"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка
Андреев В.М.1, Хвостиков В.П.1, Калюжный Н.А.1, Титков С.С.1, Хвостикова О.А.1, Шварц М.З.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 7 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.

Сочетанием методов газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и диффузии Zn из газовой фазы были получены Ge-фотоэлементы на основе GaAs/Ge-гетероструктуры, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода. Расчетное значение кпд Ge-фотоэлемента превышает 5.5% при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Достигнутые значения фототока в Ge-фотоэлементе близки к значениям фототока, получаемым в GaAs-фотоэлементе при одинаковых условиях освещения солнечным излучением с воздушной массой AM0, что обеспечивает возможность создания высокоэффективных каскадных концентраторных солнечных элементов с "верхним" GaAs-элементом и "нижним" Ge-элементом.
  1. K. Takahashi, S. Yamada, T. Unno, S. Kuma. Techn. Degest 9th Int. Photovolt Sci. Eng. Conf. (Japan, 1996) p. 531
  2. C. Hardingham, S.J. Taylor, S.P. Wood, T.A. Cross, K. Bogus, K. Deltaff. 2nd World Conf. Photovolt. Sci. Eng. (Vienna, 1998) p. 3765
  3. S.J. Wojtczuk, S.P. Tobin, C.J. Keavney, C. Baygar, M.M. Sanfacon, L.M. Geoffroy, T.M. Dixon, S.M. Vernon, J.D. Scofield, D.S. Ruby. IEEE Trans. Electron Dev., 37, 455 (1990)
  4. S.J. Wojtczuk, S.P. Tobin, M.M. Sanfacon, V. Haven, L.M. Geoffroy, S.M. Vernon. 22nd IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Las Vegas, 1991) p. 73
  5. N.H. Karam, R.P. King, B.T. Cavicchi, D.D. Krut, J.H. Ermer, M. Haddad, Li Cai, D.E. Joslin, M. Takahashi, J.W. Eldredge, W.T. Nishikawa, D.R. Lillington, B.M. Keyes, R.K. Ahrenkiel. IEEE Trans. Electron Dev., 46, 2116 (1999)
  6. H.L. Cotal, D.R. Lilington, J.H. Ermer, R.R. King, N.H. Karam, S.R. Kurtz, D.J. Friedman, J.M. Olson, J.S. Ward, A. Duda, K.A. Emery, T. Moriarty. 28th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Alaska, 2000) p. 955
  7. D.J. Friedman, J.M. Olson, J.S. Ward, T. Moriarty, K. Emery, S. Kurtz, A. Duda. 28th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Alaska, 2000) p. 965
  8. D.J. Friedman, J.M. Olson. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 9, 179 (2001)
  9. Y. Li, M.G. Bongers, L.J. Giling, G. Salviati, L. Lazzarini, L. Nasi. Cryst. Growth, 163, 195 (1996)
  10. S.P. Tobin, S.M. Vernon, C. Bajgar, V.E. Haven, L.M. Geoffroy, M.M. Sanfacon, D.R. Lillington, R.E. Hart, K.A. Emery, R.J. Matson. IEEE Electron Dev. Lett., 9, 405 (1988)
  11. Б.Е. Саморуков. Свойства полупроводников (СПб., СПбГТУ, 1992)
  12. M. Razegi. The MOCVD Challenge, ed. by A. Hilger (Bristol--Philadelphia, 1989) vol. 2, p. 179
  13. V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, O.A. Khvostikova, E.V. Oliva, V.D. Rumyantsev, M.Z. Shvarts. Proc. 17th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Munich, Germany, 2001) p. 219
  14. V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, O.A. Khvostikova, E.V. Oliva, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Proc. 5th ISTC SAC Seminar: Nanotechnologies in the area of Physics, Chemistry and Biotechnology (St. Petersburg, Russia, 2002) p. 387

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.