Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1344796
1248673
1201338
1073345
917417
878402
801762
714609
847792
1029864
1022750
956827
950478
943739
923228
956182
978197
1012685
892978
941710
881126
1107423
1118651
1098146
1058654
1139353
1151759
1106013
1064633
1101035
1000376
882804
682487
522723
392855
196633
122941
44338
1922
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Критика и библиография
37
К теории фотостимулированных гальваномагнитных эффектов в полупроводниках
37
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
31
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
28
Диффузия горячих фотоэлектронов в металл --- эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки
28
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
28
Недиссипативные термомагнитные явления в полупроводниковых сверхрешетках в квантующем магнитном поле
27
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
27
Происхождение глубоких уровней примесей непереходных элементов в кремнии и германии
27
Уровни прилипания для электронов в ZnIn2Se4
26
Структурная релаксация и кристаллизация объемных образцов аморфного антимонида галлия
26
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
26
Ориентационная зависимость проходных вольтамперных характеристик планарных p+-n-n+-структур на основе Si
26
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
26
О признаках проявления многофононной ионизации локальных центров в некристаллическом GaTe3
26
Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой
26
Электронные состояния одиночных вакансий в ZnSe и CdTe
26
Изменение градиента концентрации лития при компенсации полупроводников методом дрейфа ионов
26
Поперечная фотопроводимость легированной сверхрешетки
26
Влияние индуцированной электрическим полем анизотропии электропроводности на вольтамперные характеристики фотопроводимости в n-Si при 77 K
26
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3679
Именной указатель
3249
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3227
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3148
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3134
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3073
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3064
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3054
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3045
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3035
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3006
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2991
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2985
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2982
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2967
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2967
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2966
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2965
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2965
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2964
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2941
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2935
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2932
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2889
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2876
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2872
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2870
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2868
Предметный указатель
2866
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2863
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2861
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2851
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2847
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2843
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2837
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2834
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2832
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2831
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2830
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2827
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2817
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2814
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2812
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2810
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2809
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2805
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2805
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2804
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2801
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2793
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Куликов Г.С.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme