Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1276181
1186118
1141921
1019700
871457
836408
763968
680403
808388
981968
974063
907538
903984
898189
877638
910818
933620
961613
849879
894891
838218
1054580
1068470
1038547
1002791
1087289
1092989
1051886
1005957
1038609
943301
826704
633381
479997
355082
174692
105942
29790
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
30
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
28
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
28
Зона локальных состояний в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.125), облученном электронами I. Гальваномагнитные явления под давлением
28
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
27
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
27
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
27
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
27
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
26
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
26
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
26
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
25
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
25
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
24
Теоретическое и экспериментальное исследования эксклюзии в образцах конечной длины. Переходный процесс при включении поля и нестационарные вольтамперные характеристики
24
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
24
Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии, подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K
24
Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
24
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
24
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
23
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3539
Именной указатель
3099
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3065
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2981
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2954
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2911
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2911
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2874
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2872
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2869
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2860
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2855
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2843
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2833
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2818
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2811
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2807
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2805
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2798
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2795
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2778
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2768
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2766
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2746
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2743
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2740
Предметный указатель
2739
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2709
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2703
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2703
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2699
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2698
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2692
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2688
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2686
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2683
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2683
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2680
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2678
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2671
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2663
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2658
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2655
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2654
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2654
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2653
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2652
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2651
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2651
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2649
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Брук А.С.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Додин Е.П.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Курбанов К.Р.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme