Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11035
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
79
Распределение количества просмотров по годам:
1223125
1140100
1098618
979153
838888
804932
735894
655711
779936
947804
937217
872359
870247
866343
845912
878379
901070
927059
817723
861548
807152
1017415
1029450
999795
968916
1047932
1054485
1011741
969677
991947
901139
784763
597404
448170
326673
158069
92093
19363
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
393
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
68

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Влияние гофрировки валентных зон на энергию Gamma+8-уровней мелких акцепторов в кубических полупроводниках
54
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
52
Модификация структуры и электрическая активация примеси при наносекундном лазерном отжиге имплантированного кремния
51
Исследование дрейфовой подвижности электронов в аморфном гидрогенизированном кремнии методом нестационарной фотопроводимости
49
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
49
Электроотражение аморфного гидрогенизированного углерода
48
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
48
Теория баллистического переноса горячих носителей в биполярном гетеротранзисторе с тонкой базой
47
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
47
Диффузионные процессы в пакете носителей, дрейфующих в поле p-n-перехода
46
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
46
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
46
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
45
Модификация оптических свойств InAs под действием импульсного лазерного облучения
45
Оптические свойства MnIn2Te4 и MnGa2Te4
45
Динамика нелинейного просветления монокристаллов CdSe
45
Эпитаксиальная кристаллизация аморфного кремния, стимулированная лазерным излучением
45
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
44
Экситонные поляритоны в полупроводниках со сверхрешеткой
44
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза II. Эксперимент
44
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3435
Именной указатель
2986
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2959
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2889
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2833
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2814
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2781
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2753
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2749
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2748
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2737
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2735
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2733
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2723
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2712
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2705
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2685
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2667
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2659
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2654
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2651
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2648
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2646
Предметный указатель
2639
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2623
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2612
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2611
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2609
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2607
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2593
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2586
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2585
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2581
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2574
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2567
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2566
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2562
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2553
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2550
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2548
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2548
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2546
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2544
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2544
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2542
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2540
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2537
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2537
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2536
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2525
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Каряев В.Н.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Ясковец И.И.
2
Антоненко В.И.
2
Сульженко П.С.
2
Ивченко Е.Л.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Ивлев Г.Д.
2
Антонова И.В.
2
Панов В.И.
2
Чихрай Е.В.
2
Тикунов А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Курбатов В.А.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Талалакин Г.Н.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Кольченко Т.И.
2
Мороз С.Е.
2
Мурин Л.И.
2
Саморуков Б.Е.
2
Сейсян Р.П.
2
Малозовский Ю.М.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Герчиков Л.Г.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Григорьев Н.Н.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Соболев Н.А.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Саченко А.В.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Примбетов К.К.
2
Вейнгер А.И.
2
Константинов О.В.
2
Юрова Е.С.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Токранов В.Е.
2
Соколова З.Н.
2
Неустроев Л.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Толстобров М.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme