Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1282377
1191362
1147692
1024903
875735
840346
767420
683674
812297
987472
980066
913229
909452
903649
882816
915631
938356
967093
854442
900038
842721
1060098
1074036
1044805
1008330
1093131
1099193
1058176
1010462
1044649
949192
832632
638321
484238
358511
176641
107354
31326
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
25
Принцип встроенного электрического поля в проблеме полупроводниковой спектрометрии сильно ионизирующих частиц
24
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
24
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
24
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
24
Приповерхностные слои с квазиметаллической проводимостью в германии, подвергнутом гамма-облучению при 4.2 K
23
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
23
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
22
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
22
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
22
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
22
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
22
О возможности обнаружения остаточных дефектов в ионно-легированных слоях кремния с помощью наблюдения диффузии имплантированных атомов натрия
21
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
21
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
21
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
20
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
20
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
20
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
20
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
19
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3549
Именной указатель
3111
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3080
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2995
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2978
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2936
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2922
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2891
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2891
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2887
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2883
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2869
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2853
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2848
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2828
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2825
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2824
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2824
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2823
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2815
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2793
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2792
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2785
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2756
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2753
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2753
Предметный указатель
2746
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2724
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2718
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2718
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2714
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2713
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2705
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2705
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2702
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2697
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2696
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2696
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2692
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2687
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2678
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2675
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2675
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2670
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2669
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2668
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2667
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2666
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2663
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2662
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Карпус В.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Цмоць В.М.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Ковалюк З.Д.
2
Герчиков Л.Г.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Мусихин С.Ф.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Торишний В.И.
2
Бобрикова О.В.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme