Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11131
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
77
Распределение количества просмотров по годам:
1457999
1350455
1298277
1160137
987255
949524
866422
774564
914016
1101778
1093422
1028262
1021878
1015159
988896
1025280
1045272
1077790
952558
1007537
940976
1178614
1191877
1171323
1128796
1219172
1233464
1182902
1150794
1207012
1104135
978183
758259
593015
453363
234733
153890
70406
16865
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
403
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
72

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
34
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
34
Захват неравновесных носителей и кинетика фотоотклика в p-n-переходах
34
Влияние флуктуаций состава и легирования на неравновесные свойства полупроводника
33
Взаимодействие лития с многозарядными акцепторами I группы в германии
32
Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа AIVBVI
31
О температурной зависимости зонных параметров дырок в теллуре
30
1/f-шум ЭДС Холла в n-CdxHg1-xTe
30
Примесное рассеяние и межуровневые переходы в двумерных электронных системах
30
О влиянии флуктуаций потенциала на измерения ГУ методами емкостной спектроскопии
29
Высокотемпературные квантовые поправки к проводимости двумерного электронного газа в AlGaAs/GaAs
29
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
29
Новые книги по полупроводникам
29
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
29
Селективный захват межузельных атомов углерода в облученном кремнии
29
О поглощении звука свободными носителями в слабо легированных компенсированных полупроводниках
29
Образование термодоноров и механизм ускоренной диффузии кислорода в кремнии
28
Индуцированная светом спиновая поляризация в полумагнитных полупроводниках
28
О прыжковой проводимости в полупроводниковом алмазе
28
Разогрев носителей заряда в германии ИК излучением
28
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3924
Именной указатель
3516
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3494
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3427
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3381
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3332
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3324
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3318
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3290
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3268
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3246
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3235
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3227
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3224
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3221
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3201
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3201
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3194
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3193
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3184
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3173
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3169
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3167
Предметный указатель
3130
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
3128
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
3125
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
3122
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
3112
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
3103
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
3103
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
3085
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
3083
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
3083
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
3081
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
3077
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
3077
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
3074
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
3062
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
3061
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
3055
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
3051
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
3051
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
3047
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
3046
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
3045
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
3034
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
3034
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
3032
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
3031
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
3030
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Стариков М.Н.
2
Вейнгер А.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme