Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1326746
1231594
1185494
1059837
905285
867398
791863
705451
837476
1018663
1011812
946020
940321
933759
912806
945820
967816
999773
883072
930446
870727
1094725
1107532
1086240
1046628
1127675
1137158
1094180
1049794
1084046
985663
868065
669935
511404
383097
190754
118547
40040
292
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
39
Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe<Se>
37
Пассивация примесей и радиационных дефектов водородом в кремнии p-типа
37
Влияние электрического поля на термическую эмиссию дырок собственными дефектами в p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией
34
Критика и библиография
33
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
33
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
33
Инверсия населенностей в узкощелевых полупроводниках при фотонакачке
33
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
32
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
32
О природе индуцированного магнитным полем перехода металл--диэлектрик в n-CdxHg1-xTe
31
Влияние электрического поля на накопление A, E-центров в кремнии
29
Фотолюминесценция полумагнитных полупроводников типа AIVBVI
29
Особенности термомагнитных эффектов в n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
29
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
29
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
29
Ударная ионизация в дырочном антимониде индия
29
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
29
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
29
О прыжковой проводимости в полупроводниковом алмазе
28
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3641
Именной указатель
3202
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3178
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3111
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3091
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3035
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3021
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3010
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3008
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3003
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2964
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2952
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2951
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2944
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2936
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2934
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2927
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2924
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2923
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2922
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2904
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2901
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2895
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2850
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2842
Предметный указатель
2832
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2830
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2830
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2828
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2823
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2819
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2817
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2810
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2805
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2796
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2794
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2794
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2788
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2787
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2782
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2780
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2778
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2777
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2770
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2769
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2764
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2761
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2760
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2754
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2753
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Фукс Б.И.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme