Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11048
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
92
Распределение количества просмотров по годам:
1249087
1161547
1118585
997861
853650
819389
748980
666991
792404
961520
951720
885963
883883
878583
858584
890439
913674
940120
829987
874231
818946
1031679
1044108
1014803
982973
1065727
1072317
1029923
986000
1012140
919397
803128
613664
462260
339314
165211
98324
23784
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
430
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
78

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
44
О связи концентрации глубоких центров EL2 и плотности дислокаций в полуизолирующем GaAs
43
Кластерный расчет связанных состояний кислорода в кремнии
42
Электрические свойства Pb1-xSnxTe<Br> и механизмы рассеяния электронов
41
Прогнозирование типа проводимости эвтектических сплавов AIIIBV-Ge(Si)
41
Межподзонные оптические переходы горячих дырок в одноосно деформированном германии
41
О влиянии германия на образование электрически активных дефектов в кремнии
40
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
40
Возбужденные состояния акцепторов в алмазе в приближении эффективной массы
40
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
40
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
39
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
39
Зависимость пробивного поля (Eпр) от степени компенсации (C) в n-Ge
38
Спектроскопия глубоких центров в монокристаллах ZnSe : Те методом лазерной модуляции двухступенчатого поглощения
38
О возможности немонотонного хода потенциала в аккумуляционном слое
38
Свободный магнитный полярон в полупроводниках с вырожденной зоной
38
О существовании медленных поверхностных волн геликонного типа
38
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
38
Особенности локализации носителей в обогащенном слое на поверхности узкощелевого полупроводника
38
Электрическая активность Ni в стеклообразном CdGeAs2
38
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3493
Именной указатель
3043
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3000
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2927
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2886
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2866
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2829
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2821
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2800
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2793
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2792
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2784
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2783
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2780
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2762
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2754
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2736
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2726
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2721
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2715
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2710
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2705
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2703
Предметный указатель
2692
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2686
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2676
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2674
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2659
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2651
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2649
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2646
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2638
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2628
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2625
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2619
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2618
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2615
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2613
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2609
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2607
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2605
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2602
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2601
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2600
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2594
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2593
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2591
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2587
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2586
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2584
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Цидильковский Э.И.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Юрова Е.С.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Каваляускас А.А.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Курбанов К.Р.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme