Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11090
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
36
Распределение количества просмотров по годам:
1418964
1313748
1263258
1129853
961344
924583
843304
755008
891326
1077806
1069214
1004334
998970
993142
967633
1003789
1024127
1056197
932657
987323
921976
1155032
1168279
1147053
1104567
1192867
1206604
1156625
1122208
1171547
1071038
947870
731805
569047
433793
222049
144136
61529
9606
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
218
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
38

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Быстродействующий фототранзистор на гетероструктуре ZnSe-GaAs
29
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
28
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
25
Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
24
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
24
Флуктуации локальных атомных потенциалов в аморфном кремнии
24
Дисперсия косых медленных поверхностных магнитоплазменных волн
23
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
23
Динамика наносекундного лазерного отжига аморфных и ультрадисперсных имплантационных слоев германия
21
Двухузельная модель биполярона малого радиуса
21
Слои p-типа на кристаллах i-GaAs, отожженных в водороде
21
Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением
20
Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия
20
Особенности проводимости полупроводников, обусловленные дефектами с сильным электрон-решеточным взаимодействием
20
Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием
20
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
20
Роль высших подзон в энергетической релаксации двумерного электронного газа
20
Электрические свойства дефектов, образующихся при импульсном фотонном отжиге кремния
20
Определение диффузионной длины неосновных носителей в неидеальных гетеропереходах
20
Радиационное дефектообразование в диодных структурах с различной интенсивностью
20
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3846
Именной указатель
3434
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3404
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3338
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3300
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3252
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3243
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3239
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3206
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3189
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3170
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3161
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3155
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3142
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3133
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3130
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3121
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3121
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3120
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3109
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3097
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3086
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3083
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
3056
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
3048
Предметный указатель
3047
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
3037
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
3034
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
3027
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
3024
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
3014
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
3011
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
3006
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
3000
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2998
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2998
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2991
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2987
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2984
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2984
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2982
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2976
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2971
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2971
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2963
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2960
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2957
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2955
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2952
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2949
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Голубев Л.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme