Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1349492
1253090
1205588
1077528
920804
881701
804377
717574
850893
1033528
1026757
960881
954029
947731
926899
959874
981686
1016281
896192
945046
884305
1110686
1122001
1101873
1062399
1143077
1155518
1109734
1068682
1105712
1004720
886768
685444
525855
395980
199278
124616
45621
2248
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
28
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
24
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
23
Взаимодействие кислорода с дефектами решетки и примесными атомами в кремнии
23
Туннельные состояния в аморфном кремнии
22
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
22
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
22
Проводящая зона в условиях структурного беспорядка
22
Оптическое поглощение и люминесценция твердых растворов (SiC)1-x(AlN)x
21
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
21
Вертикальный транспорт и фотолюминесценция в сверхрешетках
20
Влияние случайных полей на спектр ЭПР акцепторов MnGa в p-GaAs
20
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
20
Неустойчивость тока в кремнии, компенсированном марганцем, связанная с рекомбинационными волнами
19
Поверхностная подвижность электронов в МПД структурах из CdxHg1-xTe p-типа
19
Стационарная и разрешенная во времени фотолюминесценция монокристаллов фосфида кадмия
19
Расчеты вероятностей излучательных переходов и времен жизни в квантово-размерных структурах
19
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
19
Гашение экситонной люминесценции в результате ударной ионизации и механизмы релаксации электронов в сульфиде кадмия
19
Фотолюминесценция p-InAs<Mn>
19
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3313
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3198
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
3129
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
3091
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
3046
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2933
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2897
Новые книги по полупроводникам
2893
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2893
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2882
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2879
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2868
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2868
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2865
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2859
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2841
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2841
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2835
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2834
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2831
Именной указатель
2830
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2828
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2828
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2826
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2823
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2821
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2816
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2815
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2807
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2805
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2785
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2782
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
2777
Диффузия ванадия в кремнии
2771
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2769
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2766
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2762
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2762
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
2759
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2759
Новые книги по полупроводникам
2756
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2756
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2753
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2753
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2752
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2744
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
2743
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2742
Влияние глубоких уровней на свойства нелегированного PbTe
2736
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al0.3Ga0.7As, изготовленных МОС гидридным методом
2736
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Якушева Н.А.
2
Гавалешко Н.П.
2
Агринская Н.В.
2
Терехов В.А.
2
Мороз С.Е.
2
Шмелев Г.М.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Вертелецкий П.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Аброян И.А.
2
Хохлов Д.Р.
2
Чесноков С.Н.
2
Никорич А.В.
2
Рябова Л.И.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Каплан Б.И.
2
Коллюх А.Г.
2
Стук А.А.
2
Алексеев М.А.
2
Велецкас Д.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Поплавной А.С.
2
Константинов О.В.
2
Сабликов В.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Баранов А.Н.
2
Вирт И.С.
2
Рагуотис Р.
2
Барановский С.Д.
2
Шикторов П.Н.
2
Сулейменов Т.
2
Мисюра И.В.
2
Качлишвили З.С.
2
Бродовой А.В.
2
Лашкарев Г.В.
2
Манассон В.А.
2
Регель А.Р.
2
Насрединов Ф.С.
2
Некрасов В.Ю.
2
Трухин В.Н.
2
Прокофьева Л.В.
2
Радауцан С.И.
2
Пека Г.П.
2
Токалин О.А.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Гинзбург Л.П.
2
Иванюкович В.А.
2
Карась В.И.
2
Брунков П.Н.
2
Шепекина Г.В.
2
Кондратьева О.Г.
2
Неустроев Л.Н.
2
Холоднов В.А.
2
Степанцова И.В.
2
Аникин М.М.
2
Евстропов В.В.
2
Попов И.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Кропотов Г.И.
2
Азимов Г.К.
2
Кияк С.Г.
2
Бобылев Б.А.
2
Караваев Г.Ф.
2
Неизвестный И.Г.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Беляков Л.В.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Захарова А.А.
2
Кольцов Г.И.
2
Безлюдный С.В.
2
Курова И.А.
2
Лупачева А.Н.
2
Фоломин П.И.
2
Грехов А.М.
2
Карзанов В.В.
2
Демидов Е.С.
2
Васильев А.Э.
2
Касаткин В.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тишкин М.В.
2
Гаськов А.М.
2
Мищук О.Н.
2
Ходжаев М.Д.
2
Байрамов М.А.
2
Веденеев А.С.
2
Ждан А.Г.
2
Васильев А.М.
2
Кулешин В.А.
2
Мокрушин А.Д.
2
Карпович И.А.
2
Бедный Б.И.
2
Райчев О.Э.
2
Царенков Б.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Шейнкман М.К.
2
Дугаев В.К.
2
Петров П.П.
2
Таиров Ю.М.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme