Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Люминесценция наностержней оксида цинка

Емельченко Г.А.¹, Грузинцев А.Н.², Кулаков А.Б.¹, Самаров Э.Н.¹, Карпов И.А.¹, Редькин А.Н.², Якимов Е.Е.², Barthou C.³

¹Институт физики твердого тела Российской академии наук, Черноголовка, Московская обл., Россия Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

Institute of Solid State Physics, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Russia

²Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

Institute of Microelectronic Technology and High Purity Materials, Russian Academy of Sciences, Chernogolovka, Moscow oblast, Russia

³Universite P. et M. Curie, Case 80, 4 Place Jussieu, Paris Cedex 05, France

Поступила в редакцию: 17 мая 2006 г.

Выставление онлайн: 20 января 2007 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Исследованы спектры спонтанного и стимулированного излучения наностержней ZnO, выращенных двумя низкотемпературными методами. Стимулированное излучение при 385 нм наблюдали при комнатной температуре для нанокристаллов ZnO, выращенных методом CVD, при накачке азотным лазером с длиной волны 337 нм. Пороговая плотность мощности накачки для лазерного процесса рекомбинации экситонов составила ~600 кВт/см². PACS: 78.45.+h, 78.55.Cr, 78.67.Bf

M.H. Huang, S. Mao, H. Fieck, H. Yan, Y. Wu, H. Kind, E. Weber, R. Russo, P. Yang. Science, 292, 1897 (2001)
Y.-K. Tseng, H.-S. Hsu, W.-F. Hsieh, K.-S. Kiu, I.-C. Cheng. J. Mater. Res., 18, 2837 (2003)
H. Cao. Optics Photonics News (January 2005) p. 24
H.T. Ng, B. Chen, J. Li, J. Han, M. Meyyappan, J. Wu, S.X. Li, E.E. Haller. Appl. Phys. Lett., 82, 2023 (2003)
C.X. Xu, X.W. Sun, C. Yuen, B.J. Chen, S.F. Yu, Z.L. Dong. Appl. Phys. Lett., 86, 11 118 (2005)
B.P. Zhang, N.T. Binh, Y. Segawa, K. Wakatsuki, N. Usami. Appl. Phys. Lett., 83, 1635 (2003)
G.Z. Wang, N.G. Ma, C.J. Deng, P. Yu, C.Y. To, N.C. Hung, M. Aravind, D.H.L. Ng. Mater. Lett., 58, 2195 (2004)
L. Vayssieres, K. Keis, S.-E. Lindquist, A. Hagfeldt. J. Phys. Chem. B, 105, 3350 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель