Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1271068
1181728
1137493
1015431
867731
833124
760992
677784
805270
977510
969973
903257
900251
894617
873968
906684
929449
957561
845810
890760
834286
1049946
1064005
1034171
998683
1082736
1088711
1047687
1002250
1033980
938838
822542
629844
476846
352351
173230
104644
29545
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
34
Динамический гистерезис профиля пучка света в плоскопараллельных пластинках n-InP
33
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
30
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
29
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
29
Критика и библиография
28
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
28
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
28
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
28
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
27
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
27
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
27
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
26
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
26
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
26
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
26
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
26
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
26
Методика лазерного катодопоглощения
25
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
25
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3531
Именной указатель
3089
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3056
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2968
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2945
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2905
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2896
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2865
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2860
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2859
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2849
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2845
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2834
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2821
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2812
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2805
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2795
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2792
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2780
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2780
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2763
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2756
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2752
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2736
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2735
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2734
Предметный указатель
2732
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2702
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2695
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2693
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2690
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2686
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2683
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2678
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2673
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2672
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2669
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2669
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2668
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2661
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2657
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2651
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2647
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2646
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2644
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2643
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2643
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2640
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2638
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2637
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Марков А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Торишний В.И.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme