"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9935
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
278

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2003 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
13
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
10
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
9
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Михрин С.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Васильев А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Вайполин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Алфёров Ж.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Серегин П.П.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Попов В.П.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Мокеров В.Г.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Fernelius N.
Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
5
Егоров В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Брудный В.Н.
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
4
Камилов И.К.
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
4
Малеев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Полушина И.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Самсоненко Ю.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Поляков Н.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Астахова А.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Наумова О.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Тонких А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Серегин Н.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Клевков Ю.В.
Отделение физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
4
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Гладышев А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Мусихин Ю.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Никифоров А.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цацульников А.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кожанова Ю.В.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Галиев Г.Б.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
93
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
21
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
16
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
14
Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
12
Институт высокомолекулярных соединений Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
8
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
7
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
6
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
6
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
6
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
5
Air Force Wright Lab., Wright Patterson AFB, OH, USA
5
Национальный университет Узбекистана (НУУз), Ташкент, Узбекистан
3
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
3
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
3
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
3
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
3
Национальный исследовательский Томский политехнический университет, Томск, Россия
2
Мордовский государственный университет, Саранск, Россия
2
Гиредмет, Москва, Россия
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
2
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Институт физики 1, Технический университет Аахена, Аахен, Германия
2
Киевский национальный университет им. Тараса Шевченко, Киев, Украина
2
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Казанский физико-технический институт Казанского научного центра Российской академии наук, Казань, Россия
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Институт тепло- и массообмена им. А.В. Лыкова НАН Беларуси, Минск, Беларусь
1
Учебно-научно-производственный центр при Одесском национальном университете им. И.И. Мечникова, Одесса, Украина
1
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины (Херсонский отдел), Херсон, Украина
1
НИИ молекулярной электроники и завод "МИКРОН", Зеленоград, Москва, Россия
1
Научно-исследовательский институт прикладных физических проблем им. А.Н. Севченко, Минск, Белоруссия
1
Университет Линчепинга, Линчепинг, Швеция
1
Университет Осака, Япония
1
Институт Ван-дер-Ваальса, Университет Амстердама, Нидерланды
1
Московский технический университет связи и информатики, Москва, Россия
1
Институт физики полупроводников Национальной академии нaук Украины, Киев, Украина
1
Nova Crystals, Inc., 174 Component Dr., San Jose, CA USA
1
Отделение физики твердого тела Физического института им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
1
Институт общей физики Российской академии наук, Москва, Россия
1