Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1279497
1189010
1144579
1022015
873292
838170
765545
681789
810129
984388
976647
909927
906396
900495
879768
912793
935461
963863
851714
896825
839961
1056645
1070607
1041043
1005186
1089672
1095663
1054656
1008209
1041644
946069
829387
635732
482038
356547
175507
106500
30415
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Неэквивалентные состояния примеси фосфора в кристаллах CdTe
29
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
26
Влияние гидростатического давления на характеристики диодов с барьером Шоттки
25
Эффективность образования точечных дефектов в n- и p-Ge в условиях облучения при 77 и 300 K
24
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
24
Легирование слоев In0.53Ga0.47As самарием
23
Вольтамперные характеристики контактов Pd-GaAs, подвергнутых лазерному отжигу
23
Влияние амплитудной решетки на дифракционную эффективность динамических голограмм в кремнии
23
Осцилляции Шубникова-де-Гааза в PbTe(Cr)
22
Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
22
О механизме работы диодного стабилизатора тока
21
Дефектообразование в a-Si : H при дегидрогенизации и оптической деградации
21
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
21
Длина когерентности в полупроводниковой области контакта сверхпроводник-полупроводник с учетом непараболичности зоны
21
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
21
Влияние деформации на энергетический спектр валентной зоны в двумерных полупроводниковых системах
21
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
21
Теория квазибаллистического транспорта электронов в биполярном гетеротранзисторе с сильно легированной субмикронной базой
21
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al0.3Ga0.7As, изготовленных МОС гидридным методом
21
К теории вертикального ЛСР фоторезистора
21
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3138
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3035
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2947
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2898
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2896
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2783
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2764
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2758
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2747
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2739
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2731
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2721
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2713
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2710
Новые книги по полупроводникам
2708
Именной указатель
2695
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2690
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2689
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2689
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2683
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2682
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2677
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2677
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2674
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2671
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2670
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2663
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2652
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2651
Диффузия ванадия в кремнии
2643
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2643
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2628
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2623
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2621
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2618
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2617
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2617
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2616
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2612
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2608
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2604
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2603
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
2602
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2598
Численный расчет профилей радиационно-стимулированной диффузии примесей для случая быстрого термического отжига
2597
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
2597
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2597
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
2595
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2595
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
2593
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Гавалешко Н.П.
2
Казакевич Л.А.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Куокштис Э.
2
Вертелецкий П.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Хохлов Д.Р.
2
Чесноков С.Н.
2
Ясковец И.И.
2
Колесников И.В.
2
Сипатов А.Ю.
2
Константинов А.О.
2
Никорич А.В.
2
Каплан Б.И.
2
Коллюх А.Г.
2
Стук А.А.
2
Алексеев М.А.
2
Велецкас Д.
2
Вейс А.Н.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Константинов О.В.
2
Сабликов В.А.
2
Корнеева Л.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Баранов А.Н.
2
Вирт И.С.
2
Арушанов Э.К.
2
Рагуотис Р.
2
Барановский С.Д.
2
Стариков Е.В.
2
Шикторов П.Н.
2
Сулейменов Т.
2
Мисюра И.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Качлишвили З.С.
2
Бродовой А.В.
2
Лашкарев Г.В.
2
Манассон В.А.
2
Регель А.Р.
2
Насрединов Ф.С.
2
Бабенцов В.Н.
2
Горбань С.И.
2
Некрасов В.Ю.
2
Трухин В.Н.
2
Прокофьева Л.В.
2
Радауцан С.И.
2
Пека Г.П.
2
Токалин О.А.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Иванюкович В.А.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Шепекина Г.В.
2
Казанин М.М.
2
Сорокина К.Л.
2
Кондратьева О.Г.
2
Неустроев Л.Н.
2
Холоднов В.А.
2
Степанцова И.В.
2
Аникин М.М.
2
Евстропов В.В.
2
Попов И.В.
2
Кропотов Г.И.
2
Азимов Г.К.
2
Кияк С.Г.
2
Бобылев Б.А.
2
Караваев Г.Ф.
2
Захарова А.А.
2
Кольцов Г.И.
2
Толстихин В.И.
2
Безлюдный С.В.
2
Курова И.А.
2
Парамонов В.И.
2
Фоломин П.И.
2
Мусатов А.Л.
2
Грехов А.М.
2
Арутюнян В.М.
2
Васильев А.Э.
2
Касаткин В.А.
2
Осипов Е.Б.
2
Барышев Н.С.
2
Горбатюк И.Н.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тишкин М.В.
2
Гаськов А.М.
2
Борковская О.Ю.
2
Мищук О.Н.
2
Ходжаев М.Д.
2
Байрамов М.А.
2
Веденеев А.С.
2
Ждан А.Г.
2
Васильев А.М.
2
Лукьянчикова Н.Б.
2
Кулешин В.А.
2
Мокрушин А.Д.
2
Мохов Е.Н.
2
Райчев О.Э.
2
Царенков Б.В.
2
Гусева Н.Б.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Шейнкман М.К.
2
Дугаев В.К.
2
Петров П.П.
2
Таиров Ю.М.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme