"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9229
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
218

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2003 год:
Статья
Всего
Абстракт
Полный текст
Статья
Всего
Абстракт
Полный текст
print '
';
Автор
Организация
Статей
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
10
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Вайполин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Михрин С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алфёров Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Мокеров В.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Попов В.П.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Fernelius N.
Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
5
Егоров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
4
Наумова О.В.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Клевков Ю.В.
Отделение физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Серегин Н.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Полушина И.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Самсоненко Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Поляков Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тонких А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Никифоров А.И.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кожанова Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
92
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
21
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
15
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
14
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
8
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
8
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
6
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
6
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
6
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
5
Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
5
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
5
Национальный университет Узбекистана им. М. Улугбека, Ташкент, Узбекистан
3
Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
3
Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Московский государственный университет, Москва, Россия
2
Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
2
Гиредмет, Москва, Россия
2
Институт проблем материаловедения им. Францевича, Черновицкое отделение Национальной академии наук Украины, Черновцы, Украина
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, Томск, Россия
2
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете, Томск, Россия
2
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Институт тепло- и массообемена им. А.В. Лыкова Национальной академии наук Республики Беларусь, Минск, Республика Беларусь
1
Учебно-научно-производственный центр при Одесском национальном университете им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
1
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины (Херсонский отдел), Херсон, Украина
1
НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН", Зеленоград, Москва, Россия
1
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко, Минск, Белоруссия
1
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
1
Университет Осака, Япония
1
Институт Ван-дер-Ваальса, Университет Амстердама, Нидерланды
1
Московский технический университет связи и информатики, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников Национальной академии нaук Украины, Киев, Украина
1
Nova Crystals, Inc., 174 Component Dr., San Jose, CA USA
1
Отделение физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
1