Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1401541
1298493
1248060
1116176
950095
913843
833283
745526
881096
1066788
1058579
993063
988391
982570
957405
993691
1013704
1045809
922078
976431
912763
1143760
1156796
1136043
1093275
1180754
1194178
1144359
1109130
1155219
1055514
933228
720305
557684
423120
215752
138916
57281
7878
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
36

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
k· p-Параметры полупроводников, рассчитанные методом нелокального эмпирического псевдопотенциала
25
Исследование скоплений компенсирующих центров в n-Si
21
Кинетика инжекционно-стимулированного преобразования дефектов в светоизлучающих GaAs : Si-структурах
21
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
20
Влияние корреляции в распределении легирующих примесей на спектр краевой люминесценции сильно легированного арсенида галлия
20
Локализованные электронные состояния на дефектах полупроводниковой сверхрешетки
20
Собственные колебания в сверхрешетке, образованной когерентными лучами в многодолинном полупроводнике
19
Влияние ионной бомбардировки на кинетику распада твердого раствора хрома в кремнии
19
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
19
Неклассический термоинжекционный ток в карбид-кремниевых p-n-структурах
19
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
19
Проводимость сплавов Pb0.75Sn0.25Te(In) при комбинированном воздействии электрического и магнитного полей
18
Горячие носители в узкощелевых полупроводниках в сильном электрическом поле
18
Зонная структура напряженных (0001) сверхрешеток (InAs)n(GaAs)n
18
Особенности накопления рекомбинационных центров при облучении p-Si
18
Изучение локальных центров в p-GaAs, легированном медью, методами нестационарной спектроскопии глубоких уровней и фотолюминесценции
18
Экспериментальное подтверждение модели туннельных избыточных токов в p-n-переходах на антимониде индия
17
Влияние эффективного параметра рассеяния на массу плотности состояний и подвижность в твердых растворах на основе халькогенидов висмута и сурьмы
17
Расчеты вероятностей излучательных переходов и времен жизни в квантово-размерных структурах
16
Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe
16
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3415
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3322
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
3234
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
3201
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
3162
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
3051
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
3019
Новые книги по полупроводникам
3006
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2992
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2981
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2978
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2977
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2965
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2964
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2964
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2954
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2944
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2943
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2942
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2941
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2935
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2934
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2933
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2928
Именной указатель
2925
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2924
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2915
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2905
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
2901
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2900
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2895
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2893
Диффузия ванадия в кремнии
2886
Новые книги по полупроводникам
2881
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
2881
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2879
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2873
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2873
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2868
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
2866
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
2856
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2854
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2853
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2851
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2847
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2845
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2844
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2843
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al0.3Ga0.7As, изготовленных МОС гидридным методом
2840
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2832
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Каган В.Д.
2
Якушева Н.А.
2
Агринская Н.В.
2
Терентьев А.И.
2
Домашевская Э.П.
2
Терехов В.А.
2
Любин В.М.
2
Свистов А.Е.
2
Казакевич Л.А.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Куокштис Э.
2
Мизрухин Л.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Хохлов Д.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Колесников И.В.
2
Сипатов А.Ю.
2
Константинов А.О.
2
Никорич А.В.
2
Широкова Н.А.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Каплан Б.И.
2
Коллюх А.Г.
2
Макушенко Ю.М.
2
Стук А.А.
2
Вейс А.Н.
2
Царенков Г.В.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Константинов О.В.
2
Карпова И.В.
2
Сабликов В.А.
2
Корнеева Л.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Яковлев Ю.П.
2
Вирт И.С.
2
Любченко А.В.
2
Арушанов Э.К.
2
Соловьев В.А.
2
Уманский В.Е.
2
Стариков Е.В.
2
Шикторов П.Н.
2
Кузнецов В.И.
2
Качлишвили З.С.
2
Лашкарев Г.В.
2
Регель А.Р.
2
Бабенцов В.Н.
2
Горбань С.И.
2
Некрасов В.Ю.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Гинзбург Л.П.
2
Половцев И.С.
2
Виноградова Г.И.
2
Гогаладзе Д.Т.
2
Пахаруков Ю.В.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Урсаки В.В.
2
Казанин М.М.
2
Сорокина К.Л.
2
Кондратьева О.Г.
2
Степанцова И.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Шаховцова С.И.
2
Шварц М.М.
2
Кропотов Г.И.
2
Азимов Г.К.
2
Ващенко В.А.
2
Синкевич В.Ф.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Кольцов Г.И.
2
Толстихин В.И.
2
Долманов И.Н.
2
Якименко А.Н.
2
Лупачева А.Н.
2
Парамонов В.И.
2
Мусатов А.Л.
2
Арутюнян В.М.
2
Карзанов В.В.
2
Налбандян Л.В.
2
Гуткин А.А.
2
Осипов Е.Б.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тишкин М.В.
2
Тетеркин В.В.
2
Гаськов А.М.
2
Борковская О.Ю.
2
Мищук О.Н.
2
Зайнабидинов С.З.
2
Байрамов М.А.
2
Веденеев А.С.
2
Ждан А.Г.
2
Лукьянчикова Н.Б.
2
Карпович И.А.
2
Грибников З.С.
2
Райчев О.Э.
2
Гусева Н.Б.
2
Савельев В.П.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Шейнкман М.К.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme