Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11035
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
79
Распределение количества просмотров по годам:
1228227
1143744
1103261
983703
842191
807999
738873
658353
782680
950267
939761
874994
872718
868777
848346
880845
903731
929654
820340
864182
809357
1020421
1032628
1002874
971704
1051848
1058177
1015366
972539
996183
904790
788182
600412
450968
329326
159442
93220
20632
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
393
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
68

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
53
О существовании медленных поверхностных волн геликонного типа
52
Неравновесные электроны и фононы в полупроводниках конечных размеров в электрических полях
51
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
51
Теория мезоскопических флуктуаций сопротивления проводников со сложной геометрией
50
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
49
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
48
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
47
Время жизни неравновесных носителей заряда в объеме и рекомбинация на границах в пленках Рb0.8Sn0.2Te на BaF2
47
Поверхностная релаксация энергии и отрицательная дифференциальная проводимость тонких образцов
46
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
46
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
46
Электронное строение <001> ориентированных кислородных и углеродных донорных комплексов в кремнии
46
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
46
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
45
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
45
Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением
45
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
44
Распространение электромагнитных волн вдоль слоев периодической структуры полупроводник--диэлектрик с учетом гиротропии
44
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
44
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3454
Именной указатель
2999
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2967
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2898
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2845
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2829
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2787
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2772
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2761
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2757
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2749
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2747
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2747
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2740
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2727
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2715
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2703
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2679
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2672
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2670
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2669
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2669
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2659
Предметный указатель
2648
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2639
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2625
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2625
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2621
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2618
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2609
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2606
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2597
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2590
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2584
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2584
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2578
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2576
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2568
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2568
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2566
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2562
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2561
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2560
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2559
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2555
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2553
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2551
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2546
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2545
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2544
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Марков А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Жиляев Ю.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Неустроев Л.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Торишний В.И.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme