Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1284101
1192639
1149332
1026027
876884
841398
768304
684497
813304
988898
981276
914497
910673
904857
884179
916718
939476
968161
855568
901120
843713
1061562
1075252
1046400
1009447
1094363
1100594
1059626
1011640
1046034
950292
833813
639362
485002
359068
176961
107602
31513
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
27
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
24
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
22
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
22
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
22
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
22
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
22
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
22
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
21
Особенности термомагнитных эффектов в n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
21
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
21
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
20
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
20
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
20
Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si
20
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
20
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
20
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
19
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
19
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
19
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3553
Именной указатель
3115
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3083
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2999
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2982
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2939
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2925
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2900
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2899
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2890
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2890
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2874
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2856
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2854
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2834
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2833
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2833
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2828
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2828
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2822
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2799
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2797
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2789
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2759
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2756
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2754
Предметный указатель
2751
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2729
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2726
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2724
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2719
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2718
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2712
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2710
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2709
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2702
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2701
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2698
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2698
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2688
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2684
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2680
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2678
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2674
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2674
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2674
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2673
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2671
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2669
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2666
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Торишний В.И.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme