Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10999
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
43
Распределение количества просмотров по годам:
1132169
1058659
1021368
908657
782211
747849
685629
609681
728765
893954
883881
820503
820573
819393
798548
832143
853932
876738
772788
814159
764027
964677
977219
944768
917131
981878
992860
945790
914741
925372
834871
720869
541766
397930
278790
126446
64921
6375
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
236
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
51

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
62
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
60
Выпрямление переменного тока и генерация четных гармоник однородными полупроводниками с антисимметричной монотонной ВАХ
59
Модель объемного шума 1/f в полупроводниках
58
Фотолюминесценция сверхрешеток PbS-EuS
58
Новый тип осцилляции кинетических коэффициентов в квантовых структурах
57
Теория формирования эмиссионного потока Gamma-электронов из полупроводника с отрицательным электронным сродством
56
"Тонкая" структура края поглощения кристаллов теллурида кадмия
56
Акустическая регистрация удержания фотовозбужденной невырожденной электронно-дырочной плазмы вблизи поверхности германия
54
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
54
О возможной природе остаточных глубоких центров в фосфиде индия
52
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
51
Исследование скоплений компенсирующих центров в n-Si
51
Комплексообразование водорода с акцепторными и донорными примесями в кремнии
51
Новые книги по полупроводникам
50
Время жизни неравновесных дырок в диодах на основе SiC
50
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
50
Определение приповерхностного изгиба зон по кинетике барьерно-ловушечной фотоэдс
49
Собственные колебания в сверхрешетке, образованной когерентными лучами в многодолинном полупроводнике
49
Прыжковая генерация носителей заряда в истощенных слоях полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний
48
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
2801
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
2734
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2622
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2613
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2566
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2513
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2491
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2489
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2480
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2475
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2475
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2456
Именной указатель
2442
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2442
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2432
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2418
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2402
Новые книги по полупроводникам
2402
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2401
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2399
Диффузия ванадия в кремнии
2390
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2389
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2389
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2387
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2383
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2383
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2380
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2377
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2376
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2370
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2362
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2361
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2359
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
2356
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2349
Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии
2348
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных арсенид-галлиевых p+-nu-pi-n+-структур
2345
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
2344
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2338
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2332
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2332
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2331
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2327
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2326
Емкостная модуляционная спектроскопия глубоких уровней в полупроводниках
2324
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2323
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2316
Переменная валентность в твердом растворе Pb1-xSnxSe (x=0.15), легированном натрием
2313
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
2311
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
2310
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Гавалешко Н.П.
2
Мороз С.Е.
2
Шмелев Г.М.
2
Казакевич Л.А.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Куокштис Э.
2
Вертелецкий П.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Аброян И.А.
2
Хохлов Д.Р.
2
Чесноков С.Н.
2
Ясковец И.И.
2
Сипатов А.Ю.
2
Константинов А.О.
2
Никорич А.В.
2
Каплан Б.И.
2
Коллюх А.Г.
2
Стук А.А.
2
Алексеев М.А.
2
Велецкас Д.
2
Вейс А.Н.
2
Резников Б.И.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Константинов О.В.
2
Сабликов В.А.
2
Корнеева Л.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Баранов А.Н.
2
Вирт И.С.
2
Арушанов Э.К.
2
Соловьев В.А.
2
Уманский В.Е.
2
Рагуотис Р.
2
Барановский С.Д.
2
Стариков Е.В.
2
Шикторов П.Н.
2
Сулейменов Т.
2
Мисюра И.В.
2
Кузнецов В.И.
2
Качлишвили З.С.
2
Бродовой А.В.
2
Лашкарев Г.В.
2
Манассон В.А.
2
Регель А.Р.
2
Бабенцов В.Н.
2
Горбань С.И.
2
Некрасов В.Ю.
2
Трухин В.Н.
2
Радауцан С.И.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Иванюкович В.А.
2
Карась В.И.
2
Половцев И.С.
2
Виноградова Г.И.
2
Гогаладзе Д.Т.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Урсаки В.В.
2
Сорокина К.Л.
2
Кондратьева О.Г.
2
Неустроев Л.Н.
2
Степанцова И.В.
2
Аникин М.М.
2
Евстропов В.В.
2
Попов И.В.
2
Кропотов Г.И.
2
Азимов Г.К.
2
Кияк С.Г.
2
Ващенко В.А.
2
Синкевич В.Ф.
2
Бобылев Б.А.
2
Неизвестный И.Г.
2
Беляков Л.В.
2
Кольцов Г.И.
2
Якименко А.Н.
2
Курова И.А.
2
Парамонов В.И.
2
Фоломин П.И.
2
Грехов А.М.
2
Арутюнян В.М.
2
Васильев А.Э.
2
Осипов Е.Б.
2
Горбатюк И.Н.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тишкин М.В.
2
Тетеркин В.В.
2
Гаськов А.М.
2
Борковская О.Ю.
2
Мищук О.Н.
2
Зайнабидинов С.З.
2
Байрамов М.А.
2
Веденеев А.С.
2
Ждан А.Г.
2
Васильев А.М.
2
Лукьянчикова Н.Б.
2
Райчев О.Э.
2
Царенков Б.В.
2
Гусева Н.Б.
2
Савельев В.П.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Шейнкман М.К.
2
Дугаев В.К.
2
Петров П.П.
2
Таиров Ю.М.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme