Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1358443
1259824
1212747
1084281
924825
887547
809250
724124
856255
1039168
1032497
967463
959658
958418
933978
968133
988938
1020529
899642
950004
889472
1116447
1127996
1106910
1066781
1151778
1161622
1115870
1076063
1115998
1017178
894553
690934
530500
400159
201808
126234
46968
2534
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
45
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
40
Влияние интенсивности облучения электронами на накопление A-центров в области пространственного заряда в кремнии
40
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
38
Критика и библиография
37
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
36
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
35
Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn2Se4
35
Междузонное тепловое излучение полупроводников
35
О механизмах рекомбинации носителей тока в p-InAs1-x-ySbxPy
34
Влияние легирования кислородом на дефектную структуру и спектры люминесценции кристаллов CdS
34
Определение диффузионной длины неосновных носителей в неидеальных гетеропереходах
34
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
33
Термоактивационный анализ плотности пограничных состояний и энергетической зависимости сечений захвата в Si --- МОП структурах
32
Резонансные уровни в сильно компенсированном p-PbTe по данным ИК поглощения
32
Квантовый гармонический резонанс в кремнии
32
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
32
Распространение электромагнитных волн вдоль слоев периодической структуры полупроводник--диэлектрик с учетом гиротропии
32
Исследование электронно-колебательной структуры изоэлектронных примесей в кремнии. Изменение электронных свойств при зарождении фазы Ge в Si
31
Энергетический спектр локализованных D-состояний в легированных образцах a-Si : Н
31
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3713
Именной указатель
3283
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3255
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3197
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3167
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3113
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3107
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3093
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3069
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3063
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3037
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3028
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3017
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3011
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3010
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3001
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2997
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2997
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2995
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2994
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2975
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2973
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2966
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2927
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2910
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2905
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2898
Предметный указатель
2892
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2889
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2886
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2885
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2879
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2878
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2875
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2869
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2868
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2863
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2860
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2858
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2854
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2853
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2852
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2842
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2835
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2834
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2833
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2833
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2831
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2829
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
2823
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Сейсян Р.П.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Кернер Б.С.
2
Токранов В.Е.
2
Заяц А.В.
2
Берман Л.С.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme