Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11035
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
79
Распределение количества просмотров по годам:
1223936
1140852
1099159
979714
839370
805335
736550
656249
780480
948179
937644
872725
870658
866669
846213
878657
901409
927380
818098
861919
807494
1017828
1029885
1000264
969275
1048632
1055072
1012374
970032
992515
901656
785232
597785
448534
326998
158266
92301
19698
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
393
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
68

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
49
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
49
Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках
48
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
46
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
46
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
46
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
46
Оптические свойства MnIn2Te4 и MnGa2Te4
46
Легирование арсенида галлия облучением нейтронами при высоких температурах
46
Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением
46
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
45
Электронное строение <001> ориентированных кислородных и углеродных донорных комплексов в кремнии
45
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
44
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
44
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
44
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
44
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
44
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
44
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
44
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
44
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3437
Именной указатель
2990
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2959
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2891
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2834
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2816
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2781
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2757
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2750
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2749
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2738
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2737
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2735
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2728
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2712
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2706
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2688
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2670
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2661
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2655
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2655
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2652
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2649
Предметный указатель
2641
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2627
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2613
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2612
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2612
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2611
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2594
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2591
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2587
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2581
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2574
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2569
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2569
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2564
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2556
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2553
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2551
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2549
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2548
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2548
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2547
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2543
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2542
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2539
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2538
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2537
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2527
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Ясковец И.И.
2
Артемьев В.А.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Гермогенов В.П.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Талалакин Г.Н.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Румянцев Е.Л.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Додин Е.П.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Райх М.Э.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Курбанов К.Р.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme