Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1316831
1222259
1176712
1051929
899096
861459
786266
700487
831995
1012999
1006161
940121
934823
928786
907533
940467
962483
994137
878069
925455
865742
1088746
1101813
1079681
1040395
1121998
1128995
1087882
1041868
1075247
977993
860417
663279
505547
377868
188060
116272
37989
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
87
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Новые книги по полупроводникам
31
Механизм компенсации в многослойных структурах на основе нелегированного GaAs, выращенных из раствора-расплава в Ga
31
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
28
Исследование флуктуаций удельного сопротивления в gamma-легированном кремнии
27
Взаимодействие кислорода с дефектами решетки и примесными атомами в кремнии
27
Новые книги по полупроводникам
27
Перестройка спектра излучения светодиода магнитным полем
27
Фотомагнитная ЭДС в Ge, возбуждаемая поляризованным светом
26
Влияние состава на электронную структуру аморфного AsxSe1-x
26
Нейтрализация мелких примесей в кремнии светом из области фундаментального поглощения
26
Люминесценция арсенида галлия с участием пар атомов переходных металлов и мелких примесей
26
AgGa --- новй ян-теллеровский акцептор в GaAs
26
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
26
Влияние интеркаляции литием на положение уровня Ферми и концентрацию свободных носителей заряда в теллуриде висмута
26
Асимметрия тепловыделения и термоэдс в полупроводниковых микроконтактах
26
Получение МОС гидридным методом при пониженном давлении и фотолюминесцентные исследования GaAs/AlGaAs квантово-размерных структур
26
О возможной природе остаточных глубоких центров в фосфиде индия
25
Диффузионная длина дырок в селениде цинка
25
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
25
О фотостимулированном продольном магнитосопротивлении полупроводников
25
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3236
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3133
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
3057
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
3010
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2977
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2853
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2826
Новые книги по полупроводникам
2822
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2819
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2812
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2801
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2797
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2794
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2786
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2782
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2781
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2774
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2769
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2763
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2761
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2760
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2759
Именной указатель
2757
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2753
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2749
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2749
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2747
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2747
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2739
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2718
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2712
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2709
Диффузия ванадия в кремнии
2709
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2698
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2697
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2694
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2692
Поверхностное рассеяние носителей заряда в инверсионных n-каналах Si-МОП структур
2691
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
2690
Влияние зарядовых состояний вакансий на накопление дивакансий в кремнии при электронном облучении
2690
Новые книги по полупроводникам
2688
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2684
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2684
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2683
Влияние глубоких уровней на свойства нелегированного PbTe
2681
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2677
Квантово-размерные эффекты в фотолюминесценции сверхрешеток на основе халькогенидов свинца
2674
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2673
Численный расчет профилей радиационно-стимулированной диффузии примесей для случая быстрого термического отжига
2672
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2672
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Каган В.Д.
2
Якушева Н.А.
2
Агринская Н.В.
2
Терентьев А.И.
2
Домашевская Э.П.
2
Терехов В.А.
2
Любин В.М.
2
Свистов А.Е.
2
Казакевич Л.А.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Куокштис Э.
2
Мизрухин Л.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Хохлов Д.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Колесников И.В.
2
Сипатов А.Ю.
2
Константинов А.О.
2
Никорич А.В.
2
Широкова Н.А.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Макушенко Ю.М.
2
Стук А.А.
2
Вейс А.Н.
2
Царенков Г.В.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Константинов О.В.
2
Карпова И.В.
2
Сабликов В.А.
2
Корнеева Л.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Яковлев Ю.П.
2
Любченко А.В.
2
Арушанов Э.К.
2
Соловьев В.А.
2
Уманский В.Е.
2
Стариков Е.В.
2
Шикторов П.Н.
2
Кузнецов В.И.
2
Качлишвили З.С.
2
Бабенцов В.Н.
2
Горбань С.И.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Гинзбург Л.П.
2
Половцев И.С.
2
Виноградова Г.И.
2
Гогаладзе Д.Т.
2
Пахаруков Ю.В.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Сеничкин А.П.
2
Урсаки В.В.
2
Казанин М.М.
2
Сорокина К.Л.
2
Кондратьева О.Г.
2
Холоднов В.А.
2
Степанцова И.В.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Галдикас А.
2
Шаховцова С.И.
2
Шварц М.М.
2
Кропотов Г.И.
2
Азимов Г.К.
2
Ващенко В.А.
2
Синкевич В.Ф.
2
Караваев Г.Ф.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Захарова А.А.
2
Кольцов Г.И.
2
Толстихин В.И.
2
Долманов И.Н.
2
Якименко А.Н.
2
Лупачева А.Н.
2
Парамонов В.И.
2
Мусатов А.Л.
2
Арутюнян В.М.
2
Карзанов В.В.
2
Налбандян Л.В.
2
Касаткин В.А.
2
Гуткин А.А.
2
Осипов Е.Б.
2
Барышев Н.С.
2
Тишкин М.В.
2
Тетеркин В.В.
2
Гаськов А.М.
2
Борковская О.Ю.
2
Мищук О.Н.
2
Зайнабидинов С.З.
2
Байрамов М.А.
2
Веденеев А.С.
2
Лукьянчикова Н.Б.
2
Кулешин В.А.
2
Мокрушин А.Д.
2
Мохов Е.Н.
2
Свирида С.В.
2
Карпович И.А.
2
Грибников З.С.
2
Гусева Н.Б.
2
Савельев В.П.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme