Эффект баллистического переноса электронов в структурах металл--n-GaAs--n+-GaAs с барьером Шоттки
Торхов Н.А.1
1Научно-исследовательский институт полупроводников (ГНПП НИИПП), Томск, Россия
Поступила в редакцию: 29 декабря 2000 г.
Выставление онлайн: 19 июня 2001 г.
В предположении о баллистическом характере движения проведено исследование взаимодействия электрона с потенциалом, сформированным контактом металл-полупроводник с барьером Шоттки. Рассмотрены три случая взаимодействия электрона с барьерным потенциалом: сильное, слабое и надбарьерный перенос. Показано, что взаимодействие электрона с надбарьерной областью существенно влияет на процесс рассеяния во всех трех случаях, что отражается на поведении статических вольт-амперных характеристик. На основе предложенной модели было предсказано увеличение обратных токов при увеличении ширины тонкой (~ 0.35 мкм) базы диода, которое было проверено и подтверждено экспериментально. Получено, что увеличение обратного тока связано с увеличением влияния сильного электрического поля на движущиеся носители с ростом ширины тонкой базы.
- F.A. Padovani, R. Stratton. Sol. St. Electron., 9, 695 (1966)
- K. Shenai, R.W. Dutton. IEEE Trans. Electron. Dev., 35 (4), 468 (1988)
- Modern Semiconductor Device Physics. Ed. by S.M. Sze (John Wiley \& Sons, 1997)
- М.И. Векслер. ФТП, 30 (9), 1718 (1996)
- В.Н. Добровольский, Г.К. Ницидзе, В.Н. Петрусенко. ФТП, 28 (4), 651 (1994)
- J. Martinez, E. Calleja, J. Piqueras. Phys. St. Sol., 60 (a), 277 (1980)
- J. Crofton, S. Sriram. IEEE Trans. Electron. Dev., 43 (12), 2305 (1996)
- H.C. Card, E.H. Rhoderick. J. Phys. D: Appl. Phys., 4, 1589 (1971)
- D. Mui, S. Strite, H. Morkoc. Sol. St. Electron., 34 (10), 1077 (1991)
- V.L. Rideout, C.R. Crowell. Sol. St. Electron., 13, 993 (1970)
- J.M. Andrews. J. Vac. Sci. Technol., 11, 951 (1974)
- М.Э. Райх, И.М. Рузин. ФТП, 21, 456 (1987)
- Т.А. Полянская, Х.Г. Нажмудинов. ФТП, 21, 1737 (1987)
- М.Э. Райх, И.М. Рузин. ЖЭТФ, 92, 2257 (1987)
- Н.А. Торхов, С.В. Еремеев. ФТП, 34 (1), 106 (2000)
- N.A. Torkhov. Proc. 4th Int. Conf. on Actual Problems of Electronic Instrument Engineering " APEIE-98" (Novosibirsk, Russia, Sept. 23--26, 1998) v. 2, p. 217
- Н.Л. Чуприков. Деп. в ВИНИТИ, N 492-В91
- Н.Л. Чуприков. ФТП, 30 (3), 443 (1996)
- Н.Л. Чуприков. ФТП, 26 (12), 2040 (1992)
- Н.А. Торхов, В.Г. Божков. Деп. в ВИНИТИ, N 313-В99 от 29. 01. 99
- L. Esaki. IEEE J. Quant. Electron., 22 (9), 1611 (1986)
- S.D. Collins, D. Lowet, J.R. Barker. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 20, 6213 (1987)
- В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук