Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10999
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
43
Распределение количества просмотров по годам:
1132169
1058659
1021368
908657
782211
747849
685629
609681
728765
893954
883881
820503
820573
819393
798548
832143
853932
876738
772788
814159
764027
964677
977219
944768
917131
981878
992860
945790
914741
925372
834871
720869
541766
397930
278790
126446
64921
6375
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
236
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
51

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Перетекание электронов на примесный уровень в Hg1-xMnxSe под давлением
70
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
57
О механизмах перестройки комплексов в полупроводниках
56
Механизм низкотемпературного стимулированного излучения света в твердых растворах AIIBVI
55
Излучательная рекомбинация носителей в полупроводниках с участием бинарных комплексов дефектов
55
Особенности локализации носителей в обогащенном слое на поверхности узкощелевого полупроводника
55
Влияние междырочных столкновений на разогрев и поглощение света теплыми дырками в p-Ge
54
Об эффективности фотоэмиссии с поверхности (111) алмаза с отрицательным электронным сродством
53
Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний в полупроводниках
53
Эффект вытеснения тока в гетероструктурных транзисторах на горячих электронах
53
Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)
53
Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
53
Влияние дрейфа вакансий в электрическом поле на формирование распределения радиационных дефектов вблизи границ раздела в кремнии
53
N-ОДП при пинч-эффекте в несобственных полупроводниках
53
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
53
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
53
Отрицательные массы и отрицательная проводимость на циклотронном резонансе в полупроводниках p-типа группы AIIIBV
52
Легирование железом аморфного гидрогенизированного углерода
52
Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме и рекомбинация на границах в пленках Рb0.8Sn0.2Te на BaF2
52
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
52
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3214
Именной указатель
2788
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2745
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2695
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2635
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2612
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2611
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2578
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2573
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2572
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2543
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2516
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2513
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2510
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2498
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2475
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2474
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2473
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2471
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2454
Предметный указатель
2447
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2443
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2443
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2437
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2436
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2434
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2432
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2414
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2403
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2399
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2397
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2395
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2393
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2390
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2390
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2380
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2373
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2371
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2369
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2366
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2365
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2363
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2355
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2355
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
2353
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2351
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2349
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2349
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
2349
Влияние дислокаций на распределение глубоких центров в полуизолирующем GaAs
2348
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Марущак В.А.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Якимов Е.Б.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme