Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11073
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
19
Распределение количества просмотров по годам:
1372913
1274035
1225013
1096087
933835
896334
817682
731810
865456
1048501
1041218
977289
967834
966696
941797
977058
997663
1029729
907740
959403
897964
1126246
1137882
1116300
1076192
1162143
1171924
1125991
1087107
1129181
1029898
905995
701413
539928
408036
206678
130404
50787
3571
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
114
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Динамика наносекундного лазерного отжига аморфных и ультрадисперсных имплантационных слоев германия
33
Методика лазерного катодопоглощения
33
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
31
Рассеяние квазичастиц в вырожденной зоне на короткодействующих потенциалах
29
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
29
Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии
28
Предметный указатель
28
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
27
Исследование вольтамперных характеристик гетеропереходов p-Pb0.8Sn0.2Te/n-PbTe0.92Se0.08
27
Фотоэлектрические свойства неидеальных гетероструктур InGaAsP/InP
27
Влияние примеси олова на накопление радиационных дефектов в n-Si
27
Электронное строение <001> ориентированных кислородных и углеродных донорных комплексов в кремнии
27
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
27
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
26
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
26
Влияние ориентированной деформации и gamma-облучения на уровни платины в кремнии
26
Электрофизические свойства контактов с барьером Шоттки на аморфном гидрированном кремнии
26
Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта
26
Эффекты электрон-фононного взаимодействия в примесной фотопроводимости n-GaP<Ni>
25
Аннотации депонированных статей
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3743
Именной указатель
3315
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3290
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3232
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3210
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3139
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3134
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3129
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3096
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3096
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3063
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3062
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3044
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3041
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3038
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3027
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3025
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3023
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3020
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3019
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3006
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3005
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2992
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2957
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2940
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2939
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2935
Предметный указатель
2933
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2933
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2915
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2914
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2912
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2907
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2907
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2897
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2897
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2897
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2896
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2889
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2884
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2878
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2876
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2872
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2867
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2863
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2862
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2862
Механизм прохождения тока в p-n-структурах из AlxGa1-xSb(As) при небольших смещениях
2860
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2858
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2857
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Стариков М.Н.
2
Вейнгер А.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme