Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1294102
1201711
1157349
1034112
883682
847198
773532
689515
819084
996960
989721
923308
918855
912789
891891
924709
947199
976518
863283
909198
851267
1070815
1084413
1058044
1019339
1103856
1109850
1069153
1019747
1054324
958615
841877
646420
490990
364198
179832
109881
33592
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
36
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
35
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
33
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
31
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
31
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
31
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
30
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
30
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar+
30
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
30
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
30
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
30
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
30
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
30
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
29
Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния
29
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
29
Люминесцентные и электрофизические свойства кристаллов CdTe<Se>
29
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
29
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
28
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3575
Именной указатель
3131
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3110
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3014
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3013
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2962
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2938
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2933
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2931
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2916
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2902
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2889
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2875
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2871
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2861
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2861
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2858
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2852
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2846
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2843
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2830
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2822
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2819
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2773
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2772
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2772
Предметный указатель
2766
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2760
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2757
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2745
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2741
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2741
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2738
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2734
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2732
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2729
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2726
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2723
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2716
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2708
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2706
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2701
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2700
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2697
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2696
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2693
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2693
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2693
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2688
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2688
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Курбанов К.Р.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme