Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1289210
1197216
1152943
1030150
880091
844140
770861
687044
816078
993163
986155
919340
915430
909247
888409
921225
943934
973328
860037
905881
848369
1067066
1080377
1053108
1014996
1099940
1105898
1065042
1015668
1050535
955021
838387
643169
488170
361674
178377
108722
32593
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Акустоэмиссия полупроводников при протекании электрического тока
35
Самосогласованные расчеты из первых принципов электронной структуры примесных кластеров кремния и алмаза
29
Эффективность образования фосфоросодержащих комплексов при электронном и gamma-облучении кремния
29
Методика лазерного катодопоглощения
29
Локализованные состояния водорода в аморфном кремнии
29
Размерный эффект на кинетических длинах в магнитосопротивлении многодолинных полупроводников
28
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar+
28
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
28
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
27
Определение профиля концентрации мелких примесей методом поляризованной люминесценции в структурах с квантовыми ямами
27
Динамика экранирования электрического поля в полупроводнике с глубоким примесным уровнем
27
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
27
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
27
Зона локальных состояний в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.125), облученном электронами I. Гальваномагнитные явления под давлением
27
Влияние инверсионного слоя на туннельную полевую генерацию носителей тока в МДП структурах
27
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
26
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
26
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
26
Пикосекундная релаксация поверхностных динамических решеток в имплантированных и импульсно-отожженных кристаллах кремния
26
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок Pb1-xSnx<Na>
26
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3563
Именной указатель
3121
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3097
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3005
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2995
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2951
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2934
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2919
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2915
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2907
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2896
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2885
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2865
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2862
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2849
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2849
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2846
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2845
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2836
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2835
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2818
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2810
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2808
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2768
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2767
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2765
Предметный указатель
2760
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2745
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2738
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2733
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2732
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2731
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2727
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2726
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2721
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2719
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2715
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2713
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2708
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2700
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2697
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2691
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2689
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2689
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2688
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2687
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2684
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2683
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2681
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2681
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Беляев А.Е.
2
Городничий О.П.
2
Козырев С.В.
2
Карпус В.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Дедулевич С.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ивлев Г.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Панов В.И.
2
Тикунов А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Курбатов В.А.
2
Добровинский Ю.М.
2
Соснин М.Г.
2
Гольдман Е.И.
2
Журавлев А.Б.
2
Портной Е.Л.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Баженов Н.Л.
2
Груздов В.Г.
2
Корольков В.И.
2
Прима Н.А.
2
Воронкова Г.И.
2
Мороз С.Е.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Саморуков Б.Е.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Крупицкая Р.Ю.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Тимощук В.С.
2
Герчиков Л.Г.
2
Диамант В.М.
2
Григорьев Н.Н.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Разов Е.Н.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Саченко А.В.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гринштейн П.М.
2
Мехтиев Н.М.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Цидильковский Э.И.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Горбенко Н.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Юрова Е.С.
2
Гафийчук В.В.
2
Якушева Н.А.
2
Журавлев К.С.
2
Засавицкий И.И.
2
Соколова З.Н.
2
Грузинцев А.Н.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Казанский А.Г.
2
Каваляускас А.А.
2
Ершов А.В.
2
Асрян Л.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Курбанов К.Р.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme