"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9784
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
127

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2007 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Zamoryanskaya M.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный комплекс Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
6
Красильник З.Ф.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Arguirov T.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
6
Kittler M.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
6
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Seifert W.
IHP, Im Technologiepark 25,, Frankfurt (Oder), Germany
4
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Kolesnikova E.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов Ю.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Yakimov E.B.
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
4
Дубровский В.Г.
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
4
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
4
Jia G.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Кочаровский В.В.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Barthou C.
Universite P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, Paris Cedex 05, France
3
Sitnikova A.A.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Свечникова Т.Е.
Институт металлургии им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Аванесян В.Т.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Борщев К.С.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Серегин П.П.
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Налет Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соколова З.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Хомылев М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Люблинская О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Маремьянин К.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Borisov S.S.
Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
3
Торопов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Konnikov S.G.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
3
Саченко А.В.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
79
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
17
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
14
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
11
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
9
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
9
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
8
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
5
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
4
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
4
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
4
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия
3
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Черновцы, Украина
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников, L Вильнюс, Литва
2
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Institute of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany
2
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
2
Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
2
St. Petersburg State Polytechnical University, St. Petersburg, Russia
2
St. Petersburg State Technological Institute, St. Petersburg, Russia
2
M.V. Lomonosov Moscow State University, Physical Department, Moscow, Russia
2
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Институт физики металлов им. М.Н. Михеева Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Республика Дагестан, Россия
1
Государственное унитарное научно-производственное предприятие "Электрон-Оптроник", Санкт-Петербург, Россия
1
Азербайджанский государственный педагогический университет, Баку, Азербайджан
1
Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
1
Государственный инженерный университет Армении, Ереван, Армения
1