Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
6
Ярошецкий И.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Юрьев В.А.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Калинушкин В.П.
Институт общей физики Российской академии наук,, Москва, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Андреев А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Растегаева М.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Басс Ф.Г.
Институт радиофизики и электроники Национальной академии наук Украины,, Харьков, Украина
4
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Константинов О.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Царенков Б.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Куликов Г.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Беляков Л.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Горячев Д.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шик А.Я.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Тарбаев Н.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Савкина Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цырлин Г.Э.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Фалеев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Вагидов Н.З.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Грибников З.С.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Коршак А.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
3
Малкович Р.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Иванов П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Стрельчук А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гулямов Г.
Наманганский индустриально-технологический институт,, Наманган, Узбекистан
2
Кибис О.В.
Новосибирский государственный технический университет, Новосибирск, Россия
2
Богданюк Н.С.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Давидюк Г.Е.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Шаварова А.П.
Волынский государственный университет им. Леси Украинки,, Луцк, Украина
2
Корольков В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ильяшенко И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Строкан Н.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шмидт Б.
Институт физики ионных пучков и исследования материалов Исследовательского центра, г.Россендорф, Дрезден, Германия,
2
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Шаймеев С.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Юнусов М.С.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Ахмадалиев А.
Институт ядерной физики Академии наук Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
2
Подливаев А.И.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
2
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ушаков А.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Радчук Н.Б.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Штеренгас Р.М.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Рывкин Б.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Глазов В.М.
Московский государственный институт электронной техники, (технический университет),, Москва, Россия
2
Горнушкина Е.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кадушкин В.И.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Шангина Е.Л.
Научно-исследовательский технологический институт,, Рязань, Россия
2
Павелец А.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Павелец С.Ю.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Пахомов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Голикова О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ваксман Ю.Ф.
Одесский государственный университет им. М.И.Мечникова, Одесса, Украина
2
Бурбаев Т.М.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Курбатов В.А.
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Яссиевич И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ковалев Д.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кузнецов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Равич Ю.И.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Гук Е.Г.
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина,, Москва, Россия
2
Бабенцов В.Н.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Власенко А.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Васько Ф.Т.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Стриха М.В.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Шепельский Г.А.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
2
Гурьянов Г.М.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Петров В.Н.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Астрова Е.В.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Ременюк А.Д.
Физико-технический интситут им. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
2
Кудоярова В.Х.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Боднарь И.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
2
Голубок А.О.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Типисев С.Я.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Егоров А.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Воробьев Л.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
2
Зубрилов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Степанов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Щеглов М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снегов Ф.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Сыркин А.Л.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Булат Л.П.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Закордонец В.С.
Тернопольский приборостроительный институт,, Тернополь, Украина
2
Гуртовой В.Л.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Шаповал С.Ю.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Мастеров В.Ф.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Дмитриев С.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Ждан А.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Фрязино, Россия
2
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Лукашевич П.Г.
Белорусская государственная политехническая академия,, Минск, Беларусь
2
Урманов Н.А.
Физико-технический институт им. С.В. Стародубцева Академии наук Республики Узбекистан, Ташкент, Узбекистан
2
Образцов А.Н.
Научно-исследовательский институт ядерной физики им. Д.В. Скобельцына Московского государственного университета им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Куницын А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Хохлов А.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Акимов Б.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Албул А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Константинова Е.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
2
Резников Б.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Царенков Г.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Именков А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Емцев В.В.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
2
Агапов Б.Л.
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Стрыгин В.Д.
Воронежский технологический институт,, Воронеж, Россия
1
Максимов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Седова И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ханкина С.И.
Институт радиофизики и электроники Академии наук Украины,, Харьков, Украина
1
Мельник В.П.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Валяев В.В.
Институт проблем технологии микроэлектроники и особочисных материалов Российской академии наук,, Черноголовка, Россия
1
Калантарова З.С.
Институт микроэлектроники Российской академии наук,, Ярославль, Россия
1
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Кириллова С.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Примаченко В.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Каминский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Васильев Л.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Безбородов В.Н.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
1
Емельянов В.В.
Московский инженерно-физический институт,, Москва, Россия
1
Балландович В.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Мохов Е.Н.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Маренкин С.Ф.
Институт общей и неорганической химии Российской академии наук, Москва, Россия
1
Раухман А.М.
Институт общей и неорганической химии Российской академии наук, Москва, Россия
1
Дмитриев А.Г.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Пипа В.И.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Шварц Ю.М.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Мавлянов Х.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Горин А.Е.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Ермаков В.Н.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Бормонтов Е.Н.
Воронежский государственный университет,, Воронеж, Россия
1
Котов С.В.
Воронежский государственный университет,, Воронеж, Россия
1
Андреев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гасан-заде С.Г.
Институт физики полупроводников Академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Мальханов С.Е.
Санкт-Петербургский государственный технический университет,, Санкт-Петербург, Россия
1
Зимин С.П.
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
1
Зайкина Р.Ф.
Ярославский государственный университет,, Ярославль, Россия
1
Попов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Голубков А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фарбштейн И.И.
Физико-технический интститут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук,, Санкт-Петербург, Россия
1
Фирсов Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соловьев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Старобинец С.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Аверкиев Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гуткин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гобш Г.
Institut f. Physik, TU Ilmenau, PSF 327, Ilmenau, FRG
1
Штайн Н.
Institut f. Physik, TU Ilmenau, PSF 327, Ilmenau, FRG
1
Максимов М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов И.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Суслов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Андриеш А.М.
Институт прикладной физики АН Молдовы, Кишинев, Молдова
1
Осипова Н.А.
Череповецкий государственный педагогический институт им. А.В. Луначарского,, Череповец, Россия
1
Сорокина Н.О.
Череповецкий государственный педагогический институт им. А.В. Луначарского,, Череповец, Россия
1
Джафаров М.А.
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Скипетров Е.П.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Мекекечко А.Ю.
Днепропетровский государственный университет,, Днепропетровск, Украина
1
Махний В.П.
Черновицкий государственный университет,, Черновцы, Украина
1
Мельник В.В.
Черновицкий государственный университет,, Черновцы, Украина
1
Елизаров И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мездрогина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чиркова Е.Г.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук,, Москва, Россия
1
Райчев О.Э.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Мусихина Е.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Соколовский Б.С.
Львовский национальный университет им. Ивана Франко, Львов, Украина
1
Киндяк В.В.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Зарецкая Е.П.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Киндяк А.С.
Институт физики твердого тела и полупроводников Академии наук Беларуси,, Минск, Беларусь
1
Козловский С.И.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины,, Киев, Украина
1
Гусейнов Э.К.
Научно-исследовательский институт фотоэлектроники Академии наук Азербайджана,, Баку, Азербайджан
1
Штропенин Г.Л.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Трегубова А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мокроусов Н.Е.
Институт микроэлектроники Российской академиии наук,, Ярославль, Россия
1
Варданян Б.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Юнович А.Э.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Ильин В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Некрасов М.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Козловский В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Скорятина Е.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ежевский А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Машин А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Хохлов Д.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Черенков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Матвеева А.Б.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Долгих Н.И.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
1
Халлер Е.Е.
Минский научно-исследовательский институт радиоматериалов,, Минск, Белоруссия
1
© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук