Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11090
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
36
Распределение количества просмотров по годам:
1410430
1306117
1255353
1122974
955825
918934
838280
750220
886245
1072476
1064447
998946
993776
987979
962849
999182
1019402
1051472
928130
982306
917528
1149673
1162632
1141570
1098882
1186837
1200377
1150520
1115605
1163036
1062786
939928
725566
563471
428814
219073
141786
59445
9255
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
218
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
42

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
О рекомбинационных волнах в условиях эксклюзии
24
Структура компенсирующих центров в облученном нейтронами n-германии
22
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
22
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
22
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
21
Новые книги по полупроводникам
21
Дислокационная проводимость восстановленного рутила
21
Кластерный расчет деформационных зарядов дефектов в кремнии
20
Рекомбинация носителей заряда на дислокациях и радиационных дефектах в p-Si
20
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
20
Нелинейности вольтамперной характеристики монокристалла теллура в условиях электротемпературного эффекта
20
Влияние германия на образование термодоноров в монокристаллах кремния
20
Особенности образования рекомбинационных центров при облучении бездислокационного n-Si
20
К вопросу о пограничных состояниях в резких гетеропереходах
20
Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe
20
k· p-Параметры полупроводников, рассчитанные методом нелокального эмпирического псевдопотенциала
20
К теории плазменных волн в слоистых структурах
20
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
20
Зонная структура напряженных (0001) сверхрешеток (InAs)n(GaAs)n
19
Возможные квантовые особенности одномерного баллистического транспорта в полупроводниковых структурах
19
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3432
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3337
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
3252
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
3221
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
3174
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
3071
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
3044
Новые книги по полупроводникам
3027
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
3007
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2999
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2996
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2993
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2984
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2982
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2980
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2976
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2967
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2966
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2957
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2954
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2953
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2952
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2951
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2948
Именной указатель
2942
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2941
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2936
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2924
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2923
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
2918
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2909
Новые книги по полупроводникам
2907
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2906
Диффузия ванадия в кремнии
2900
Магнитная восприимчивость полупроводников в жидком состоянии О б з о р
2899
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2899
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2893
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2891
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2891
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
2884
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
2877
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2876
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2871
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2870
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2868
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2860
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2858
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2857
Кинетика фотоотклика и спектры Q-DLTS гетероструктур с изолирующим слоем Al0.3Ga0.7As, изготовленных МОС гидридным методом
2857
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2848
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Якушева Н.А.
2
Гавалешко Н.П.
2
Агринская Н.В.
2
Терехов В.А.
2
Мороз С.Е.
2
Шмелев Г.М.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Вертелецкий П.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Аброян И.А.
2
Хохлов Д.Р.
2
Чесноков С.Н.
2
Никорич А.В.
2
Рябова Л.И.
2
Широкова Н.А.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Каплан Б.И.
2
Коллюх А.Г.
2
Стук А.А.
2
Алексеев М.А.
2
Велецкас Д.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Поплавной А.С.
2
Константинов О.В.
2
Сабликов В.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Баранов А.Н.
2
Вирт И.С.
2
Соловьев В.А.
2
Уманский В.Е.
2
Рагуотис Р.
2
Барановский С.Д.
2
Шикторов П.Н.
2
Сулейменов Т.
2
Мисюра И.В.
2
Качлишвили З.С.
2
Бродовой А.В.
2
Лашкарев Г.В.
2
Манассон В.А.
2
Регель А.Р.
2
Некрасов В.Ю.
2
Радауцан С.И.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Гинзбург Л.П.
2
Иванюкович В.А.
2
Карась В.И.
2
Половцев И.С.
2
Виноградова Г.И.
2
Гогаладзе Д.Т.
2
Пахаруков Ю.В.
2
Брунков П.Н.
2
Урсаки В.В.
2
Кондратьева О.Г.
2
Неустроев Л.Н.
2
Степанцова И.В.
2
Аникин М.М.
2
Евстропов В.В.
2
Попов И.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Кропотов Г.И.
2
Азимов Г.К.
2
Кияк С.Г.
2
Ващенко В.А.
2
Синкевич В.Ф.
2
Бобылев Б.А.
2
Неизвестный И.Г.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Беляков Л.В.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Кольцов Г.И.
2
Якименко А.Н.
2
Курова И.А.
2
Лупачева А.Н.
2
Фоломин П.И.
2
Грехов А.М.
2
Карзанов В.В.
2
Демидов Е.С.
2
Васильев А.Э.
2
Горбатюк И.Н.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тишкин М.В.
2
Тетеркин В.В.
2
Гаськов А.М.
2
Мищук О.Н.
2
Зайнабидинов С.З.
2
Байрамов М.А.
2
Веденеев А.С.
2
Ждан А.Г.
2
Васильев А.М.
2
Карпович И.А.
2
Бедный Б.И.
2
Райчев О.Э.
2
Царенков Б.В.
2
Савельев В.П.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Шейнкман М.К.
2
Дугаев В.К.
2
Петров П.П.
2
Таиров Ю.М.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme