"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Электролюминесценция ионов эрбия в кремниевых диодных структурах p++/n+/n-Si : Er/n++
Кузнецов В.П.1, Ремизов Д.Ю.2, Шмагин В.Б.2, Кудрявцев К.Е.2, Шабанов В.Н.1, Оболенский С.В.3, Белова О.В.1, Кузнецов М.В.1, Корнаухов А.В.1, Андреев Б.А.2, Красильник З.Ф.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Поступила в редакцию: 4 апреля 2007 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2007 г.

Обсуждаются результаты экспериментов по исследованию электролюминесценции ионов эрбия в кремниевых диодных структурах типа p++/n+/n-Si : Er/n++, выращенных методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии. Отличительной особенностью структур является то, что области формирования потока электронов (n+-Si) и ударного возбуждения ионов эрбия (n-Si : Er) пространственно разнесены. Исследовано влияние толщины слоя n+-Si на электрические и электролюминесцентные свойства диодов. Показано, что уменьшение толщины слоя n+-Si вызывает трансформацию механизма пробоя структуры в направлении туннельный -> лавинный. Зависимость интенсивности электролюминесценции ионов Er3+ от толщины высоколегированной области n+-Si носит колоколообразный характер. При уровне легирования слоя n+-Si n~ 2·1018 см-3 максимальная интенсивность электролюминесценции достигается при толщине слоя n+-Si ~23 нм. PACS: 78.60.Fi, 85.30.Mn, 85.60.Jb
  • G. Franzo, F. Priolo, S. Coffa, A. Polman, A. Carnera. Appl. Phys. Lett., 64, 2235 (1994)
  • B. Zheng, J. Michel, F.Y.G. Ren, L.C. Kimerling. D.C. Jacobson, J.M. Poate. Appl. Phys. Lett., 64, 2842 (1994)
  • N.A. Sobolev, Yu.A. Nikolaev, A.M. Emel'yanov, K.F. Shtel'makh, P.E. Khakuashev, M.A. Trishenkov. J. Luminecs., 80, 315 (1999)
  • Д.Ю. Ремизов. В.Б. Шмагин, А.В. Антонов, В.П. Кузнецов, З.Ф. Красильник. ФТТ, 47, 95 (2005)
  • В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, В.Н. Шабанов, Л.В. Красильникова, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов. ФТТ, 46 (1), 110 (2004)
  • В.П. Кузнецов, Д.Ю. Ремизов, В.Н. Шабанов, Р.А. Рубцова, М.В. Степихова, Д.И. Крыжков, А.Н. Шушунов, О.В. Белова, З.Ф. Красильник, Г.А. Максимов. ФТП, 40, 868 (2006)
  • А.С. Тагер, В.М. Вальд-Перлов. Лавинно-пролетные диоды и их применение в технике СВЧ (М., Сов. радио, 1986) гл. 1, с. 27
  • В.Б. Шмагин, Д.Ю. Ремизов, С.В. Оболенский, Д.И. Крыжков, М.Н. Дроздов, З.Ф. Красильник. ФТТ, 47, 120 (2005)
  • V.B. Shmagin, S.V. Obolensky, D. Yu. Remizov, V.P. Kuznetsov, Z.F. Krasilnik. IEEE J. Select. Topics Quant. Electron., 12, 1556 (2006)
  • S.V. Obolensky, V.B. Shmagin, V.A. Kozlov, K.E. Kudryavtsev, D.Yu. Remizov, Z.F. Krasilnik. Semicond. Sci. Technol., 21, 1459 (2006)
  • Д.Ю. Ремизов, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, С.В. Оболенский, В.Б. Шмагин. Матер. X симп. "Нанофизика и наноэлектроника" (Нижний Новгород, Россия, 2006) т. 2, с. 348
  • В.П. Кузнецов, Р.А. Рубцова. ФТП, 34, 519 (2000)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.