Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1291436
1199270
1155061
1031868
881581
845606
772016
688127
817308
994861
987655
920933
916889
910694
889848
922655
945269
974629
861138
907111
849496
1068491
1081736
1054540
1016421
1101326
1107214
1066419
1016957
1051968
956335
839750
644368
489227
362653
178951
109249
32961
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
33
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar+
32
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
31
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
31
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и gamma-облучении кремния
31
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
31
Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии
31
Зона локальных состояний в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.125), облученном электронами I. Гальваномагнитные явления под давлением
31
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
31
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
30
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
30
Аннотации депонированных статей
30
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
30
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
30
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
30
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
30
Неравновесный фотодиэлектрический эффект в неупорядоченных материалах
30
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
30
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
29
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
29
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3572
Именной указатель
3131
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3100
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3010
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3007
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2956
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2938
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2926
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2926
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2914
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2899
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2889
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2871
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2867
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2854
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2854
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2851
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2848
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2841
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2839
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2825
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2817
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2816
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2772
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2770
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2766
Предметный указатель
2763
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2755
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2745
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2739
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2738
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2735
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2734
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2731
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2727
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2725
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2720
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2719
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2710
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2706
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2703
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2697
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2697
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2694
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2692
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2691
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2691
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2690
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2683
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2683
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Марков А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Неустроев Л.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Торишний В.И.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme