Калюжный Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Минтаиров С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
5
Крыжановская Н.В.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Жуков А.Е.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
4
Якушев М.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
4
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Надточий А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Максимов М.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Козлов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3
Комков О.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
Преображенский В.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Путято М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Игнатьев И.В.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Варавин В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Махов И.С.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
3
Кондратов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Салий Р.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
3
Журавлев К.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Козловский В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
3
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Кулагина М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Фоминых Н.А.
Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Бабичев А.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Богданов С.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Комаров С.Д.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
2
Дроздов М.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Радищев Д.Б.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
2
Дашков А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Горай Л.И.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Автономная некоммерческая организация высшего образования Университет при межпарламентской ассамблее ЕврАзЭС", Санкт-Петербург, Россия
2
Костромин Н.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
2
Буравлёв А.Д.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет при Межпарламентской Ассамблее ЕврАзЭС, Санкт-Петербург, Россия
2
Кочаровская Е.Р.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Кириленко Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Степихова М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Дьяков С.А.
Сколковский институт науки и технологий, Москва, Россия
2
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Алешкин В.Я.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Жолудев М.С.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Юнин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Цыпленков В.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Шастин В.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Планкина С.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Нежданов А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Снигирев Л.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Янцер А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Глуховской Е.Г.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Вячеславова Е.А.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Илькив И.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Кукушкин С.А.
Институт проблем машиноведения РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яговкина М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Вербин С.Ю.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шарофидинов Ш.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Стрыгин И.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Марчишин И.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Andre R.
Universite Grenoble Alpes, CNRS, Institut Neel, Grenoble, France
2
Мухин И.С.
Санкт-Петербургский национально-исследовательский академический университет им. Ж.И. Алферова РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Козловский А.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Стецюра С.В.
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
2
Ружевич М.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Мынбаев К.Д.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Багаев Т.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
2
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Ризаев А.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Пивоварова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Куницына Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Здоровейщев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
2
Алексеев П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Левинштейн М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Шерняков Ю.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Бекман А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Моисеев Э.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Борздов А.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Василевский Ю.Г.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Пашковский А.Б.
АО "НПП "Исток" им. Шокина", Фрязино, Московская обл., Россия
1
Хвостиков В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Закгейм А.Л.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Карандашев С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Климов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лапшина О.А.
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Козырев А.А.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Саратовский национальный исследовательский государственный университет им. Н.Г. Чернышевского, Саратов, Россия
ООО "НПП "Инжект", Саратов, Россия
1
Ташметов М.Ю.
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Махкамов Ш.М.
Институт ядерной физики АН Узбекистана, Ташкент, Узбекистан
1
Сидоров Ю.Г.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Сидоров Г.Ю.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Филонов А.Б.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Мигас Д.Б.
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Суханов М.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Алмаев Д.А.
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Mariette H.
Institut Neel CNRS, Grenoble, France
Japanese-French laboratory for Semiconductor Physics and Technology J-F AST, CNRS, Universite Grenoble Alpes, University of Tsukuba, Japan
1
Кочерешко В.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Резник А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Востоков Н.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Lovshenko I.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Stempitsky V.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Беларусь
1
Шамирзаев Т.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Ермина А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Солодовченко Н.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Пригода К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Кукушкин В.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Национальный исследовательский Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Лобаев М.А.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Вихарев А.Л.
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Балакирев С.В.
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
1
Кириченко Д.В.
Южный федеральный университет, Институт нанотехнологий, электроники и приборостроения, Таганрог, Россия
1
Драгунова А.С.
Международная лаборатория квантовой оптоэлектроники, Национальный исследовательский университет "Высшая школа экономики", Санкт-Петербург, Россия
1
Соболева О.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Артёмов Е.А.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
ООО АЕМ Технолоджис", Москва, Россия
1
Оболенский С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Российский федеральный ядерный центр --- Всероссийский научно-исследовательский институт экспериментальной физики, Саров, Нижегородская обл., Россия
1
Батаев М.Н.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Панькин Д.В.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов М.Б.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Лендяшова В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Бородин Б.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Талалаев В.Г.
Martin Luther University Halle-Wittenberg, Halle, Germany
1
Шугабаев Т.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Кочаровский Вл.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Федеральный исследовательский центр Институт прикладной физики им. А.В. Гапонова-Грехова РАН, Нижний Новгород, Россия
1
Хазанова С.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Кузнецов М.С.
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
1
Корнилов Н.В.
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
1
Лупарев Н.В.
Технологический институт сверхтвердых и новых углеродных материалов, Москва, Троицк, Россия
1
Яо М.
Государственная ведущая лаборатория сверхтвердых материалов, Цзилинь университет, Чанчунь, КНР
1
Данилов Ю.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Лесников В.П.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Ковалевский К.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Астров Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лодыгин А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шуман В.Б.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Уваров О.В.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Миронов С.А.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Ильичев Н.Н.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Самарцев И.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Звонков Б.Н.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Байдусь Н.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Чигинева А.Б.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Кавеев А.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Федоров В.В.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Дворецкая Л.Н.
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Хорьков К.С.
Владимирский государственный университет им. А.Г. и Н.Г. Столетовых, Владимир, Россия
1
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Монозон Б.С.
Санкт-Петербургский государственный морской технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Федорова Т.А.
Санкт-Петербургский государственный морской технический университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Schmelcher P.
Zentrum fur Optishe Quantentechnologien, The Hamburg Centre for Ultrafast Imaging, Hamburg, Germany
1
Крючков С.В.
Волгоградский государственный социально-педагогический университет, Волгоград, Россия
Волгоградский государственный технический университет, Волгоград, Россия
1
Бауман Д.А.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Романов А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Покрышкин Н.С.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
Национальный исследовательский ядерный университет "МИФИ", Москва, Россия
1
Словиковский Б.Г.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
1
Цыранов С.Н.
Институт электрофизики Уральского отделения РАН, Екатеринбург, Россия
1
Михайлов А.В.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Курдюбов А.С.
Лаборатория оптики спина, Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Афанасьев К.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Галимов А.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лебедев Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Малевская А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пономарева И.В.
Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Князев Е.В.
Омский научный центр Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
1
Гавриков А.А.
Российский государственный педагогический университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Лунина М.Л.
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
1
Тихий А.А.
Луганский государственный педагогический университет, Луганск, Россия
1
Николаенко Ю.М.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Россия
1
Свиридова Е.А.
Донецкий физико-технический институт им. А.А. Галкина, Донецк, Россия
Донбасская национальная академия строительства и архитектуры, Макеевка, Россия
1
Крючков В.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Светогоров В.Н.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Чалков В.Ю.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Зайцев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Алябина Н.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Кудрин А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Рожлейс И.А.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
Компания "Системная интеграция", Москва, Россия
1
Санников Д.Г.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
1
Посредник О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Кадочкин А.С.
Ульяновский государственный университет, Ульяновск, Россия
1