"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Измерение высоты барьера на границе металл-полуизолирующий арсенид галлия
Айзенштат Г.И.1, Лелеков М.А.1, Толбанов О.П.1
1Томский государственный университет, Томск, Россия
Поступила в редакцию: 5 марта 2007 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2007 г.

Проведен анализ вольт-амперных характеристик структур из полуизолирующего арсенида галлия с различными контактами. Высота барьера Шоттки измерялась с использованием двух методик; полученные значения для контактов на основе ванадия составили 0.81±0.02 В. PACS: 42.79.Pw, 81.05.Ea, 85.25.Oj, 85.30.De, 87.66.Pm
  • R. Irsigler, R. Geppert, R. Goppert, J. Ludwig, M. Rogalla, K. Runge, Th. Shmidt, M. Weber. Nucl. Instrum. Meth. Phys. A 395, 71 (1997)
  • В.Л. Бонч-Бруевич, С.Г. Калашников. Физика полупроводников (М., Наука, 1977)
  • Г.И. Айзенштат, М.А. Лелеков, В.А. Новиков, Л.С. Окаевич, О.П. Толбанов. ФТП, 41 (5), 631 (2007)
  • С. Зи. Физика полупроводниковых приборов (М., Мир, 1984) т. 1, с. 292
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.