"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Общее количество статей:
9327
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2002 год:
Статья
Просмотров
Статья
Просмотров
Автор
Организация
Статей
Устинов В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
10
Теруков Е.И.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
8
Копьев П.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
7
Александров О.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
6
Соболев Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Коньков О.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
5
Немов С.А.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Кузьменко Р.В.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Домашевская Э.П.
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
4
Иванов С.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Борисенко В.Е.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
4
Зиновьев Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Венгер Е.Ф.
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
4
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Тарасов И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Серегин Н.П.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
4
Леденцов Н.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Ковш А.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Цырлин Г.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Крыжановская Н.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А. Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
4
Богобоящий В.В.
Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
3
Антонова И.В.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Берашевич Ю.А.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
3
Болотов В.В.
Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
3
Иванов-Омский В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Захарьин А.О.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Шутов С.В.
Инcтитут физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Херсон, Украина
3
Андрианов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Некрасов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Сресели О.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Ситникова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Трапезникова И.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Боднарь И.В.
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
3
Рудь В.Ю.
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
3
Рудь Ю.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лебедев А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Николаев Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Дейбук В.Г.
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
3
Астрова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Яковлев Ю.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Голубев В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Лютецкий А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Торопов А.А.
Физико-технический инстут им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Семягин Б.Р.
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Жуков А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Семенова Е.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Порталь Ж.К.
Grenoble High Magnetic Fields Laboratory, MPI-FKF and CNRS, B.P.166, Grenoble, France
3
Сизов Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
85
Институт физики полупроводников Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
19
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
11
Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
10
Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина
10
Физический институт им. П.Н. Лебедева Российской академии наук, Москва, Россия
7
Белорусский государственный университет информатики и радиоэлектроники, Минск, Белоруссия
6
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
5
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Москва, Россия
5
Черновицкий национальный университет, Черновцы, Украина
5
Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
5
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова при Томском государственном университете, Томск, Россия
4
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
4
Кременчугский государственный политехнический университет, Кременчуг, Украина
3
Институт сенсорной микроэлектроники Сибирского отделения Российской академии наук, Омск, Россия
3
Институт физики Дагестанского научного центра Российской академии наук, Махачкала, Россия
3
Сибирский физико-технический институт при Томском государственном университете, Томск, Россия
3
Белорусский государственный университет, Минск, Белоруссия
3
Черновицкий национальный университет им. Ю. Федьковича, Черновцы, Украина
3
Московский государственный инженерно-физический институт (технический университет), Москва, Россия
3
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Воронежский государственный университет, Воронеж, Россия
2
Институт физики полупроводников, Вильнюс, Литва
2
Воронежский государственный педагогический университет, Воронеж, Россия
2
Удмуртский государственный университет, Ижевск, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия
2
Пензенский государственный университет, Пенза, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники и особо чистых материалов Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Институт физики Академии наук Азербайджана, Баку, Азербайджан
2
Научно-исследовательский институт физики Санкт-Петербургского государственного университета, Санкт-Петербург, Россия
2
Ереванский государственный университет, Ереван, Армения
2
Институт физики металлов Уральского отделения Российской академии наук, Екатеринбург, Россия
2
Институт проблем технологии микроэлектроники Российской академии наук, Черноголовка, Россия
2
Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
2
Royal Institute of Technology Department of Electronics, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
2
Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
2
Институт радиотехники и электроники Российской академии наук, Фрязино, Россия Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова (физический факультет), Москва, Россия
2
Институт проблем машиноведения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Технический университет, Тбилиси, Грузия
2
Сибирский физико-технический институт им. В.Д. Кузнецова, Томск, Россия
2
Университет Линчепинга, S-581 83 Линчепинг, Швеция
2
Люблинский технический университет, 20-618 Люблин, Польша
2
ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
2
НПО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина", Санкт-Петербург, Россия
2
Институт проблем материаловедения Национальной академии наук Украины, Черновицкое отделение, Черновцы, Украина
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
ФНПЦ НПО "Государственный институт прикладной оптики", Казань, Россия
1
Объединенный институт ядерных исследований, Дубна, Россия
1
Institute fur Physik, TU Chemnitz, Chemnitz, Germany
1