Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1354114
1256002
1208610
1080022
922157
884414
806266
721077
853351
1036311
1029477
964092
956764
954521
930903
964473
985678
1017984
897255
947058
886544
1113151
1125072
1104259
1064060
1148231
1158593
1112784
1072256
1110940
1011277
890027
687169
527249
397168
200014
125129
46081
2367
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы
37
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
36
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
35
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
35
Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn2Se4
35
Влияние интенсивности облучения электронами на накопление A-центров в области пространственного заряда в кремнии
33
Критика и библиография
33
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
33
К теории фотостимулированных гальваномагнитных эффектов в полупроводниках
32
Влияние реакторного облучения на электрические и магнитные свойства примесного германия
32
Междузонное тепловое излучение полупроводников
31
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si --- МОП структурах
31
Резонансные уровни в сильно компенсированном p-PbTe по данным ИК поглощения
31
Термическая энергия ионизации мелких доноров и акцепторов в кристаллах CdTe
30
Роль шнурования тока в магниточувствительности планарных магнитотранзисторов
30
Влияние лазерного облучения на низкотемпературные спектры фотопроводимости и фотолюминесценции селенида галлия
30
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
30
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
30
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
30
Циклотронные массы и g*-факторы электронов в твердых растворах арсенид кадмия--арсенид цинка
29
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3705
Именной указатель
3272
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3244
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3187
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3159
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3104
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3096
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3081
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3064
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3057
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3029
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3014
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3005
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3003
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3000
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2993
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2992
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2990
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2983
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2983
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2969
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2966
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2955
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2917
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2899
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2899
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2894
Предметный указатель
2883
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2881
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2880
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2870
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2868
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2866
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2862
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2859
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2859
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2858
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2853
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2851
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2850
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2845
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2841
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2831
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2825
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2824
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2824
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2823
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2822
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2821
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
2809
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme