Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Фотоэлементы на основе гетероструктур GaAs/Ge, полученные комбинацией методов МОСГФЭ и диффузии цинка
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 7 июля 2003 г.
Выставление онлайн: 18 февраля 2004 г.
Сочетанием методов газофазной эпитаксии из металлорганических соединений и диффузии Zn из газовой фазы были получены Ge-фотоэлементы на основе GaAs/Ge-гетероструктуры, характеризующиеся увеличенными значениями фототока и напряжения холостого хода. Расчетное значение кпд Ge-фотоэлемента превышает 5.5% при преобразовании концентрированного солнечного излучения. Достигнутые значения фототока в Ge-фотоэлементе близки к значениям фототока, получаемым в GaAs-фотоэлементе при одинаковых условиях освещения солнечным излучением с воздушной массой AM0, что обеспечивает возможность создания высокоэффективных каскадных концентраторных солнечных элементов с "верхним" GaAs-элементом и "нижним" Ge-элементом.
- K. Takahashi, S. Yamada, T. Unno, S. Kuma. Techn. Degest 9th Int. Photovolt Sci. Eng. Conf. (Japan, 1996) p. 531
- C. Hardingham, S.J. Taylor, S.P. Wood, T.A. Cross, K. Bogus, K. Deltaff. 2nd World Conf. Photovolt. Sci. Eng. (Vienna, 1998) p. 3765
- S.J. Wojtczuk, S.P. Tobin, C.J. Keavney, C. Baygar, M.M. Sanfacon, L.M. Geoffroy, T.M. Dixon, S.M. Vernon, J.D. Scofield, D.S. Ruby. IEEE Trans. Electron Dev., 37, 455 (1990)
- S.J. Wojtczuk, S.P. Tobin, M.M. Sanfacon, V. Haven, L.M. Geoffroy, S.M. Vernon. 22nd IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Las Vegas, 1991) p. 73
- N.H. Karam, R.P. King, B.T. Cavicchi, D.D. Krut, J.H. Ermer, M. Haddad, Li Cai, D.E. Joslin, M. Takahashi, J.W. Eldredge, W.T. Nishikawa, D.R. Lillington, B.M. Keyes, R.K. Ahrenkiel. IEEE Trans. Electron Dev., 46, 2116 (1999)
- H.L. Cotal, D.R. Lilington, J.H. Ermer, R.R. King, N.H. Karam, S.R. Kurtz, D.J. Friedman, J.M. Olson, J.S. Ward, A. Duda, K.A. Emery, T. Moriarty. 28th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Alaska, 2000) p. 955
- D.J. Friedman, J.M. Olson, J.S. Ward, T. Moriarty, K. Emery, S. Kurtz, A. Duda. 28th IEEE Photovolt. Spec. Conf. (Alaska, 2000) p. 965
- D.J. Friedman, J.M. Olson. Prog. Photovolt.: Res. Appl., 9, 179 (2001)
- Y. Li, M.G. Bongers, L.J. Giling, G. Salviati, L. Lazzarini, L. Nasi. Cryst. Growth, 163, 195 (1996)
- S.P. Tobin, S.M. Vernon, C. Bajgar, V.E. Haven, L.M. Geoffroy, M.M. Sanfacon, D.R. Lillington, R.E. Hart, K.A. Emery, R.J. Matson. IEEE Electron Dev. Lett., 9, 405 (1988)
- Б.Е. Саморуков. Свойства полупроводников (СПб., СПбГТУ, 1992)
- M. Razegi. The MOCVD Challenge, ed. by A. Hilger (Bristol--Philadelphia, 1989) vol. 2, p. 179
- V.M. Andreev, V.P. Khvostikov, O.A. Khvostikova, E.V. Oliva, V.D. Rumyantsev, M.Z. Shvarts. Proc. 17th Eur. Photovolt. Solar Energy Conf. (Munich, Germany, 2001) p. 219
- V.P. Khvostikov, V.D. Rumyantsev, O.A. Khvostikova, E.V. Oliva, M.Z. Shvarts, V.M. Andreev. Proc. 5th ISTC SAC Seminar: Nanotechnologies in the area of Physics, Chemistry and Biotechnology (St. Petersburg, Russia, 2002) p. 387
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
