Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1198674
1120423
1080621
962169
825542
790785
724228
644919
767821
934270
923723
859655
858210
854958
834151
867441
889402
914631
806436
850056
796632
1004461
1016815
985460
956674
1031391
1037172
994803
955744
974996
884481
768333
583610
434926
313993
149943
85171
17047
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
65
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
53
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
49
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
47
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
45
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
45
Исследование туннелирования электронов в МОП структурах в области перехода от трапецеидального барьера к треугольному
44
Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
44
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
44
Идентификация пространственной локализации пограничных состояний в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора
43
Влияние заряда глубокого центра на многофононные процессы термоионизации и захвата электронов
42
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
42
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
42
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
41
Механизм низкотемпературного стимулированного излучения света в твердых растворах AIIBVI
41
Термическая энергия ионизации мелких доноров и акцепторов в кристаллах CdTe
41
Сдвиговый фотогальванический эффект в полупроводниках со сверхрешеткой без центра инверсии
41
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
40
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
40
Об определении параметра анизотропии подвижности в n-Si
40
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3375
Именной указатель
2920
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2899
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2835
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2779
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2762
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2742
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2705
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2704
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2688
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2688
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2685
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2673
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2671
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2659
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2648
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2620
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2613
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2604
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2596
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2595
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2594
Предметный указатель
2588
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2587
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2569
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2562
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2562
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2550
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2544
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2536
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2532
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2530
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2525
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2524
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2522
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2521
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2506
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2506
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2500
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2499
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2493
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2486
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2486
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2486
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2485
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2484
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2484
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2482
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2482
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2472
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Ясковец И.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Талалакин Г.Н.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Герчиков Л.Г.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme