Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1324426
1229304
1183115
1057947
903615
866020
790455
704333
836035
1017387
1010589
944795
939180
932738
911694
944689
966765
998525
881928
929341
869701
1093481
1106341
1084726
1045148
1126496
1135092
1092936
1048115
1082157
983703
865889
668060
509717
381611
190188
118006
39676
32
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
34
Критика и библиография
31
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
31
"Бестоковое" планарное магнитоусиление гидро- и мезозвука в изотропных и анизотропных полупроводниках
30
Именной указатель
29
Ионно-лучевое легирование аморфного кремния, содержащего изовалентную примесь германия
28
О прыжковой проводимости в полупроводниковом алмазе
28
Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии
28
Ударная ионизация в дырочном антимониде индия
27
Рецензии
27
О природе индуцированного магнитным полем перехода металл--диэлектрик в n-CdxHg1-xTe
27
Влияние электрического поля на накопление A, E-центров в кремнии
27
Влияние электрического поля на термическую эмиссию дырок собственными дефектами в p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией
27
Нахождение закона дисперсии в запрещенной зоне полупроводника из измерений туннельного обратного тока в диоде Шоттки
27
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
27
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
26
Взаимодействие лития с многозарядными акцепторами I группы в германии
26
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
26
Предметный указатель
26
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
26
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3637
Именной указатель
3201
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3175
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3109
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3089
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3034
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3021
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3006
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3005
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2998
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2955
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2949
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2941
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2935
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2931
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2930
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2923
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2922
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2919
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2914
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2901
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2896
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2890
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2842
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2835
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2829
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2828
Предметный указатель
2827
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2825
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2821
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2814
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2804
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2804
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2802
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2793
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2791
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2788
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2787
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2786
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2780
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2776
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2774
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2771
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2765
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2764
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2761
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2759
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2759
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2753
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2747
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Неустроев Л.Н.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme