Вышедшие номера
Электрофизические свойства InAs, облученного протонами
Брудный В.Н.1, Колин Н.Г.2, Потапов А.И.1
1Сибирский физико-технический институт им. акад. В.Д. Кузнецова Томского государственного университета, Томск, Россия
2Государственный научно-исследовательский центр института физической химии им. Л.Я. Карпова, Обнинское отделение, Обнинск, Россия
Поступила в редакцию: 5 августа 2002 г.
Выставление онлайн: 19 марта 2003 г.

Представлены результаты исследования электрофизических свойств InAs, облученного ионами H+ (E=5 МэВ, D=2· 1016 см-2). Показано, что независимо от уровня легирования и типа проводимости исходного материала после облучения InAs всегда приобретает n+-тип проводимости (n~(2-3)·1018 см-3). Обсуждается явление закрепления уровня Ферми в облученном материале. Исследована термическая стабильность радиационных нарушений в InAs при температурах последующего отжига до 800oC.