Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11053
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
97
Распределение количества просмотров по годам:
1262805
1173908
1130066
1008479
862120
827509
756251
673518
800411
970847
962189
895741
893354
887873
867380
899781
922884
950100
838864
883587
827489
1041964
1055640
1025999
992067
1075481
1081512
1039947
995503
1024541
929725
813791
622747
470495
346100
169796
101744
27372
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
460
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
88

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1989 год:
Статья
Просмотров
Вольтамперные характеристики контактов Pd-GaAs, подвергнутых лазерному отжигу
28
Одноосно деформированный p-HgMnTe с varepsilong>0: гальваномагнитные эффекты, энергетический спектр
27
Бистабильные дефекты в GaAs, выращенном методом жидкофазной эпитаксии
25
Переходы с участием размерно-квантованных подзон в спектре фотолюминесценции delta-легированного GaAs
24
Вертикальный транспорт и фотолюминесценция в сверхрешетках
23
Длина когерентности в полупроводниковой области контакта сверхпроводник-полупроводник с учетом непараболичности зоны
23
Об оптимизации концентрации носителей в полупроводниковых термоэлементах
22
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
22
Влияние хода уровня Ферми на расчет туннельно-рекомбинационного тока в гетеропереходе
22
Край оптического поглощения и деформации эпитаксиальных слоев In0.53Ga0.47As
22
Исследование спектров примесного поглощения a-Si1-xCx : H методом фотоакустической спектроскопии
21
Прыжковая генерация носителей заряда в истощенных слоях полупроводников с непрерывным спектром локализованных состояний
21
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
21
Об использовании кремниевых структур типа М-П-М в методе емкостной спектроскопии глубоких уровней
21
Влияние легирования расплава-раствора гадолинием и алюминием на электрические и люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaSb
21
Аномалии низкотемпературной проводимости канала с 2D-электронами гетероструктуры n-AlxGa1-xAs/GaAs
21
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
20
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
20
Влияние упругих напряжений, создаваемых компонентами пар Френкеля, на энергетический спектр дефектов в полупроводниках IV группы
20
Межузельные состояния примесей переходных металлов в кремнии III. Теория растворимости
20
Статья
Просмотров
Две модели туннельной излучательной рекомбинации в неупорядоченных полупроводниках
3079
Исследование температурной зависимости скорости звука и сжимаемости в расплавленном кремнии
3002
Влияние быстроосциллирующего движения электронов в сильном магнитном поле или в высокочастотном электрическом поле на ударную ионизацию
2903
Твердофазное легирование кремния под действием непрерывного излучения CO2-лазера
2869
Квантовые поправки к проводимости в полупроводниках с двумерным и трехмерным электронным газом. Эксперимент О б з о р
2858
Температурная зависимость формы линии фототермической ионизации примесей в слабо легированном слабо компенсированном полупроводнике
2751
Оже-рекомбинация в сильно легированном германии
2736
Напряжение лавинного пробоя p-n-переходов на основе Si, Ge, SiC, GaAs, GaP и InP при комнатной температуре
2720
Барьерная фотопроводимость в эпитаксиальных пленках GaAs и InP
2714
О природе радиационных дефектов в n-кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
2705
"Оптическая откачка" спинов носителей заряда стимулированной люминесценцией
2697
Однородный лавинный пробой в кремниевых диодах
2691
Влияние конечной ширины зоны проводимости на ионизацию примесных центров в условиях воздействия сильных внешних полей
2685
Именной указатель
2670
Новые книги по полупроводникам
2670
Спин-поляризованный расчет электронной структуры примесей переходных элементов в полупроводниках. Хром в арсениде и фосфиде галлия
2661
Исследование центров фоточувствительности в инжекционных слоях CdSe
2658
Фотолюминесценция в пленках a-Si1-xCx : H и a-Si1-xNx : H
2654
Влияние примеси бора на дрейф вакансий в областях пространственного заряда диодов Шоттки Al-p-Si
2649
Токовая деградация гетероструктур на основе a-Si : H
2647
Спектроскопическое определение степени компенсации и концентрации примесей в высокочистом GaAs
2645
Механизм туннельной термостимулированной релаксации тока
2640
Фиолетовый SiC-4C-светодиод
2639
Умножение фотовозбужденных носителей заряда при ударной ионизации примесных атомов в полупроводниках
2635
Энергетический спектр многозарядных примесных центров в кубических полупроводниках
2632
Спектроскопия горячей фотолюминесценции в полупроводниках О б з о р
2628
Резонансные состояния в монокристаллах РbТе<Тl>, выращенных методом Чохральского
2625
Температурная зависимость напряжения лавинного пробоя p-n-переходов с глубокими уровнями Режим релаксационной задержки пробоя
2621
Деформация поверхности полупроводника при локальном освещении
2619
"Моттовское" плато на вольтъемкостной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом
2613
Диффузия ванадия в кремнии
2610
Определение электрофизических параметров тонких гетероэпитаксиальных слоев в растровом электронном микроскопе (эксперимент)
2602
Имплантация азота в кремний при 700-1100oC
2599
Влияние температуры на эффективность аннигиляции первичных радиационных дефектов в высокоомном кремнии при gamma-облучении
2592
Емкостные характеристики барьера на границе Ме-ХСП
2589
Светоизлучающие приборы с длиной волны 520/550 нм на основе Ga1-xAlxP
2580
Высокотемпературная пластическая деформация и электрофизические свойства эпитаксиальных структур арсенида галлия
2579
Поведение меди в процессе распада ее пересыщенного твердого раствора в германии
2575
Отрицательное дифференциальное сопротивление при охлаждении электронов в неоднородно легированном полупроводнике
2571
Чувствительность гетероструктур Ge-GaAs к освещению в области вакуумного ультрафиолета
2571
Электропроводность и эффект Холла узкощелевых полупроводников PbSe<Mn> и P0.78Sn0.22Se<Mn>
2570
Электрические и фотоэлектрические свойства пленок стеклообразного сульфида мышьяка, фототермолегированного цинком
2568
Численный расчет профилей радиационно-стимулированной диффузии примесей для случая быстрого термического отжига
2565
Энергетический спектр носителей, описываемых моделью Дирака, в квантовой яме
2565
Определение рекомбинационных параметров тонкобазных фотоэлектрических преобразователей на основе анализа световой вольтамперной характеристики
2563
Фотоэлектрическое усиление лавинных гетероструктур с тонким широкозонным слоем
2562
Влияние глубоких уровней на свойства нелегированного PbTe
2560
Влияние кислорода и углерода на поведение марганца в n-Si
2560
Позитронная диагностика дефектов в карбиде кремния, облученном нейтронами
2560
Влияние термообработки на люминесцентные свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных Sn или Te
2559
Автор
Организация
Статей
Ломако В.М.
6
Чалдышев В.В.
6
Витовский Н.А.
6
Копьев П.С.
6
Шаховцов В.И.
5
Сальков Е.А.
5
Омельяновский Э.М.
5
Осипов В.В.
5
Рудь Ю.В.
5
Шкловский Б.И.
5
Гуревич Ю.Г.
5
Шмарцев Ю.В.
5
Ярошецкий И.Д.
5
Поляков А.Я.
5
Фистуль В.И.
5
Устинов В.М.
5
Машовец Т.В.
5
Мастеров В.Ф.
5
Акимов Б.А.
4
Сейсян Р.П.
4
Балтрамеюнас Р.
4
Таиров М.А.
4
Малютенко В.К.
4
Лугаков П.Ф.
4
Антонова И.В.
4
Шаймеев С.С.
4
Конников С.Г.
4
Соболев Н.А.
4
Козуб В.И.
4
Кучеренко И.В.
4
Глазов В.М.
4
Гредескул Т.С.
4
Быковский В.А.
4
Ломасов В.Н.
4
Надточий М.Ю.
4
Лебедев А.А.
4
Андреев В.М.
3
Кольченко Т.И.
3
Шмугуров В.А.
3
Абдуллаев М.А.
3
Кохановский С.И.
3
Мильвидский М.Г.
3
Сизов Ф.Ф.
3
Пихтин А.Н.
3
Медведкин Г.А.
3
Владимиров В.В.
3
Аскеров И.М.
3
Михнович В.В.
3
Васильев А.В.
3
Панов В.И.
3
Коршунов Ф.П.
3
Баграев Н.Т.
3
Соловьева Е.В.
3
Степанова М.Н.
3
Пахомов А.В.
3
Кадушкин В.И.
3
Денисов А.А.
3
Тигиняну И.М.
3
Мездрогина М.М.
3
Каширская Л.М.
3
Кюрегян А.С.
3
Дьяконова Н.В.
3
Левинштейн М.Е.
3
Ким С.Г.
3
Гельмонт Б.Л.
3
Голубев В.Г.
3
Иванов-Омский В.И.
3
Машкевич О.Л.
3
Крючков С.В.
3
Горячев Д.Н.
3
Рыжий В.И.
3
Мазур Е.А.
3
Руденко А.И.
3
Колесников Н.В.
3
Ковалев А.Н.
3
Голикова О.А.
3
Аверкиев Н.С.
3
Симашкевич А.В.
3
Дмитрук Н.Л.
3
Берман Л.С.
3
Ткаченко В.Н.
3
Павлов П.В.
3
Гирка А.И.
3
Шишкин А.В.
3
Германенко А.В.
3
Миньков Г.М.
3
Румянцев Е.Л.
3
Рут О.Э.
3
Коваленко В.Ф.
3
Емцев В.В.
3
Абдурахманов К.П.
3
Витман Р.Ф.
3
Штельмах К.Ф.
3
Каган В.Д.
2
Якушева Н.А.
2
Агринская Н.В.
2
Терентьев А.И.
2
Домашевская Э.П.
2
Терехов В.А.
2
Любин В.М.
2
Свистов А.Е.
2
Казакевич Л.А.
2
Филиппов И.М.
2
Тимченко И.Н.
2
Куокштис Э.
2
Мизрухин Л.В.
2
Разбегаев В.Н.
2
Хохлов Д.Р.
2
Ясковец И.И.
2
Колесников И.В.
2
Сипатов А.Ю.
2
Константинов А.О.
2
Никорич А.В.
2
Широкова Н.А.
2
Гуцев Г.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Макушенко Ю.М.
2
Вейс А.Н.
2
Царенков Г.В.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Константинов О.В.
2
Карпова И.В.
2
Сабликов В.А.
2
Корнеева Л.А.
2
Гершензон Е.М.
2
Яковлев Ю.П.
2
Любченко А.В.
2
Арушанов Э.К.
2
Соловьев В.А.
2
Уманский В.Е.
2
Стариков Е.В.
2
Шикторов П.Н.
2
Кузнецов В.И.
2
Регель А.Р.
2
Насрединов Ф.С.
2
Бабенцов В.Н.
2
Горбань С.И.
2
Некрасов В.Ю.
2
Трухин В.Н.
2
Прокофьева Л.В.
2
Пека Г.П.
2
Токалин О.А.
2
Еремин В.К.
2
Строкан Н.Б.
2
Гинзбург Л.П.
2
Виноградова Г.И.
2
Пахаруков Ю.В.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Сеничкин А.П.
2
Шепекина Г.В.
2
Казанин М.М.
2
Сорокина К.Л.
2
Кондратьева О.Г.
2
Неустроев Л.Н.
2
Холоднов В.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Сыркин А.Л.
2
Галдикас А.
2
Шаховцова С.И.
2
Шварц М.М.
2
Азимов Г.К.
2
Ващенко В.А.
2
Караваев Г.Ф.
2
Супрун С.П.
2
Шумский В.Н.
2
Румянцев Б.Л.
2
Сресели О.М.
2
Стыс Л.Е.
2
Захарова А.А.
2
Толстихин В.И.
2
Долманов И.Н.
2
Безлюдный С.В.
2
Якименко А.Н.
2
Лупачева А.Н.
2
Парамонов В.И.
2
Мусатов А.Л.
2
Арутюнян В.М.
2
Карзанов В.В.
2
Налбандян Л.В.
2
Касаткин В.А.
2
Гуткин А.А.
2
Осипов Е.Б.
2
Барышев Н.С.
2
Ковалюк З.Д.
2
Тишкин М.В.
2
Тетеркин В.В.
2
Борковская О.Ю.
2
Мищук О.Н.
2
Зайнабидинов С.З.
2
Ходжаев М.Д.
2
Лукьянчикова Н.Б.
2
Кулешин В.А.
2
Мокрушин А.Д.
2
Мохов Е.Н.
2
Свирида С.В.
2
Карпович И.А.
2
Грибников З.С.
2
Райчев О.Э.
2
Гусева Н.Б.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme