Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1194234
1116425
1076360
958380
822737
788164
721002
642363
765118
931142
920887
856713
855412
852494
831434
865221
886680
911589
803880
847145
794079
1001655
1013814
982820
953993
1027654
1033482
990964
952064
971416
880693
765042
580740
432310
311704
148387
83673
16143
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
52
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
41
Эффект Холла в p-GaAs<Mn>
41
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
41
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
40
К теории эффекта Холла в сетке инверсионных каналов
38
Распределение импульса неравновесных носителей заряда в варизонном полупроводнике при произвольных уровнях возбуждения
38
Механизм низкотемпературного стимулированного излучения света в твердых растворах AIIBVI
38
Электронная температура в режиме квантового эффекта Холла
38
Зеленая люминесценция CdS в поле барьера Шоттки
38
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
38
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
38
Идентификация пространственной локализации пограничных состояний в экспериментах по термостимулированному разряду МДП конденсатора
38
Исследование туннелирования электронов в МОП структурах в области перехода от трапецеидального барьера к треугольному
37
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
37
Оптические свойства двойных дефектов в GaAs : Cr
37
Исследование электронных свойств полупроводникового соединения Sb2Se3 в области фазового перехода кристалл--расплав (включая жидкую фазу)
37
Исследование зонных параметров твердых растворов AlxGa1-xAs по спектрам поглощения в квантующих магнитных полях
37
Исследование влияния фторирования и хлорирования на электронную структуру a-Si : H
37
Термическая энергия ионизации мелких доноров и акцепторов в кристаллах CdTe
37
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3362
Именной указатель
2912
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
2896
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2822
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2769
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2752
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2736
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2696
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2694
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2676
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2675
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2673
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2668
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2662
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2649
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2640
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2608
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2601
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2597
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2592
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2588
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2581
Предметный указатель
2581
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2580
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2561
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2554
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2549
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2538
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2531
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2527
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2524
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2523
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2517
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2516
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2514
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2511
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2496
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2496
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2491
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2489
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2488
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2481
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2479
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2477
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2476
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2475
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2474
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2474
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2473
Плотность состояний двумерного электронного газа в одномерной сверхрешетке
2468
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Левин Е.И.
2
Малевич В.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Ундалов Ю.К.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Стусь Н.М.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Агринская Н.В.
2
Якимов Е.Б.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Диамант В.М.
2
Моздор Е.В.
2
Сердега Б.К.
2
Брук А.С.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Энтин М.В.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Фукс Б.И.
2
Вейнгер А.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Куликов Г.С.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Чипенко Г.В.
2
Бородина О.М.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme