"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка
Андреев В.М.1, Хвостиков В.П.1, Калюжный Н.А.1, Титков С.С.1, Хвостикова О.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Сочетанием методов газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и диффузии Zn из газовой фазы были получены Ge-фотоэлементы на основе GaAs/Ge-гетероструктуры, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода. Расчетное значение кпд Ge-фотоэлемента превышает 5.5% при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Достигнутые значения фототока в Ge-фотоэлементе близки к значениям фототока, получаемым в GaAs-фотоэлементе при одинаковых условиях освещения солнечным излучением с воздушной массой AM0, что обеспечивает возможность создания высокоэффективных каскадных концентраторных солнечных элементов с "верхним" GaAs-элементом и "нижним" Ge-элементом.
  • K. Takahashi, S. Yamada, T. Unno, S. Kuma. Techn. Degest 9th Int. Photovolt Sci. Eng. Conf. (Japan, 1996) p. 531
  • C. Hardingham, S.J. Taylor, S.P. Wood, T.A. Cross, K. Bogus, K. Deltaff. 2nd World Conf. Photovolt. Sci. Eng. (Vienna, 1998) p. 3765
  • S.J. Wojtczuk, S.P. Tobin, C.J. Keavney, C. Baygar, M.M. Sanfacon, L.M. Geoffroy, T.M. Dixon, S.M. Vernon, J.D. Scofield, D.S. Ruby. IEEE Trans. Electron Dev., 37, 455 (1990)
  • S.J. Wojtczuk, S.P. Tobin, M.M. Sanfacon, V. Haven, L.M. Geoffroy, S.M. Vernon. 22nd IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Las Vegas, 1991) p. 73
  • N.H. Karam, R.P. King, B.T. Cavicchi, D.D. Krut, J.H. Ermer, M. Haddad, Li Cai, D.E. Joslin, M. Takahashi, J.W. Eldredge, W.T. Nishikawa, D.R. Lillington, B.M. Keyes, R.K. Ahrenkiel. IEEE Trans. Electron Dev., 46, 2116 (1999)
  • H.L. Cotal, D.R. Lilington, J.H. Ermer, R.R. King, N.H. Karam, S.R. Kurtz, D.J. Friedman, J.M. Olson, J.S. Ward, A. Duda, K.A. Emery, T. Moriarty. 28th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Alaska, 2000) p. 955
  • D.J. Friedman, J.M. Olson, J.S. Ward, T. Moriarty, K. Emery, S. Kurtz, A. Duda. 28th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Alaska, 2000) p. 965
  • D.J. Friedman, J.M. Olson. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 9, 179 (2001)
  • Y. Li, M.G. Bongers, L.J. Giling, G. Salviati, L. Lazzarini, L. Nasi. Cryst. Growth, 163, 195 (1996)
  • S.P. Tobin, S.M. Vernon, C. Bajgar, V.E. Haven, L.M. Geoffroy, M.M. Sanfacon, D.R. Lillington, R.E. Hart, K.A. Emery, R.J. Matson. IEEE Electron Dev. Lett., 9, 405 (1988)
  • Б.Е. Саморуков. Свойства полупроводников (СПб., СПбГТУ, 1992)
  • M. Razegi. The MOCVD Challenge, ed. by A. Hilger (Bristol--Philadelphia, 1989) vol. 2, p. 179
  • V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, O.A. Khvostikova, E.V. Oliva, V.D. Rumyantsev, M.Z. Shvarts. Proc. 17th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Munich, Germany, 2001) p. 219
  • V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, O.A. Khvostikova, E.V. Oliva, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Proc. 5th ISTC SAC Seminar: Nanotechnologies in the area of Physics, Chemistry and Biotechnology (St. Petersburg, Russia, 2002) p. 387
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.