Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1285119
1193488
1149776
1026950
877555
841899
768661
685046
813743
989619
981979
915246
911387
905293
884693
917511
940036
968998
856222
901783
844496
1062118
1076044
1047035
1010340
1095288
1101167
1060411
1012144
1046619
951076
834551
639948
485307
359375
177144
107735
31649
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
27
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
25
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
24
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
23
Электронная проводимость расплавов кремния и германия
23
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
23
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
22
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
22
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
22
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
22
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
22
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
21
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
21
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
21
Исследование кинетики упорядочения дефектно-примесной системы кремния
21
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
21
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
21
Вольтамперные характеристики слоев обогащения с горячими носителями тока
21
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
21
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
21
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3553
Именной указатель
3115
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3087
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2999
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2983
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2940
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2928
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2903
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2901
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2892
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2890
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2874
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2857
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2856
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2836
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2835
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2833
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2829
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2828
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2826
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2800
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2798
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2790
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2761
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2756
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2756
Предметный указатель
2754
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2730
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2726
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2725
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2721
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2720
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2714
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2711
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2709
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2707
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2703
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2700
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2698
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2690
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2685
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2681
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2678
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2675
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2675
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2675
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2674
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2673
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2669
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2668
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Пинскер Т.Н.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Кольченко Т.И.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Марков А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Горфинкель В.Б.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Соболев Н.А.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Пищалко В.Д.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Гафийчук В.В.
2
Куликов Г.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Неустроев Л.Н.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme