Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1316831
1222259
1176712
1051929
899096
861459
786266
700487
831995
1012999
1006161
940121
934823
928786
907533
940467
962483
994137
878069
925455
865742
1088746
1101813
1079681
1040395
1121998
1128995
1087882
1041868
1075247
977993
860417
663279
505547
377868
188060
116272
37989
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
87
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
36
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
32
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
32
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
30
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
30
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
29
Фотоемкостной эффект на запертых p-n-переходах
28
"Бестоковое" планарное магнитоусиление гидро- и мезозвука в изотропных и анизотропных полупроводниках
28
Особенности осцилляций Шубникова-де--Гааза в Mn0.11Hg0.89Te
28
Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии
27
Критика и библиография
27
Влияние распределения поля поверхностного поляритона в системе диэлектрик--металл--полупроводник на фотоответ полупроводника
27
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
27
О механизмах перестройки комплексов в полупроводниках
27
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
27
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
27
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
26
Профили показателей преломления и поглощения в кремнии, имплантированном ионами фосфора
26
Неустойчивость холодных электронов в полупроводниках
26
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
26
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3621
Именной указатель
3177
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3155
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3090
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3069
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
3016
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
3001
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2993
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2993
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2983
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2936
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2933
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2924
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2922
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2917
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2913
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2909
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2908
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2901
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2897
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2883
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2880
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2876
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2828
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2819
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2816
Предметный указатель
2814
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2813
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2812
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2804
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2801
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2790
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2790
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2781
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2777
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2777
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2776
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2769
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2767
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2764
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2761
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2760
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2749
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2747
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2747
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
2745
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2743
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2742
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
2737
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2733
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Доропей В.Н.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Куликов Г.С.
2
Неустроев Л.Н.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme