Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1298148
1205351
1160320
1037141
886407
850046
775597
691360
821602
1000466
993543
927015
922510
916320
895420
928370
950557
980481
866470
912636
854460
1074837
1088298
1063335
1024053
1107834
1114209
1073722
1024195
1058093
961690
844841
649444
493684
366644
181320
111077
34746
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
91

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1988 год:
Статья
Просмотров
Природа примесных состояний, образуемых переходными металлами (железом и европием) в аморфном гидрированном кремнии
36
Эффект остаточной ЭДС при СВЧ пробое арсенида индия
33
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
32
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
31
Высокочастотная проводимость неоднородных полупроводников в классически сильном магнитном поле
30
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
29
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
29
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
29
Инфранизкочастотные автоколебания тока в поликристаллическом кремнии
27
Исследование процесса разупорядочения кремния при ионной имплантации Ar+
27
Динамика пробоя мелких акцепторов в германии в сильных электрических полях
27
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
26
Ограничение времени жизни сферическими дефектами структуры в фоточувствительных полупроводниках
26
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
26
Электронная проводимость расплавов кремния и германия
25
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
25
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
25
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
24
Захват и рекомбинация неравновесных носителей в структурах с квантовыми ямами
24
Исследование влияния глубоких уровней на микроплазменный пробой p-n-переходов
24
Статья
Просмотров
Экспериментальное исследование эффекта Холла кремния вблизи температуры плавления в твердой и жидкой фазах
3580
Именной указатель
3136
Рефракция света в полупроводниках О б з о р
3116
Об аномальной температурной зависимости амплитуды квантовых осцилляций магнитосопротивления в квазидвумерных системах
3027
Молекулярно-пучковая эпитаксия гетероструктур на основе соединений AIIIBV О б з о р
3024
Смещение электронных оболочек фосфора в полупроводниковых структурах на основе кремния
2974
Спиновое расщепление зон и спиновая релаксация носителей в кубических кристаллах AIIIBV О б з о р
2950
Квадрупольное уширение спектральных линий водородоподобных примесей в слабо легированных компенсированных полупроводниках
2949
Формирование областей скопления радиационных дефектов в дислокационном кремнии
2947
Спектральные характеристики светодиодов Au-ZnS
2937
Борис Тимофеевич Коломиец (к 80-летию со дня рождения)
2906
Антиструктурные дефекты в соединениях AIIIBV О б з о р
2897
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Марганец и железо в арсениде галлия
2881
Ионизация примесных центров в узкозонных полупроводниках переменным электрическим полем
2875
Рекомбинационные и компенсирующие дефекты в n-Si при облучении одиночными импульсами электронов большой интенсивности
2873
О вкладе различных типов носителей тока в явления переноса в p-InSb
2872
Влияние примесных дырок на диэлектрическую проницаемость бесщелевых полупроводников
2871
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя в карбид-кремниевых p-n-переходах
2861
Трансмутационное легирование арсенида галлия при облучении протонами и альфа-частицами
2858
Квантовый размерный эффект в узкощелевых и бесщелевых полупроводниках
2850
Особенности энергетического спектра электронов вблизи поверхности полупроводника с отрицательным электронным сродством
2844
Механизм прохождения прямого тока в электролюминесцентных диодах Au-ZnS
2834
Транзисторы на горячих электронах О б з о р
2829
Влияние разогрева носителей на токи утечки в ДГС InGaAsP/InP
2780
Переходный ток, ограниченный объемным зарядом, в недообедненных структурах с блокирующими контактами
2779
Влияние энергии возбуждения на температурное гашение фотопроводимости в аморфном гидрогенизированном кремнии
2778
Влияние температуры и гидростатического давления на междузонный ток туннельных диодов GaAs
2771
ИК спектроскопические исследования взаимодействия фосфора с радиационными дефектами в кремнии при облучении электронами
2771
Предметный указатель
2771
О формировании барьера Шоттки--Мотта на контактах металл--халькогенидный стеклообразный полупроводник
2754
Энергия и ширина примесного уровня вблизи гетерограницы
2754
Исследование однородности легирования и влияния легирующей примеси фосфора на электрофизические параметры тонких пленок аморфного гидрированного кремния
2751
Магнитное вымораживание дырок в одноосно деформированном p-InSb
2749
Частотная дисперсия электропроводности неупорядоченного поликристаллического полупроводника в сильном переменном электрическом поле
2748
О глубоких центрах фотолюминесценции в легированных ХСП и a-Si : H
2742
Высота барьера Шоттки Au-GaAs1-xSbx
2738
Гетероваризонный GaAlAs-фотоэлемент --- спектральный аналог глаза I. Модель
2735
Релаксационная спектроскопия границ раздела полупроводник--диэлектрик при авто- и термоавтоэмиссионном опустошении пограничных состояний
2732
Исследование термоградиентного магнитоконцентрационного эффекта в неоднородном магнитном поле
2722
Механизмы излучательной рекомбинации в сильно легированном компенсированном арсениде галлия
2717
Переход металл--диэлектрик в кристаллах антимонида индия, легированных марганцем
2715
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
2711
Циклотрон-фононный резонанс в двумерном электронном газе
2710
Спектры фоточувствительности контакта I-III-VI2-электролит
2705
О резонансном рассеянии электронов в полупроводниках, легированных редкоземельными элементами
2703
Влияние изовалентных примесей на структуру и свойства аморфного кремния
2702
Влияние флуктуаций состава твердых растворов на подвижность двумерного электронного газа в полупроводниковых гетероструктурах
2700
Контакт алюминия с фоточувствительной пленкой сульфида свинца
2699
Перестройка радиационных дефектов в Si, стимулированная атомарным водородом
2699
Квантово-размерные AlGaAs/GaAs-гетероструктуры со 100%-м квантовым выходом излучательной рекомбинации, полученные методом молекулярно-пучковой эпитаксии
2697
Автор
Организация
Статей
Шик А.Я.
8
Ждан А.Г.
7
Царенков Б.В.
7
Полянская Т.А.
7
Омельяновский Э.М.
7
Малютенко В.К.
6
Андреев В.М.
6
Шаховцов В.И.
6
Тигиняну И.М.
5
Еремин В.К.
5
Гарбузов Д.З.
5
Георгобиани А.Н.
5
Савельев И.Г.
5
Архипов В.И.
4
Шмарцев Ю.В.
4
Ломако В.М.
4
Рут О.Э.
4
Лагунова Т.С.
4
Цидильковский И.М.
4
Емцев В.В.
4
Болотов В.В.
4
Левинштейн М.Е.
4
Сыркин А.Л.
4
Строкан Н.Б.
4
Брандт Н.Б.
4
Рудь Ю.В.
4
Таиров М.А.
4
Копьев П.С.
4
Руденко А.И.
4
Гельмонт Б.Л.
4
Иванов-Омский В.И.
4
Мезрин О.А.
4
Мильвидский М.Г.
4
Эфрос Ал.Л.
4
Глазов В.М.
4
Баранский П.И.
4
Поляков А.Я.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Лебедев А.А.
3
Челноков В.Е.
3
Уральцев И.Н.
3
Яковлев Д.Р.
3
Харченко В.А.
3
Освенский В.Б.
3
Васильев А.В.
3
Михнович В.В.
3
Мукашев Б.Н.
3
Воронина Т.И.
3
Красильник З.Ф.
3
Мастеров В.Ф.
3
Гавриленко В.И.
3
Козуб В.И.
3
Веденеев А.С.
3
Лончаков А.Т.
3
Матвеев Г.А.
3
Стучинский В.А.
3
Грехов А.М.
3
Витовский Н.А.
3
Машовец Т.В.
3
Вейс А.Н.
3
Аникин М.М.
3
Попов И.В.
3
Растегаев В.П.
3
Резников Б.И.
3
Царенков Г.В.
3
Кульбачинский В.А.
3
Рыльков В.В.
3
Бразис Р.С.
3
Криворотов Н.П.
3
Скипетров Е.П.
3
Дубков В.П.
3
Королев В.Л.
3
Сидоров В.Г.
3
Колин Н.Г.
3
Регель А.Р.
3
Серегин П.П.
3
Мездрогина М.М.
3
Насрединов Ф.С.
3
Литовченко В.Г.
3
Балагуров Л.А.
3
Рузин И.М.
3
Толстихин В.И.
3
Картавых А.В.
3
Кайданов В.И.
3
Немов С.А.
3
Абдурахманов К.П.
3
Алфёров Ж.И.
3
Жигулин С.Н.
3
Стругов Н.А.
3
Халфин В.Б.
3
Осипов В.В.
3
Крещук А.М.
3
Сайдашев И.И.
3
Пека Г.П.
3
Смоляр А.Н.
3
Шимулите Е.А.
3
Сальков Е.А.
3
Хохлов А.Ф.
3
Пахомов А.В.
3
Шиндич В.Л.
3
Лугаков П.Ф.
3
Аблова М.С.
2
Абдуманапов У.Ж.
2
Марущак В.А.
2
Титков А.Н.
2
Семенов Ю.Г.
2
Козырев С.В.
2
Мармур И.Я.
2
Оксман Я.А.
2
Никитенко В.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Савченко А.П.
2
Пулеметов Д.А.
2
Малевич В.Л.
2
Артемьев В.А.
2
Кочерешко В.П.
2
Гермогенов В.П.
2
Позолотин В.А.
2
Соколов В.Н.
2
Литовский Р.Н.
2
Канцлерис Ж.
2
Гальперин Ю.М.
2
Дабагян А.В.
2
Левит А.Д.
2
Хайбуллин И.Б.
2
Ярошецкий И.Д.
2
Двуреченский А.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Пономаренко В.П.
2
Стафеев В.И.
2
Добровинский Ю.М.
2
Германенко А.В.
2
Миньков Г.М.
2
Стельмах Н.М.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гродненский И.М.
2
Никоноров В.В.
2
Баженов Н.Л.
2
Воронкова Г.И.
2
Манассон В.А.
2
Комиссаров Г.П.
2
Румянцев Е.Л.
2
Гуткин А.А.
2
Доропей В.Н.
2
Полоскин Д.С.
2
Андрушко А.И.
2
Салихов Х.М.
2
Слободчиков С.В.
2
Шовкун Д.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Стамкулов А.А.
2
Таурбаев Т.И.
2
Якимов Е.Б.
2
Марков А.В.
2
Тимощук В.С.
2
Диамант В.М.
2
Сердега Б.К.
2
Жук Б.В.
2
Зленко А.А.
2
Прохоров А.М.
2
Брук А.С.
2
Жадько И.П.
2
Кучерук А.Д.
2
Романов В.А.
2
Сысоев Б.И.
2
Антюшин В.Ф.
2
Гусейнов З.З.
2
Жиляев Ю.В.
2
Россин В.В.
2
Бакуева Л.Г.
2
Ильин В.И.
2
Энтин М.В.
2
Додин Е.П.
2
Голубев Л.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Юрченко В.Б.
2
Лисица М.П.
2
Стариков М.Н.
2
Райх М.Э.
2
Шкловский Б.И.
2
Пищалко В.Д.
2
Гафийчук В.В.
2
Засавицкий И.И.
2
Заяц А.В.
2
Генкин Г.М.
2
Окомельков А.В.
2
Фараджов А.И.
2
Берман Л.С.
2
Ременюк А.Д.
2
Казанский А.Г.
2
Теруков Е.И.
2
Павлов Д.А.
2
Ершов А.В.
2
Глазман Л.И.
2
Кустов В.Е.
2
Трипачко Н.А.
2
Кузнецов В.И.
2
Курбанов К.Р.
2
Зарифьянц Ю.А.
2
Герасименко Н.Н.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme