Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2007, выпуск 2 » Статья стр. 154
<<<>>>
Электрические свойства изотипных гетеропереходов N+-GaSb/n0-GaInAsSb/N+-GaAlAsSb II типа
Ахметоглы (Афраилов) М.А.1, Андреев И.А.1, Куницына Е.В.1, Михайлова М.П.1, Яковлев Ю.П.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 24 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.
PDF версия
Изучены зонные диаграммы, а также вольт-амперные и вольтъемкостные характеристики изотипных гетероструктур N+-GaSb/n0-GaInAsSb/N+-GaAlAsSb. Исследованы механизмы протекания темнового тока при различных температурах. Показано, что разъединенный гетеропереход демонстрирует свойства диода Шоттки, и вольт-амперные характеристики проявляют выпрямляющие свойства во всем температурном диапазоне 90-300 K. При высоких температурах и низких напряжениях преобладает термоэлектронная эмиссия. Этот ток обусловлен термической активацией и забросом электронов из GaInAsSb в GaSb через барьер на гетероинтерфейсе. Сравнение теоретических и экспериментальных данных показало, что при низких температурах туннельный механизм протекания тока является определяющим как для прямого, так и для обратного газа. PACS: 73.40.Kp, 79.40.+z
  1. L.M. Dolginov, L.M. Druzhinina, P.G. Eliseev, I.V. Kryukova, V.I. Leskovich. IEEE J. Quant. Electron., QE-13, 609 (1977)
  2. H. Kano, S. Miazava, K. Sugiyama. Electron. Lett., 16, 146 (1980)
  3. А.Н. Баранов, Б.Е. Джуртанов, А.Н. Именков, А.А. Рогачев, Ю.М. Шерняков, Ю.П. Яковлев. ФТП, 20 (12), 2217 (1986)
  4. G. Bougnot, F. De Lannoy. J. Electrochem. Soc., 135, 783 (1988)
  5. A.N. Baranov, A.N. Imenkov, M.P. Mikhailova, A.A. Rogachev, Yu.P. Yakovlev. Proc. SPIE, 1048, 188 (1989)
  6. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond. Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  7. М.А. Афраилов, А.Н. Баранов, А.П. Дмитриев, М.П. Михайлова, Ю.П. Сморчкова, И.Н. Тимченко, В.В. Шерстнев, И.Н. Яссиевич, Ю.П. Яковлев. ФТП, 24 (6), 1397 (1990)
  8. И.А. Андреев, А.Н. Баранов, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, А.В. Пенцов, Ю.П. Сморчкова, В.В. Шерстнев, Ю.П. Яковлев. Письма ЖТФ, 18 (17), 50 (1992)
  9. M.A. Afrailov, M.P. Mikhailova, N.R. Rahimov. Turk. J. Phys., 21, 1229 (1997)
  10. М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, А.Н. Титков, В.Н. Чебан, Ю.П. Яковлев, Э. Гулициус, И. Освальд, И. Панграц, Т. Шимечек. ФТП, 27 (4), 615 (1993)
  11. M.S. Tyagi. Introduction to Semiconductor Materials and Devices (Wiley, N.Y., 1991)
  12. J. Bart Van Zeghbroeck. Principles of Electron Devices (University of Colorado, Boulder, 1996)
  13. M. Mebarki, D. Boukredimi, S. Sadik, J.L. Lazzari. J. Appl. Phys., 73, 2360 (1993)
  14. J.L. Moll. Physics of Semiconductors (McGraw-Hill, N.Y., 1964)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme