Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1383818
1283226
1233551
1103385
940351
903184
823192
736970
871626
1056315
1048151
983467
978266
972750
947806
984043
1003819
1035396
913056
965701
903651
1132990
1144785
1124929
1082620
1169226
1182920
1133064
1094388
1137675
1040657
919570
709543
546006
412892
209792
133614
52922
4852
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
34

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
380
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
29
Аналитическая теория отрицательной дифференциальной подвижности в гетероструктурах GaAs-AlGaAs
28
Формирование профиля ионов, имплантируемых ориентируемым пучком в полупроводник с дефектами
27
Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой
27
Циклотронные массы и g*-факторы электронов в твердых растворах арсенид кадмия--арсенид цинка
26
О возможности реализации инверсной населенности спиновых подуровней Ландау в n-InSb при интенсивном субмиллиметровом возбуждении
26
Именной указатель
26
Критика и библиография
26
Фотопроводимость в слоистых кристаллах InSe
26
Зарядовое состояние рекомбинационных центров в ZnIn2Se4
26
Поглощение света в полупроводниковых соединениях AIIIBV p-типа
25
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
25
Пробой кремниевых p+-n-n+-диодов
24
Влияние имплантации ионов собственных компонентов на электрические свойства кристаллов GaAs
24
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
24
Ориентационная зависимость проходных вольтамперных характеристик планарных p+-n-n+-структур на основе Si
24
Синие SiC-6H-светодиоды
24
Фотоемкостной эффект на запертых p-n-переходах
24
К вопросу о двухэлектронном обмене в легированных твердых растворах Pb(Sn)Se
24
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3755
Именной указатель
3347
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3309
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3259
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3232
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3161
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3155
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3149
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3116
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3109
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3084
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3083
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3066
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3063
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3061
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3051
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3044
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3042
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3037
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3029
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3029
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3019
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3013
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2971
Предметный указатель
2962
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2962
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2954
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2953
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2952
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
2947
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2938
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2933
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2929
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2927
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2924
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2923
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2919
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2917
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2915
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2913
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2911
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2900
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2892
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2891
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2888
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2887
Термоионизация E-центров в кремнии, ускоренная электрическим полем, и особенности идентификации глубоких центров в низкомных полупроводниках
2884
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2883
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2882
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2880
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Гермогенов В.П.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Додин Е.П.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Курбанов К.Р.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme