"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9511
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
184

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2007 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
8
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
8
Zamoryanskaya M.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
7
Устинов В.М.
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Arguirov T.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
6
Kittler M.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
6
Цырлин Г.Э.
Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный комплекс Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
6
Красильник З.Ф.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
6
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Грехов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Забродский А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Seifert W.
IHP, Im Technologiepark 25,, Frankfurt (Oder), Germany
4
Yakimov E.B.
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
4
Дубровский В.Г.
Научно-образовательный комплекс "Санкт-Петербургский физико-технический научно-образовательный центр Российской академии наук", Санкт-Петербург, Россия
4
Ковалюк З.Д.
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
4
Jia G.
IHP microelectronics, Im Technologiepark 25, Frankfurt (Oder), Germany
4
Хохлов Д.Р.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Новиков А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Kolesnikova E.V.
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
4
Тимошенко В.Ю.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Теруков Е.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кашкаров П.К.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Дроздов Ю.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Кочаровский В.В.
Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Михайлова М.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Свечникова Т.Е.
Институт металлургии им. А.А. Байкова Российской академии наук, Москва, Россия
3
Аванесян В.Т.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
3
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соколовский И.О.
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
3
Грузинцев А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Конников С.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Рoссийской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Талалаев В.Г.
Институт физики им. В.А. Фока, Санкт-Петербургский государственный университет, Петродворец, Россия
3
Гременок В.Ф.
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
3
Гергель В.А.
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
3
Емельянов А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Рoссийской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Люблинская О.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Редькин А.Н.
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
76
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
17
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
13
Ioffe Physicotechnical Institute, Russian Academy of Sciences, St. Petersburg, Russia
11
Институт физики полупроводников им. В.Е. Лашкарева Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
9
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
8
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
6
Томский государственный университет, Томск, Россия
5
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
5
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
5
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
4
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
4
Московский инженерно-физический институт (Государственный университет), Москва, Россия
4
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
4
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
3
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Россия
3
Институт проблем материаловедения им. И.Н. Францевича Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
3
Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Российский государственный педагогический университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
2
Объединенный институт физики твердого тела и полупроводников Национальной академии наук Белоруссии, Минск, Белоруссия
2
Национальный университет "Львивська политехника", Львов, Украина
2
Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Черновцы, Украина
2
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (факультет наук о материалах), Москва, Россия
2
Институт физики полупроводников, L Вильнюс, Литва
2
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
2
Institute of Physics, University of Rostock, Rostock, Germany
2
Institute of Microelectronics Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
2
Institute of Microelectronics Technology, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia
2
St. Petersburg State Technological Institute, St. Petersburg, Russia
2
M.V. Lomonosov Moscow State University, Physical Department, Moscow, Russia
2
Бердянский государственный педагогический университет, Бердянск, Украина
2
Санкт-Петербургский физико-технологический научно-образовательный центр Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
2
Саратовский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Всероссийский электротехнический институт им. В.И. Ленина, Москва, Россия
2
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Республика Дагестан, Россия
1
Государственное унитарное научно-производственное предприятие "Электрон-Оптроник", Санкт-Петербург, Россия
1
Азербайджанский государственный педагогический университет, A Баку, Азербайджан
1
Институт физики Национальной академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
1
Уральский государственный технический университет (УПИ), Екатеринбург, Россия
1
Государственный инженерный университет Армении, Ереван, Армения
1
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
1