Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1327073
1231894
1185770
1060094
905515
867544
792046
705622
837671
1018840
1012034
946199
940479
933947
913030
946045
968059
999985
883298
930727
870931
1095009
1107725
1086594
1046941
1127860
1137508
1094414
1050089
1084453
986039
868469
670214
511665
383368
190874
118622
40144
392
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
38
Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe<Se>
38
Пассивация примесей и радиационных дефектов водородом в кремнии p-типа
37
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
34
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
33
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
32
Критика и библиография
32
Влияние электрического поля на термическую эмиссию дырок собственными дефектами в p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией
31
Именной указатель
31
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
30
Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
30
Инверсия населенностей в узкощелевых полупроводниках при фотонакачке
30
Влияние электрического поля на накопление A, E-центров в кремнии
30
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
30
Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой
30
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
29
Зависимость ширины запрещенной зоны от состава в твердом растворе InP1-xSbx (x=< 0.07)
29
О природе индуцированного магнитным полем перехода металл--диэлектрик в n-CdxHg1-xTe
29
Отражение в экситонной области спектра структуры с одиночной квантовой ямой. Наклонное и нормальное падение света
29
О признаках проявления многофононной ионизации локальных центров в некристаллическом GaTe3
29
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3641
Именной указатель
3205
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3178
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3111
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3091
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3036
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3026
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3014
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3011
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3003
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2964
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2954
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2952
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2944
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2938
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2935
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2930
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2924
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2924
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2924
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2905
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2903
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2897
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2853
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2845
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2832
Предметный указатель
2832
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2831
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2828
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2823
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2821
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2817
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2811
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2807
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2796
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2796
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2795
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2788
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2788
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2782
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2781
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2779
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2777
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2771
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2769
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2765
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2762
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2761
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2758
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2755
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Кернер Б.С.
2
Токранов В.Е.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme