Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2023, выпуск 1 » Статья стр. 71
<<<
Структура и оптические свойства композитного метаматериала AsSb-Al0.6Ga0.4As0.97Sb0.03
DOI: 10.21883/FTP.2023.01.54933.4545
Переводная версия: 10.21883/SC.2023.01.55623.4545
Снигирев Л.А.1, Ушанов В.И.1, Иванов А.А.1, Берт Н.А.1, Кириленко Д.А.1, Яговкина М.А.1, Преображенский В.В.2, Путято М.А.2, Семягин Б.Р.2, Касаткин И.А.3, Чалдышев В.В.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
Email: chald.gvg@mail.ioffe.ru
Поступила в редакцию: 19 января 2023 г.
В окончательной редакции: 7 февраля 2023 г.
Принята к печати: 9 февраля 2023 г.
Выставление онлайн: 2 марта 2023 г.
PDF версия
Методом молекулярно-лучевой эпитаксии при низкой температуре с использованием прерываний роста успешно выращены эпитаксиальные слои AlxGa1-xAs1-ySby с содержанием алюминия x~60% и содержанием сурьмы y~3%. Путем последующего отжига в полупроводниковой матрице сформирована развитая система нановключений AsSb. Увеличенное окно прозрачности полученного метаматериала позволило надежно документировать широкую полосу поглощения света вблизи края межзонного поглощения полупроводниковой матрицы AlxGa1-xAs1-ySby. Параметры наблюдаемой полосы экстинкции позволяют связать такое поглощение света с плазмонным резонансом в системе нановключений AsSb. Ключевые слова: молекулярно-лучевая эпитаксия, рентгенодифракционный анализ, просвечивающая электронная микроскопия, оптические свойства, плазмонный резонанс.
  1. S.A. Maier. Plasmonics: Fundamentals and Applications (N. Y., Springer, 2007)
  2. D. Zhao, Y. Liu, J. Qiu, X. Liu. Adv. Photonics Res., 2, 2100003 (2021)
  3. N.A. Toropov, I.A. Gladskikh, P.V. Gladskikh, A.N. Kosarev, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.V. Chaldyshev, T.A. Vartanyan. J. Opt. Technol., 84, 459 (2017)
  4. А.Н. Косарев, В.В. Чалдышев, А.А. Кондиков, Т.А. Вартанян, Н.А. Торопов, И.А. Гладских, П.В. Гладских, И. Акимов, M. Bayer, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. Опт. и спектр., 126(5), 575 (2019) [Opt. Spectrosc., 126, 492 (2019)]
  5. M.R. Melloch, J.M. Woodall, E.S. Harmon, N. Otsuka, F.H. Pollak, D.D. Nolte, R.M. Feenstra, M.A. Lutz. Ann. Rev. Mater. Sci., 25, 547 (1995)
  6. N.A. Bert, A.I. Veinger, M.D. Vilisova, S.I. Goloshchapov, I.V. Ivonin, S.V. Kozyrev, A.E. Kunitsyn, L.G. Lavrent'eva, D.I. Lubyshev, V.V. Preobrazhenskii, B.R. Semyagin, V.V. Tret'yakov, V.V. Chaldyshev, M.P. Yakubenya. ФТТ, 35 (10), 2609 (1993) [Phys. Solid State, 35, 1289 (1993)]
  7. X. Liu, A. Prasad, J. Nishio, E.R. Weber, Z. Liliental-Weber, W. Walukiewicz. Appl. Phys. Lett., 67, 279 (1995)
  8. L.G. Lavrent'eva, M.D. Vilisova, V.V. Preobrazhenskii, V.V. Chaldyshev. Crystallogr. Rep., 47, S118 (2002)
  9. A.C. Warren, J.M. Woodall, J.L. Freeouf, D. Grischkowsky, D.T. McInturff, M.R. Melloch, N. Otsuka. Appl. Phys. Lett., 57, 1331 (1990)
  10. D.D. Nolte. J. Appl. Phys., 76, 3740 (1994).
  11. N.A. Bert, V.V. Chaldyshev, N.A. Cherkashin, V.N. Nevedomskii, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, V.I. Ushanov, M.A. Yagovkina. J. Appl. Phys., 125, 145106 (2019)
  12. П.В. Лукин, В.В. Чалдышев, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 46 (10), 1314 (2012) [Semiconductors, 46, 1291 (2012)]
  13. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, Н.Д. Ильинская, Н.М. Лебедева, М.А. Яговкина, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТТ, 56 (10), 1891 (2014) [Phys. Solid State, 56, 1952 (2014)]
  14. В.И. Ушанов, В.В. Чалдышев, Н.А. Берт, В.Н. Неведомский, Н.Д. Ильинская, Н.М. Лебедева, В.В. Преображенский, М.А. Путято, Б.Р. Семягин. ФТП, 49 (12), 1641 (2015) [Semiconductors, 49, 1587 (2015)]
  15. M.N. Chang, K.C. Hsieh, T.-E. Nee, J.-I. Chyi. J. Appl. Phys., 86, 2442 (1999)
  16. N. Cherkashin, A. Claverie, C. Bonafos, V.V. Chaldyshev, N.A. Bert, V.V. Preobrazhenskii, M.A. Putyato, B.R. Semyagin, P. Werner. J. Appl. Phys., 102, 023520 (2007)
  17. N. Bert, V. Ushanov, L. Snigirev, D. Kirilenko, V. Ulin, M. Yagovkina, V. Preobrazhenskii, M. Putyato, B. Semyagin, I. Kasatkin, V. Chaldyshev. Materials, 15, 7597 (2022)
  18. M. Cardona, D.L. Greenaway. Phys. Rev. A, 133, 1685 (1964).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme