Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11115
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
61
Распределение количества просмотров по годам:
1440365
1334118
1282867
1146879
976108
938302
855302
765716
903403
1090741
1082455
1017068
1011536
1004960
978573
1015130
1035194
1067711
943085
997978
932212
1167605
1180757
1159464
1117156
1206469
1220529
1170753
1137823
1190754
1088314
963980
745665
582074
443451
228337
149154
66241
14542
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
324
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
52

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Пространственное распределение плотности носителей заряда при дрейфе в стеклообразном As2Se3
33
Фотолюминесценция комплексов в эпитаксиальном p-GaAs, сильно легированном германием
32
Быстродействующий фототранзистор на гетероструктуре ZnSe-GaAs
32
Усиление малого сигнала в возбужденном n-Ge(Ni) в условиях возникновения умножения периода
31
Режимы генерации рекомбинационных волн конечной амплитуды
30
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
30
Кинетика близнецовой рекомбинации в аморфных материалах в условиях поверхностной генерации пар
30
Аномальный дрейф горячих фотоносителей в контактном поле
29
Мезоскопическое поведение поперечной прыжковой проводимости аморфной пленки
29
Оптическое исследование закрепления уровня Ферми на поверхности (110) полупроводниковых соединений AIIIBV
28
Влияние отклонения от стехиометрии на природу мелких акцепторных состояний в кристаллах CdTe
28
Фотолюминесценция твердых растворов ZnSe1-xTex
28
Локализация квазидвумерных экситонов на островковых увеличениях ширины квантовой ямы
27
Долговременные релаксации тока при туннельной перезарядке глубоких уровней в полупроводнике поверхностно-барьерных структур
27
Влияние междырочных столкновений на разогрев и поглощение света теплыми дырками в p-Ge
27
Особенности электропроводности p-Ge в переменном слабогреющем электрическом поле
27
Неравновесное испарение, вызванное безызлучательной рекомбинацией электрон-дырочных пар: распределение по энергиям
27
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
27
Поверхностная подвижность в полупроводниковой гетероструктуре с поляризованными рассеивающими центрами в изолирующем слое
27
Исследование свойств симметрии дефектов структуры в полупроводниках методом пьезо-холл-эффекта
27
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3891
Именной указатель
3477
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3454
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3382
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3344
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3299
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3286
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
3285
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
3253
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
3243
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
3209
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
3207
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
3190
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
3183
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
3182
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
3166
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
3165
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
3161
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
3158
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
3147
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
3137
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
3129
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
3127
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
3096
Предметный указатель
3093
Пассивация мелких доноров в фосфиде индия атомарным водородом
3086
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
3080
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
3079
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
3072
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
3067
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
3053
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
3049
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
3048
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
3044
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
3042
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
3036
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
3034
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
3031
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
3030
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
3018
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
3017
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
3016
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
3014
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
3010
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
3001
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
3000
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
3000
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2999
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2998
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2993
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Григорьев Н.Н.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Юрова Е.С.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme