma-излучения фотоэлектрическим методом

Косяченко Л.А.¹, Маслянчук Е.Л.¹, Раренко И.М.¹, Склярчук В.М.¹

¹Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина Chernivtsy National University, Chernivtsy, Ukraine

Поступила в редакцию: 10 декабря 2003 г.

Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Рассмотрена схема возбуждения фотопроводимости, когда внешнее электрическое поле действует параллельно направлению распространения излучения. Проанализированы пространственное распределение неравновесных электронов и условия разделения электронно-дырочных пар (собирания носителей) в зависимости от величины приложенного к кристаллу напряжения. Предложена методика определения времени жизни электронов из измерений фотопроводимости.

Y. Eisen, A. Shor. J. Cryst. Growth, 184 / 185, 1302 (1998)
R.H. Redus, A.C. Huber, J.A. Pantazis. Nucl. Instrum. Meth., A458, 214 (2001)
http: / www.amptek.com / a250ap.html
M.R. Squillante, G. Entine. Nucl. Instrum Meth., A380, 160 (1996)
M.A.J. van Pamelen, C. Budtz-Jorgensen, I. Kuvvetli. Nucl. Instrum. Meth., A439, 625 (2000)
A.D.M. Hofmann, W. Stadler, P. Chrismann, B.K. Meyer. Nucl. Instrum. Meth., A380, 117 (1996)
M. Jung, J. Morel, P. Fougeres, M. Hage-Ali, P. Sifferd. Nucl. Instrum. Meth., A428, 45 (1999)
S. Kraft, M. Bavdaz, B. Castelletto, A. Peacock, F. Scholze, G. Ulm, M.-A. Gagliargi, S. Nenonen, T. Tuomi, M. Juvonen, R. Rantamaki. Nucl. Instrum. Meth., A418, 337 (1998)
Г.Е. Пикус. Основы теории полупроводниковых приборов (М., Наука, 1965)
С.М. Рывкин. Фотоэлектрические явления в полупроводниках (М., Физматгиз, 1963)
T. Toshifumi, S. Adachi, H. Nakanishi, K. Ohtsuka. Jap. J. Appl. Phys., 32, 3496 (1993).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель