"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Свойства двумерного электронного газа в гетеропереходах AlGaAs/GaAs с тонкими слоями AlGaAs
Козлов Д.А.1, Квон З.Д.1,2, Калагин А.К.2, Торопов А.И.2
1Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Поступила в редакцию: 25 мая 2006 г.
Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

Изучены транспортные свойства двумерного электронного газа, расположенного на малом расстоянии (15-32.5 нм) от поверхности в гетеропереходе AlGaAs/GaAs. Обнаружены сильное влияние поверхности на поведение проводимости двумерного электронного газа, а также эффект экранирования металлическим затвором рассеяния двумерных электронов на заряженных центрах. PACS: 73.23.-b, 73.40
  • M.A. Paalanen, D.C. Tsui, A.C. Gossard, J.C.M. Hwang. Phys. Rev. B, 29, 6003 (1984)
  • M. Heiblum, E.E. Mendez, F. Stern. Appl. Phys. Lett., 44 (11), 1064 (1984)
  • B.J.F. Lin, D.C. Tsui, M.A. Paalanen, A.C. Gossard. Appl. Phys. Lett., 45 (6), 695 (1984)
  • F. Stern. Appl. Phys. Lett., 43 (10), 974 (1983)
  • В.А. Ткаченко, З.Д. Квон, Д.В. Щеглов, А.В. Латышев, А.И. Торопов, О.А. Ткаченко, Д.Г. Бакшеев, А.Л. Асеев. Письма ЖЭТФ, 79, 168 (2004)
  • A. Fuhrer, S. Luscher, T. Ihn, T. Heinzel, K. Ensslin, W. Wegscheider, M. Bichler. Nature, 413, 822 (2001)
  • J.H. Davies. The Physics of Low-dimensional Semiconductors: An Introduction (Cambridge University Press, 1998)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.