Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1267621
1178494
1134348
1012428
865242
830687
759058
675915
803161
974467
966447
899923
897103
891561
870855
903613
926521
954202
842627
887565
831395
1046315
1060394
1030804
995804
1079396
1085585
1044333
999410
1029639
935269
818915
626986
474260
349697
171676
103376
28103
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Фототермический эффект в полупроводнике в поле переменной деформации
33
Структура квазидвумерных подзон в кейновских полупроводниках (на примере Hg1-xCdxTe разных состава и легирования)
31
Концентрация и подвижность электронов в InP и In0.53Ga0.47As, легированных редкоземельными элементами
31
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
31
О влиянии деформации на электростатический потенциал областей разупорядочения в полупроводниках
30
Методика лазерного катодопоглощения
30
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
29
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
29
Неравновесные состояния, индуцированные ИК подсветкой в сплавах Pb1-xSnxTe(In) (x~0.22) с различным содержанием индия
29
Поведение глубоких центров в ядерно легированном арсениде галлия
28
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
28
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
28
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
28
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
27
Скорость поверхностной рекомбинации в поликристаллических слоях селенида свинца
27
Размерное квантование дырок и особенности экситонных спектров в квантовой яме конечной глубины
27
Двумерный электронный газ в пространственно неоднородной потенциальной яме
27
К определению характерных длин собирания фототока в поверхностно-барьерных структурах на основе аморфного гидрированного кремния
27
Влияние магнитного поля на вольтамперные характеристики плавных p+-n-гетероструктур из AlxGa1-xAs
26
Аннотации депонированных статей
26
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3526
Именной указатель
3082
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3045
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
2961
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
2936
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2902
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2886
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2859
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2850
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2846
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2841
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2837
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2824
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2813
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2801
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2791
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2782
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2781
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2773
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2766
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2748
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2745
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2737
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2732
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2729
Предметный указатель
2729
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2720
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2697
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2686
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2684
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2684
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2673
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2666
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2665
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2665
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2665
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2662
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2659
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2656
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2650
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2649
Свойства автосолитонов в "плотной" электронно-дырочной плазме
2646
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2641
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2641
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2639
Определение концентраций остаточных примесей в легированных слабо компенсированных полупроводниках
2638
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2637
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2632
Возбуждение акустической волны в n-InSb отражающимся СВЧ электромагнитным излучением
2629
Особенности образования радиационных дефектов в кремнии, легированном германием
2627
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Уткин-Эдин Д.П.
2
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Каряев В.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Савченко А.П.
2
Левин Е.И.
2
Антоненко В.И.
2
Ивченко Е.Л.
2
Кочерешко В.П.
2
Литовский Р.Н.
2
Коробов О.Е.
2
Лупачева А.Н.
2
Антонова И.В.
2
Чихрай Е.В.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Арешев И.П.
2
Субашиев В.К.
2
Фараджев Б.Г.
2
Мартисов М.Ю.
2
Ундалов Ю.К.
2
Дьяконова Н.В.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Цмоць В.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Шахлевич Л.Н.
2
Гуцев Г.Л.
2
Пинскер Т.Н.
2
Дахно А.Н.
2
Емельяненко О.В.
2
Старосельцева С.П.
2
Никоноров В.В.
2
Чернобровцева М.Д.
2
Стусь Н.М.
2
Талалакин Г.Н.
2
Калинушкин В.П.
2
Мурина Т.М.
2
Мурин Л.И.
2
Маркевич В.П.
2
Сейсян Р.П.
2
Малозовский Ю.М.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сарбей О.Г.
2
Ковалюк З.Д.
2
Агринская Н.В.
2
Константинова Н.Н.
2
Марков А.В.
2
Федосов А.В.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Моздор Е.В.
2
Горфинкель В.Б.
2
Разов Е.Н.
2
Щербаков Е.А.
2
Говорков А.В.
2
Пышная Н.Б.
2
Урсаки В.В.
2
Косяченко Л.А.
2
Махний В.П.
2
Россин В.В.
2
Горбовицкий Б.М.
2
Мусихин С.Ф.
2
Горбенко Н.В.
2
Шейнкман М.К.
2
Бекимбетов Р.Н.
2
Голубев Л.В.
2
Новиков С.В.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Стариков М.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Константинов О.В.
2
Гришина С.П.
2
Ковальчук И.А.
2
Кернер Б.С.
2
Куликов Г.С.
2
Токранов В.Е.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Толстобров М.Г.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Торишний В.И.
2
Чипенко Г.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Бобрикова О.В.
2
Герасименко Н.Н.
2
Стась В.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme