Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1397711
1295329
1244790
1113861
948099
911372
831008
743680
878935
1064464
1056207
990843
986240
980183
955374
991268
1011510
1043322
919917
973902
910430
1141459
1154064
1133510
1090888
1177883
1191673
1141840
1105794
1150861
1052399
930328
717864
555433
420759
214314
137780
56259
7037
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
36

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
30
Поведение примесей бора и фосфора в кремнии при облучении нейтронами и последующих отжигах
26
"Бестоковое" планарное магнитоусиление гидро- и мезозвука в изотропных и анизотропных полупроводниках
26
Роль шнурования тока в магниточувствительности планарных магнитотранзисторов
26
Безынерционная поляризация валентного полупроводника локализованным электронным возбуждением
26
Электрические свойства Pb1-xSnxTe<Br> и механизмы рассеяния электронов
25
Влияние междырочных столкновений на разогрев и поглощение света теплыми дырками в p-Ge
25
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
25
Электрические свойства дефектов, образующихся при импульсном фотонном отжиге кремния
25
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
25
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
25
Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
25
Быстродействующий фототранзистор на гетероструктуре ZnSe-GaAs
25
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
25
Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия
24
Внутризонное поглощение света в полупроводниках при рассеянии электронов проводимости на короткодействующих потенциалах
24
Неустойчивость холодных электронов в полупроводниках
24
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
24
Особенности спектра одноосно деформированных полупроводников с вырожденными зонами в магнитном поле, перпендикулярном давлению
24
Методика лазерного катодопоглощения
24
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3791
Именной указатель
3382
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3347
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3294
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3253
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3195
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3190
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3183
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3150
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3131
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3122
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3108
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3107
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3100
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3093
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3089
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3076
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3071
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3071
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3063
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3052
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3051
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3041
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
3009
Предметный указатель
2998
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2996
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2993
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2989
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
2986
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2983
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2974
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2957
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2954
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2953
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2951
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2950
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2949
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2947
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2945
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2941
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2940
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2928
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2921
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2920
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2917
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2913
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2913
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2911
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2909
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
2906
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Курбанов К.Р.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme