Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11035
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
79
Распределение количества просмотров по годам:
1216934
1135153
1094050
974703
835382
801557
732968
653132
776956
944782
934295
869517
867694
863762
843294
875897
898643
924253
815288
859002
804822
1014552
1026469
996563
966222
1044170
1050386
1008039
966648
988493
897960
781640
594889
445834
324515
156730
90947
18314
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
393
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
73

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
48
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
48
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза II. Эксперимент
48
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
47
Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр
47
Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках
43
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
43
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
43
Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
42
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
42
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
42
К теории фотостимулированных гальваномагнитных эффектов в полупроводниках
42
О причине аномалий спин-решеточной релаксации и низкотемпературной теплоемкости в аморфном кремнии и германии
42
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
42
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
41
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
41
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
41
Влияние легирования серой на образование глубоких центров в n-InP при облучении
41
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
41
Неравновесный фотодиэлектрический эффект в неупорядоченных материалах
40
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3423
Именной указатель
2976
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2939
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2877
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2820
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2800
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2772
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2738
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2734
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2733
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2724
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2724
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2719
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2709
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2699
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2691
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2672
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2651
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2650
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2640
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2639
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2637
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2630
Предметный указатель
2628
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2607
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2599
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2596
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2595
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2594
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2580
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2573
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2569
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2567
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2563
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2558
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2557
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2548
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2544
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2539
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2535
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2533
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2532
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2531
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2529
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2529
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2525
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2524
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2523
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2521
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2512
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Левин Е.И.
2
Малевич В.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Пихтин А.Н.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Никоноров В.В.
2
Стусь Н.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Марков А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Диамант В.М.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Гафийчук В.В.
2
Куликов Г.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme