Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1389349
1287998
1238439
1107366
943489
906756
826484
739740
874843
1059746
1051447
986679
981715
976069
950967
986935
1007091
1038605
916021
968902
906208
1136205
1148380
1128236
1085916
1172794
1186559
1136720
1098796
1142763
1045722
924095
713180
550475
415985
211382
135137
54111
5332
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
34

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
33
О признаках проявления многофононной ионизации локальных центров в некристаллическом GaTe3
33
N-ОДП при пинч-эффекте в несобственных полупроводниках
32
Зона локальных состояний в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.125), облученном электронами I. Гальваномагнитные явления под давлением
30
О поглощении звука свободными носителями в слабо легированных компенсированных полупроводниках
30
Циклотронные массы и g*-факторы электронов в твердых растворах арсенид кадмия--арсенид цинка
30
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования при имплантации ионов фосфора в кремний
28
Особенности фотоотклика гетероструктур GaAs-Al0.3Ga0.7As с модулированным легированием
27
Кластерный расчет связанных состояний кислорода в кремнии
27
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
27
Определение характерных времен формирования неоднородного профиля вакансионных дефектов в кремнии у границы раздела под действием электрического поля
27
Исследование вольтамперных характеристик гетеропереходов p-Pb0.8Sn0.2Te/n-PbTe0.92Se0.08
27
Аккумуляция в n+-n-n+-структурах на основе AIIBVI при различных длинах волн фотовозбуждения
27
Магнитоспектроскопия резонансных примесных состояний в полупроводниках
27
Возбужденные состояния акцепторов в алмазе в приближении эффективной массы
26
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
26
Квантово-размерные низкопороговые AlGaAs-гетеролазеры, полученные методом низкотемпературной жидкофазной эпитаксии
26
Особенности термомагнитных эффектов в n-Ge вблизи перехода металл--диэлектрик
26
Разогрев носителей заряда в германии ИК излучением
26
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
26
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3769
Именной указатель
3360
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3324
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3276
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3241
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3176
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3170
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3163
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3125
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3116
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3101
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3094
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3081
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3080
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3077
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3064
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3054
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3051
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3050
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3043
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3038
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3037
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3019
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2985
Предметный указатель
2976
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2973
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2968
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2967
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
2963
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2961
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2951
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2942
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2940
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2938
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2937
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2933
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2926
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2926
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2925
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2923
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2923
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2905
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2904
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2903
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2901
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2897
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2891
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2890
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2889
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2889
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Торишний В.И.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme