Теоретически и экспериментально исследован термоградиентный магнитоконцентрационный эффект в полупроводниках с близкой к собственной проводимостью в неоднородном магнитном поле. Показано, что при определенных величинах противоположно направленных градиентов температуры и магнитного поля изменение сопротивления полупроводникового образца с одинаковыми скоростями поверхностной рекомбинации равно нулю (имеется точка компенсации). При этом распределение неравновесной концентрации носителей заряда по толщине образца с предельно большими скоростями поверхностной рекомбинации похоже на синусоиду. Установлено, что для собственного полупроводника с предельно большими скоростями поверхностной рекомбинации в точке компенсации имеется простая связь между относительной неоднородностью магнитного поля, разностью температур рабочих поверхностей полупроводника и его единственным параметром - шириной запрещенной зоны. Получено согласие экспериментальных данных с теоретическим расчетом.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.