"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Пьезосопротивление в пленках поликристаллического кремния p-типа
Гридчин В.А.1, Любимский В.М.1
1Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 1 декабря 2003 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2004 г.

Описан эффект пьезосопротивления в поликристаллическом кремнии p-типа при рассеянии дырок на межкристаллитных потенциальных барьерах. Величины коэффициентов эластосопротивления при этом типе рассеяния близки к величинам коэффициентов эластосопротивления при рассеянии на ионах примеси и акустических колебаниях решетки. Расхождение между экспериментальными и расчетными коэффициентами эластосопротивления, возможно, может быть устранено при учете изменения эффективных масс при деформации, несферичности валентной зоны, "малых эффектов", а также учете дополнительного (дополнительных) механизмов рассеяния.
  • J. Suski, V. Mosser, J. Goss. Sens. Actuators, 17, 405 (1989)
  • J. Suski, V. Mosser, G. Le Roux. Proc. Electrochem. Soc. Conf. (San Diego, CA, USA, Oct. 1986). p. 331
  • E. Obermeir. Ph. D. Thesis (University of Munich, 1983)
  • P.H. French, A.G.R. Evans. Sensors Actuators, 7, 135 (1985)
  • D. Schubert, W. Jenschke, T. Uhlig, F.M. Schmidt. Sensors Actuators, 11, 145 (1987)
  • V.A. Gridchin, V.M. Lubimsky, M.P. Sarina. Sensors Actuators, A49, 67 (1995)
  • P.H. French, A.G.R. Evans. Electron. Lett., 24, 999 (1984)
  • T. Toriyama, Y. Yokoyama, S. Sugiyama. Sensors Materials, 12, 473 (2000)
  • P.H. French, A.G.R. Evans. Sol. St. Electron., 32, 1 (1989)
  • M. Le Berre, M. Lemiti, D. Barbier, P. Pinard, J. Cali, E. Bustarret, J. Sicart, J.L. Robert. Sensors Actuators, A46-47, 166 (1995)
  • В.А. Гридчин, В.М. Любимский. Микроэлектроника, 32, 261 (2003)
  • V. Mosser, J. Suski, J. Goss, E. Obermeir. Sensors Actuators, A28, 113 (1991)
  • Г.Л. Бир, Г.Е. Пикус. Симметрия и деформационные эффекты в полупроводниках (М., Наука, 1972)
  • Г.Е. Пикус, Г.Л. Бир. ФТТ, 1, 1828 (1959)
  • В.А. Гридчин, В.М. Любимский, А.Г. Моисеев. ФТП (в печати)
  • N.C.C. Lu, C.Y. Gerberg, C.Y. Lu, J.D. Meidl. IEEE Trans. Electron. Dev., ED-28, 818 (1981)
  • M. Granveaud, P. Malsan. Onde Electron., 47, 392 (1967)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.