Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11035
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
79
Распределение количества просмотров по годам:
1221781
1139077
1097634
978193
838123
803960
735280
655188
779346
947141
936448
871685
869645
865772
845351
877821
900521
926459
817170
860983
806567
1016718
1028754
999065
968307
1047021
1053589
1010832
968986
991119
900382
784022
596806
447615
326166
157767
91811
19122
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
393
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
68

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках
53
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
53
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
52
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
49
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
48
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
47
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
46
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
45
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
44
Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
44
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
44
Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле p-n-перехода
44
Прогнозирование радиационных изменений электропроводности кремния в области значений поглощенных доз до 500 кГр
44
Электронное строение <001> ориентированных кислородных и углеродных донорных комплексов в кремнии
44
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза II. Эксперимент
44
Модификация оптических свойств InAs под действием импульсного лазерного облучения
43
Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением
43
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
43
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
43
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
43
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3431
Именной указатель
2983
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2953
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2886
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2831
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2813
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2779
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2747
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2746
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2745
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2733
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2733
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2729
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2719
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2709
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2704
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2682
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2664
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2657
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2651
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2648
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2645
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2642
Предметный указатель
2637
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2620
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2609
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2606
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2606
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2604
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2590
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2583
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2582
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2580
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2571
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2566
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2565
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2560
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2551
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2547
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2546
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2544
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2543
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2542
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2542
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2539
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2538
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2534
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2533
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2532
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2522
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Марущак В.А.
2
Козырев С.В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Юрова Е.С.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Токранов В.Е.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme