Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1307475
1213953
1168101
1044509
892761
855257
780640
695977
826829
1007287
1000533
934506
929268
923189
902230
935030
957142
988181
872666
919432
860573
1082235
1095583
1072207
1032481
1115492
1122040
1081636
1033351
1065538
968980
851576
655619
498789
371626
184224
113122
36833
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
91

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
38
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
35
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
33
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
33
Поглощение света свободными носителями заряда в многодолинных полупроводниковых пленках
32
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
31
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
31
Влияние инверсионного слоя на туннельную полевую генерацию носителей тока в МДП структурах
31
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
31
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
31
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
30
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
30
Магнитная восприимчивость и термоэдс вблизи фазового перехода в твердом растворе PbTe1-xSx
30
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
30
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
30
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
30
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
29
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
29
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
29
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb1-xSnx<Na>
29
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3598
Именной указатель
3149
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3130
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3054
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3049
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2992
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2979
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2973
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2967
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2963
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2925
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2916
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2906
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2898
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2897
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2894
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2893
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2886
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2879
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2869
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2867
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2859
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2857
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2798
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2796
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2795
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2792
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2788
Предметный указатель
2786
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2786
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2779
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2778
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2772
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2765
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2762
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2757
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2751
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2750
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2748
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2744
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2742
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2742
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2730
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2728
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2726
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2722
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2722
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2720
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2718
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2715
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Марущак В.А.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Казанский А.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Курбанов К.Р.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme