Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Разыгрывание полярного угла рассеяния электронов на ионах примеси при моделировании процессов переноса заряда в полупроводниках методом Монте-Карло
Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55615.4425 
1Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь 
Email: borzdov@bsu.by
Поступила в редакцию: 9 декабря 2022 г.
В окончательной редакции: 27 января 2023 г.
Принята к печати: 30 января 2023 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
Рассмотрены процедуры разыгрывания полярного угла рассеяния электронов на ионах примеси в рамках моделей Брукса-Хэрринга, Конуэлл-Вайскопфа и Ридли, чаще всего используемых при моделировании процессов переноса носителей заряда в полупроводниках методом Монте-Карло. Для модели Ридли предложена более корректная процедура разыгрывания полярного угла рассеяния. На примере кремния проанализированы особенности плотностей распределения углов рассеяния, полученных в рамках рассмотренных моделей. Проведено сравнение рассчитанных многочастичным методом Монте-Карло зависимостей подвижности электронов в постоянном электрическом поле с напряженностью F=7·104 В/м в легированном кремнии при температуре 300 K с использованием этих моделей. Ключевые слова: ионизованная примесь, рассеяние электронов, метод Монте-Карло.
- В.М. Борздов, О.Г. Жевняк, Ф.Ф. Комаров, В.О. Галенчик. Моделирование методом Монте-Карло приборных структур интегральной электроники (Минск, БГУ, 2007)
- С. Jacoboni, P. Lugly. The Monte Carlo Method for Semiconductor Device Simulation (Wien--N.Y., Springer Verlag, 1989)
- С. Jacoboni, L. Reggiani. Rev. Mod. Phys., 55 (3), 645 (1983)
- В.М. Иващенко, В.В. Митин. Моделирование кинетических явлений в полупроводниках. Метод Монте-Карло (Киев, Наук. думка, 1990)
- D. Chattopadhyay, H.J. Queisser. Rev. Mod. Phys., 53 (4), 745 (1981)
- B.K. Ridley. J. Phys. C: Solid State Phys., 10, 1589 (1977)
- N.A. Poklonski, S.A. Vyrko, V.I. Yatskevich, A.A. Kocherzhenko. J. Appl. Phys., 93 (12), 9749 (2003)
- D. Pozdnyakov. J. Comput. Electron., 13, 338 (2014)
- H. Kosina. Phys. Status Solidi A, 163, 475 (1997)
- T.G. Van de Roer, F.R. Widdershoven. J. Appl. Phys., 59 (3), 813 (1986)
- Б. Ридли. Квантовые процессы в полупроводниках (М., Мир, 1986) [Пер. с англ.: B.K. Ridley. Quantum processes in semiconductors (Oxford, Clarendon Press, 1982)]
- Monte Carlo device simulation: full band and beyond, ed. by K. Hess (Boston--Dordrecht--London, Kluwer Academic Publishers, 1991) chap. 2, p. 27
- Е.С. Вентцель, Л.А. Овчаров. Прикладные задачи теории вероятностей (М., Радио и связь, 1983)
- К. Зеегер. Физика полупроводников (М., Мир, 1977) [Пер. с англ.: K. Seeger. Semiconductor physics (Wien--N.Y., Springer Verlag, 1973)]
- G. Baccarani, P. Ostoja. Solid-State Electron., 18, 579 (1975)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
