Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11048
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
92
Распределение количества просмотров по годам:
1257416
1169232
1125918
1004498
859121
824336
753678
671116
797467
967076
957872
891809
889598
884145
863917
895724
919116
945912
835129
879555
823590
1037446
1050389
1021828
988464
1071804
1078060
1036069
992040
1020136
925825
809815
619273
467139
343326
167921
100454
26106
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
430
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
78

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Формирование активационного барьера на контакте металл--аморфный полупроводник
36
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
35
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
34
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
33
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
33
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
32
Особенности стационарной фотопроводимости аморфного гидрогенизированного кремния
32
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
32
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
31
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
30
Магнитотранспорт горячих электронов в многослойных гетероструктурах GaAs/AlGaAs
30
Время жизни неравновесных носителей заряда в p-GaAs, облученном ионами кислорода
30
Критика и библиография
30
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
29
Атермическая роль скорости набора дозы в кинетике дефектообразования при имплантации ионов фосфора в кремний
29
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
29
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
29
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
29
Образование метастабильных центров в облученном кремнии
28
Накопление и отжиг радиационных дефектов в кремнии в зависимости от температуры при облучении нейтронами
28
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3509
Именной указатель
3059
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3023
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2941
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2909
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2884
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2853
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2837
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2819
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2816
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2810
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2807
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2803
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2796
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2780
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2773
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2757
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2745
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2740
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2736
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2729
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2720
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2718
Предметный указатель
2711
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2704
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2702
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2693
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2676
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2669
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2668
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2667
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2651
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2645
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2644
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2641
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2634
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2634
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2633
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2628
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2626
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2626
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2623
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2622
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2616
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2616
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2615
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2608
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2607
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2606
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2606
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Григорьев Н.Н.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Энтин М.В.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Юрова Е.С.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme