"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Исследование спектров примесного поглощения a-Si1-xCx : H методом фотоакустической спектроскопии
Балагуров Л.А., Карпова Н.Ю., Омельяновский Э.М., Сизов В.Е.
Выставление онлайн: 19 марта 1989 г.

Исследовались спектры оптического поглощения alpha(homega) в примесной области a-Si1-xCx : H при изменении значения x от 0 до 0.4, измеренные методом фотоакустической спектроскопии. Созданная установка позволяет определять значения alpha от 1 до 103 см-1 при толщинах пленок ~1 мкм. Получена линейная зависимость оптической энергии активации (Ec-Et) электрона с D0-зарядового состояния D-центров от состава сплава. Совместный анализ alpha(homega) в примесной области для всех образцов и полученной методом ЭПР зависимости плотности D0-центров (Ns) от состава позволил сделать вывод об уменьшении матричного элемента перехода для этих центров в a-Si1-xCx : Н при увеличении x.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.