Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1178283
1100880
1061525
943724
811567
777073
711625
633152
755153
921365
910377
846626
845793
843419
822831
855500
877180
901633
795331
837822
785741
991151
1003273
971633
943437
1011945
1022117
975690
941525
959060
869179
753437
570422
422789
300834
141069
76653
11667
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Аннотации депонированных статей
46
Селективный захват межузельных атомов углерода в облученном кремнии
43
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар: распределение по энергиям
42
N-ОДП при пинч-эффекте в несобственных полупроводниках
41
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
40
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
40
Внутренние упругие напряжения в кремнии, легированном гадолинием
39
Междоузельный дефект низкой симметрии в кремнии, облученном нейтронами
39
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
39
Влияние освещения на проводимость легированных пленок a-Si : H
39
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
38
Диффузия радиационных дефектов из области упругого торможения ионов фосфора в кремнии
38
Определение параметров рекомбинационных центров посредством дифференциального анализа температурных зависимостей времени жизни неосновных носителей заряда
38
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
38
Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки
37
Критика и библиография
37
Особенности осцилляций Шубникова-де--Гааза в Mn0.11Hg0.89Te
37
К вопросу об эффекте изменения электропроводности полупроводника в неоднородном магнитном поле
36
Аннотации депонированных статей
36
Электромагнитная теория инжекционного лазера с одним гетеропереходом
36
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3319
Именной указатель
2881
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2860
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2790
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2734
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2716
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2708
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2660
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2656
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2651
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2634
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2629
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2629
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2612
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2603
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2603
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2565
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2564
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2558
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2556
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2552
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2549
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2546
Предметный указатель
2545
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2528
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2515
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2513
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2500
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2497
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2496
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2490
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2488
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2486
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2485
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2476
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2475
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2468
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2464
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2459
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2455
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2454
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2453
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2449
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2448
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2446
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2443
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2442
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2436
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2436
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2433
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Вейнгер А.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Неустроев Л.Н.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme