"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9992
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
26

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2001 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
12
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Зотова Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Стусь Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Талалакин Г.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Айдаралиев М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Медведкин Г.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Борисенко С.И.
Cибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
3
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сорокин С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
3
Мигаль В.П.
Государственный аэрокосмический университет "ХАИ", Харьков, Украина
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Васильев В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Капитонов В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Медведев А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Певцов А.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Неизвестный И.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Георгобиани А.Н.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Руш А.А.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Зеленин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Чернышов В.Н.
Физико-технический институт Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия
2
Фалина И.В.
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Корогодский М.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Клименко И.А.
Государственный аэрокосмический университет "ХАИ", Харьков, Украина
2
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
86
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
27
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
14
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
13
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
10
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
7
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
4
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Московский энергетический институт (Технический университет), Москва, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
3
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
3
Институт химии высокочистых веществ Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кременчугский государственный политехнический институт, Кременчуг, Украина
2
Кутаисский государственный университет им. Акакия Церетели, Кутаиси, Грузия
2
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
2
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2
НТК "Институт монокристаллов" Национальной академии наук Украины, Харьков, Украина
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Забайкальский государственный педагогический университет им. Н.Г. Чернышевского, Чита, Россия
2
Институт физики им. Х.И. Амирханова Дагестанского научного центра РАН, Махачкала, Россия
2
Борисоглебский государственный педагогический институт, Борисоглебск, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный университет телекоммуникаций им. проф. М.А. Бонч-Бруевича, Санкт-Петербург, Россия
2
Волгоградский государственный педагогический университет, Волгоград, Россия
2
Институт физики Университета г. Вюрцбурга, Вюрцбург, Германия
2
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Казанский физико-технический институт Российской академии наук, Казань, Россия
2
Всероссийский научный центр "Государственный оптический институт им. С.И. Вавилова", Санкт-Петербург, Россия
2
Philipps-Universitat Marburg, Marburg, Germany
2
Академия связи Украины, Одесса, Украина
1
Киевский национальный университет имени Тараса Шевченко, физический факультет, Киев, Украина
1
Department of Physics, Oliver Lodge Laboratory, University of Liverpool. Oxford Street Liverpool 69 7ZE England
1
Институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Республика Белоруссия
1
Институт физики полупроводников Херсонского отделения Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина
1
Физико-технический институт Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
1
Институт физики прочности и материаловедения СО РАН, Томск, Россия
1
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Кемеровский государственный университет, Кемерово, Россия
1
Danmarks Tekniske Universitet, Microelectronics Center, III--V Nanolab, Lyngby, Denmark
1
Физико-технический институт Сибирского отделения Российской академии наук, Томск, Россия
1