Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1267327
1178198
1134115
1012236
865071
830510
758894
675787
803035
974299
966299
899728
896898
891404
870686
903411
926380
954049
842488
887397
831245
1046156
1060200
1030584
995623
1079223
1085406
1044092
999161
1029219
934819
818505
626643
473962
349440
171537
103285
28021
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
37
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
33
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
31
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
31
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
31
Методика лазерного катодопоглощения
30
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
30
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
29
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
29
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
29
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
29
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
28
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
28
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
28
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
28
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и gamma-облучении кремния
27
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
27
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
27
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
27
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
27
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3526
Именной указатель
3081
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3044
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2960
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2935
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2902
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2881
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2858
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2849
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2845
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2840
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2837
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2823
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2813
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2799
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2791
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2781
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2780
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2773
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2765
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2748
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2744
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2736
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2732
Предметный указатель
2729
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2728
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2720
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2696
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2685
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2684
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2683
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2672
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2665
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2665
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2664
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2662
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2662
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2658
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2655
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2649
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2648
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2645
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2641
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2641
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2637
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2637
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2636
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2631
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2629
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2627
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Доропей В.Н.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Куликов Г.С.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme