Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10857
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
18
Распределение количества просмотров по годам:
850047
797368
765544
682333
588771
565986
518243
460510
554999
693923
689797
632146
632363
636157
615970
638011
662476
673691
587606
619309
581615
739290
751880
727454
698747
751119
762339
731164
702211
685225
588058
480323
328427
205533
109035
16443
1166
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
99
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
152
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
40
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
36
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
24
Режимы генерации рекомбинационных волн конечной амплитуды
23
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
23
Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии
22
Междолинный фотомагнитный эффект в кремнии
22
К теории фотостимулированных гальваномагнитных эффектов в полупроводниках
22
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
22
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
22
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
22
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
22
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
21
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и gamma-облучении кремния
21
Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
21
Сопротивление и ВАХ чистого полупроводникового контакта в магнитном поле
21
Энергетический спектр локализованных D-состояний в легированных образцах a-Si : Н
21
Первое информационное сообщение
21
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
21
Исследование спектра локальных состояний a-Si : H методом фотоэлектрической релаксационной спектроскопии
21
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
2464
Именной указатель
2177
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2101
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2040
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2029
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2002
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
1997
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
1981
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
1954
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
1941
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
1931
Предметный указатель
1894
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
1893
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
1891
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
1877
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
1876
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
1866
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
1858
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
1857
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
1850
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
1846
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
1841
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
1839
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
1838
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
1837
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
1833
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
1831
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
1831
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
1826
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
1822
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
1811
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
1810
Исследование влияния изохронного отжига на тип проводимости и концентрацию свободных носителей заряда в НТЛ кристаллах кремния
1807
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
1805
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
1795
Определение времени жизни неосновных носителей в полупроводниках при возбуждении электронным пучком в РЭМ
1788
Влияние слабых электрических полей на фоточувствительность и люминесценцию CdS в краевой области спектра
1787
Об определении поверхностной подвижности зарядов в инверсионном слое резистивно-емкостной МДП структуры с распределенными параметрами
1787
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
1786
Фотовольтаический эффект в структурах, содержащих сверхрешетки Ge-Ge1-xSix
1785
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
1785
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
1784
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
1779
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
1779
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
1775
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
1775
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
1771
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
1771
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
1769
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
1767

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme