Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1304444
1211282
1165878
1042232
890772
853634
779183
694637
825142
1004925
998218
931597
926906
920739
899962
932690
954840
985316
870491
916945
858329
1079631
1092818
1068859
1029365
1112798
1119330
1078907
1029917
1063037
966762
849319
653557
497184
370191
183450
112580
36135
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
91

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
37
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
35
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
34
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
33
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
32
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
30
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
30
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
30
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
30
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
29
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
29
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
28
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
28
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
28
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
28
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
27
Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой p-n-переходов
27
Теоретическое и экспериментальное исследования эксклюзии в образцах конечной длины. Переходный процесс при включении поля и нестационарные вольтамперные характеристики
27
Влияние инверсионного слоя на туннельную полевую генерацию носителей тока в МДП структурах
27
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
27
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3591
Именной указатель
3149
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3127
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3043
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3039
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2987
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2970
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2962
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2958
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2952
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2919
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2915
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2896
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2890
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2887
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2885
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2884
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2877
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2873
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2863
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2860
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2851
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2846
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2794
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2790
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2787
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2784
Предметный указатель
2783
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2782
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2772
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2770
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2767
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2764
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2759
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2754
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2750
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2747
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2745
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2740
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2738
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2734
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2732
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2723
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2723
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2719
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2714
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2714
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2713
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2712
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2710
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Гродненский И.М.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Якимов Е.Б.
2
Марков А.В.
2
Диамант В.М.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Шкловский Б.И.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme