Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1383190
1282591
1233069
1102962
940007
902900
822922
736618
871128
1056017
1047701
983079
977984
972423
947441
983654
1003450
1035172
912830
965425
903399
1132665
1144412
1124599
1082055
1168783
1182449
1132666
1093931
1137327
1040166
919068
709159
545626
412689
209625
133482
52817
4818
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
34

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении p-Si
37
Новые книги по полупроводникам
32
Gamma X-перенос в реальном пространстве: вклад рассеяния на междолинных фононах
31
Влияние никеля на кинетику образования и отжига термических центров в кремнии
30
Спиновое эхо в системе свободных электронов полупроводника
30
Перестройка спектра излучения светодиода магнитным полем
29
Амфотерные свойства германия в GaAs : Bi
29
Дисперсионный транспорт в материалах с немонотонным энергетическим распределением локализованных состояний
29
Отрицательная дифференциальная фотопроводимость. Эффект ИК гашения фотопроводимости
28
Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного n-Si
28
Диффузионная длина дырок в селениде цинка
28
Влияние состава на электронную структуру аморфного AsxSe1-x
27
Электронно-механический резонанс на глубоких центрах в p+-p0-pi-n0-структурах арсенида галлия
27
Люминесценция арсенида галлия с участием пар атомов переходных металлов и мелких примесей
27
Одноосно деформированный p-HgMnTe с varepsilong>0: гальваномагнитные эффекты, энергетический спектр
27
Многофотонное поглощение компоненты бихроматической волны в полупроводнике в скрещенных электрическом и магнитном полях
27
Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe
27
Именной указатель
27
Предметный указатель
27
Новые книги по полупроводникам
27
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3379
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3292
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
3199
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
3162
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
3113
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
3002
Новые книги по полупроводникам
2969
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2969
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2949
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2946
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2941
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2935
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2929
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2927
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2927
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2909
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2906
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2902
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2898
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2895
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2893
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2892
Именной указатель
2891
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2891
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2887
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2886
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2884
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2868
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2866
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2856
Диффузия ванадия в кремнии
2856
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
2854
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2852
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2838
Новые книги по полупроводникам
2836
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2832
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
2831
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2827
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2826
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2820
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
2819
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2817
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2816
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2813
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
2812
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2811
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2810
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al0.3Ga0.7As, изготовленных МОС гидридным методом
2809
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2802
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2802
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Якушева Н.А.
2
Гавалешко Н.П.
2
Агринская Н.В.
2
Терехов В.А.
2
Мороз С.Е.
2
Шмелев Г.М.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Вертелецкий П.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Аброян И.А.
2
Хохлов Д.Р.
2
Чесноков С.Н.
2
Никорич А.В.
2
Рябова Л.И.
2
Широкова Н.А.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Алексеев М.А.
2
Велецкас Д.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Поплавной А.С.
2
Константинов О.В.
2
Сабликов В.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Баранов А.Н.
2
Любченко А.В.
2
Соловьев В.А.
2
Рагуотис Р.
2
Барановский С.Д.
2
Шикторов П.Н.
2
Сулейменов Т.
2
Мисюра И.В.
2
Бродовой А.В.
2
Лашкарев Г.В.
2
Манассон В.А.
2
Регель А.Р.
2
Насрединов Ф.С.
2
Некрасов В.Ю.
2
Трухин В.Н.
2
Прокофьева Л.В.
2
Радауцан С.И.
2
Пека Г.П.
2
Токалин О.А.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Гинзбург Л.П.
2
Иванюкович В.А.
2
Карась В.И.
2
Виноградова Г.И.
2
Пахаруков Ю.В.
2
Брунков П.Н.
2
Сеничкин А.П.
2
Шепекина Г.В.
2
Кондратьева О.Г.
2
Неустроев Л.Н.
2
Холоднов В.А.
2
Аникин М.М.
2
Евстропов В.В.
2
Попов И.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Галдикас А.
2
Азимов Г.К.
2
Кияк С.Г.
2
Ващенко В.А.
2
Бобылев Б.А.
2
Караваев Г.Ф.
2
Неизвестный И.Г.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Беляков Л.В.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Захарова А.А.
2
Безлюдный С.В.
2
Якименко А.Н.
2
Курова И.А.
2
Лупачева А.Н.
2
Фоломин П.И.
2
Грехов А.М.
2
Карзанов В.В.
2
Демидов Е.С.
2
Васильев А.Э.
2
Касаткин В.А.
2
Барышев Н.С.
2
Горбатюк И.Н.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тишкин М.В.
2
Тетеркин В.В.
2
Мищук О.Н.
2
Зайнабидинов С.З.
2
Ходжаев М.Д.
2
Васильев А.М.
2
Кулешин В.А.
2
Мокрушин А.Д.
2
Мохов Е.Н.
2
Свирида С.В.
2
Карпович И.А.
2
Бедный Б.И.
2
Райчев О.Э.
2
Царенков Б.В.
2
Дугаев В.К.
2
Петров П.П.
2
Таиров Ю.М.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme