Вышедшие номера
Свойства гетероструктурного фототранзистора с тонкой базой
Жук Б.В., Зленко А.А., Прохоров А.М., Разов Е.Н., Щербаков Е.А.
Выставление онлайн: 19 сентября 1988 г.

Рассмотрены свойства гетероструктурного фототранзистора (ГФТ) с тонкой базой (10/20 нм). Показано, что при работе такого ГФТ происходит локализация протекания тока вблизи освещенной области на приемной площадке ГФТ. Измерения отношения сигнал-шум показали, что ГФТ превосходит кремниевый лавинный фотодиод по величине отношения сигнал-шум на выходе.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.