Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Полупроводниковые свойства CrSi₂ с деформированной решеткой

Кривошеева А.В.¹, Шапошников В.Л.¹, Кривошеев А.Е.¹, Филонов А.Б.¹, Борисенко В.Е.¹

¹Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Belarusian State University of Informatics and Radioelectronics, Minsk, Belarus

Поступила в редакцию: 2 сентября 2002 г.

Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Методом линейных присоединенных плоских волн исследовано влияние изотропных и анизотропных деформаций на электронные и оптические свойства полупроводникового дисилицида хрома CrSi₂. Установлено, что соединение является непрямозонным полупроводником с шириной запрещенной зоны ~0.3 эВ. Обнаружено, что тенденции изменения переходов под действием деформаций аналогичны, однако в случае анизотропной деформации носят выраженный нелинейный характер, при этом растяжение решетки до 106% вдоль оси a приводит к появлению прямого перехода.

Semiconducting Silicidies, ed. by V.E. Borisenko (Berlin, Springer, 2000)
F.Y. Shiau, H.C. Cheng, L.J. Chen. J. Appl. Phys., 59, 2784 (1986)
H. Lange. Phys. St. Sol. (b), 201, 3 (1997)
N.G. Galkin, T.A. Velichko, S.V. Skripka, A.B. Khrustalev. Thin Sol. Films, 280, 211 (1996)
N.G. Galkin, A.M. Maslov, S.I. Kosikov, A.O. Talanov, K.N. Galkin. Physics, Chemistry and Application of Nanostructures. Reviews and Short Notes to NANOMEETING-2001 (Singapore, World Scientific, 2001) p. 190
P. Blaha, K. Schwarz, J. Luitz. WIEN97 (Vienna University of Technology, 1997). [Improved and updated Unix version of the original copyright WIEN code: P. Blaha, K. Schwarz, P. Sorantin, S.B. Trickey. Comput. Phys. Commun., 59, 399 (1990)]
A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, V.E. Borisenko. Phys. Rev. B, 60, 16 494 (1999)
A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, V.E. Borisenko, H. Lange. Europhys. Lett., 46, 376 (1999)
A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, V.E. Borisenko, H. Lange. Appl. Phys. Lett., 70, 796 (1997)
A.B. Filonov, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, N.N. Dorozhkin, G.V. Petrov, V.E. Borisenko, W. Henrion, H. Lange. J. Appl. Phys., 79, 7708 (1996)
A.B. Filonov, I.E. Tralle, N.N. Dorozhkin, D.B. Migas, V.L. Shaposhnikov, G.V. Petrov, V.M. Anishchik, V.E. Borisenko, Phys. St. Sol. (b), 186, 209 (1994)
V. Bellani, G. Guizetti, F. Marabelli et al. Phys. Rev. B, 46, 9380 (1992)
M.C. Bost, J.E. Mahan. J. Appl. Phys., 63, 839 (1988)
А.В. Кривошеева, А.Н. Холод, В.Л. Шапошников, А.Е. Кривошеев, В.Е. Борисенко. ФТП, 36, 528 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель