Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11108
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
54
Распределение количества просмотров по годам:
1430021
1323870
1273169
1138286
968340
931255
849152
760498
897414
1084010
1075818
1010240
1005217
998877
972975
1009519
1029696
1062422
938158
992942
927469
1161453
1174598
1153634
1110908
1199640
1213366
1163562
1129974
1181213
1079919
956474
738593
575625
438981
225233
146706
63924
11588
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
299
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
49

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Основные характеристики пары Френкеля в германии
35
Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр
32
Кластерный расчет связанных состояний кислорода в кремнии
32
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
31
Катодолюминесценция градиентных эпитаксиальных структур InAsSbP/InAs
31
Электрические свойства дефектов, образующихся при импульсном фотонном отжиге кремния
30
Именной указатель
30
Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением
30
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
30
Определение диффузионной длины неосновных носителей в неидеальных гетеропереходах
29
Исследование теллурида кадмия методом сканирующей спектроскопии глубоких уровней
29
Сдвиговый фотогальванический эффект в полупроводниках со сверхрешеткой без центра инверсии
29
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
29
Влияние освещения на проводимость легированных пленок a-Si : H
29
Определение диффузионной длины неосновных носителей заряда методом электромодулированной фотолюминесценции
29
Аннотации депонированных статей
28
О природе дефектов с уровнем Ec-0.18 эВ в кремнии
28
Излучательные и электрофизические свойства МДП структур на основе CdS и ленгмюровской пленки
28
Диффузия горячих фотоэлектронов в металл --- эффективный механизм потерь в фотоэлементах с барьером Шоттки
28
Туннельно-рекомбинационные токи в p-n-переходах на основе CdxHg1-xTe при T>80 K
28
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3870
Именной указатель
3464
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3429
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3366
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3320
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3276
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3265
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3261
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3233
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3221
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3186
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3182
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3175
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3166
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3163
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3152
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3147
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3138
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3136
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3132
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3117
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3111
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3105
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
3075
Предметный указатель
3073
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
3067
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
3061
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
3058
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
3049
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
3046
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
3031
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
3030
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
3030
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
3027
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
3023
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
3019
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
3011
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
3010
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
3001
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2998
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2997
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2995
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2993
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2990
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2982
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2980
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2980
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2974
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2974
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2974
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Голубев Л.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme