Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Исследование деформаций и дефектов кристаллической решетки, возникающих при окислении макропористого кремния
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
Поступила в редакцию: 27 февраля 2002 г.
Выставление онлайн: 20 августа 2002 г.
Исследованы закономерности деформации пластин макропористого кремния в результате высокотемпературного окисления и определены основные параметры, влияющие на их изгиб и последующую релаксацию напряжений при удалении окисла. Методами рентгеновской дифрактометрии и топографии проведены измерения радиуса кривизны и параметра решетки, выявлены области генерации дислокаций. Величина деформации кремниевой решетки составляет ~ 10-4 в окисленном макропористом кремнии и уменьшается на порядок после растворения окисла. Пластическая часть деформации сопровождается генерацией дислокаций в наиболее напряженных областях структуры, т. е. на границе между пористым слоем и подложкой в вертикальном направлении и между центральной пористой областью и кромкой в горизонтальной плоскости. Их концентрация составляет ~ 104 см-2.
- V. Lehmann, H. Foll. J. Electrochem. Soc., 137, 653 (1990)
- V. Lehmann, W. Honlein, H. Reisinger, A. Spitzer, H. Wendt, J. Willer. Thin Sol. Films, 276, 138 (1996)
- E.V. Astrova, V.B. Voronkov, I.V. Grekhov, A.N. Naschekin, A.G. Tkachenko. Phys. St. Sol. (a), 182, 145 (2000)
- V. Lehman, R. Stengl, H. Reisinger, R. Detemple, W. Theiss. Appl. Phys. Lett., 78, 589 (2001)
- В.В. Аристов, Л.Г. Шабельников, В.В. Старков, В.М. Цейтлин, С.М. Кузнецов, М.В. Григорьев. Микросистемная техника, N 8, 39 (2001)
- C.P. Beetz, R. Boerstler, J. Steinbeck, B. Lemieux, D.R. Winn. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 422, 443 (2000)
- P. Kleimann, J. Linnros, S. Peterson. Mater. Sci. Eng. B, 69--70, 29 (2000)
- F. Muller, A. Birner, J. Schilling, U. Gosele, Ch. Kettner, P. Hanggi. Porous Semiconductors --- Science and Technology [Materials of the 2nd Int. Conf., Madrid, March 2000] O-56
- U. Gruning, V. Lehmann. Appl. Phys. Lett., 68, 747 (1996)
- A. Birner, A.-P. Li, F. Muller, U. Gosele, P. Kramper, V. Sandoghdar, J. Mlynek, K. Bush, V. Lehmann. Mater. Sci. Semicond. Proc., 3, 487 (2000)
- M.A. Green, J. Zhao, A. Wang, J. Reece, M. Gal. Nature, 412, 805 (2001)
- Wai Lek NG, M.A. Lourenco, R.M. Gwilliam, S. Ledain, G. Shao, K.P. Homewood. Nature, 410, 192 (2001)
- S.M. Hu. J. Appl. Phys., 70, R53 (1991)
- Е.В. Астрова, А.Д. Ременюк, А.Г. Ткаченко, И.Л. Шульпина. Письма в ЖТФ, 26 (24), 31 (2000)
- Е.В. Астрова, В.В. Ратников, А.Д. Ременюк, А.Г. Ткаченко, И.Л. Шульпина. Письма в ЖТФ, 27 (2), 1 (2001)
- G.A. Rozgonyi, C.A. Miller. Thin Sol. Films, 31, 185 (1976)
- R.N. Kyutt, T.S. Argunova. Nuovo Cimento, 19D, 267 (1997)
- И.Л. Шульпина. Кристаллография, 37, 451 (1992)
- J.R.J. Jaccodine, W.A. Schlegel. J. Appl. Phys., 37, 2429 (1966)
- A. Halimaoui. In: Porous Silicon. Science and Technology Winter School. Les Hauches, France, Febr. 8--12, 1994, ed. by J.-C. Vial, J. Derrien (Springer Verlag, Les Editions de Physique Les Ulis, 1995) p. 34
- Н.П. Захаров, А.В. Багдасарян. Механические явления в интегральных структурах (М., Радио и связь, 1992)
- K. Barla, A. Herino, G. Bomshil. J. Appl. Phys., 59, 439 (1986)
- C.S. Rafferty, R.W. Dutton. Appl. Phys. Lett., 54, 1815 (1989)
- H. Hsueh, A.G. Evans. J. Appl. C. Phys., 54, 6672 (1983)
- G.S. Stoney. Proc. R. Soc., Ser. A, 82, 172 (1925)
- S.M. Hu. J. Appl. Phys., 67, 1092 (1990)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
