"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение изотопно-чистых слоев кремния 28Si методом газофазной эпитаксии
Годисов О.Н.1, Калитеевский А.К.1, Сафронов А.Ю.1, Королев В.И.2, Аруев П.Н.3, Бер Б.Я.3, Давыдов В.Ю.3, Забродская Н.В.3, Забродский В.В.3, Калитеевский М.А.3, Копьев П.С.3, Коварский А.П.3, Суханов В.Л.3
1ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
2НПО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 26 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методом газофазной эпитаксии выращен слой изотопно-чистого кремния 28Si с обогащением 99.96%. Вторично-ионная масс-спектроскопия и рамановские измерения показывают высокое качество полученного эпитаксиального материала.
  • W.S. Capinski, H.J. Maris, E. Bauser, I. Silier, M. Asen-Palmer, T. Ruf, M. Cardona, E. Gmelin. Appl. Phys. Lett., 71 (15), 2109 (1997)
  • T. Ruf, R.W. Henn, M. Asen-Palmer, E. Gmelin, M. Cardona, H.J. Pohl, G.G. Devyatych, P.G. Sennikov. Sol. St. Commun., 115 (5), 243 (2000).
  • M.G. Gornov, O.M. Grebennikova, Y.B. Gurov, M.A. Morokhovets, K.N. Neimark, B.P. Osipenko, V.V. Fedorov, E.S. Yurova. Instuments and Experimental Techniques, 33 (3), 554 (1990)
  • А.Н. Брыкалов, Е.И. Игнатенко, М.Л. Кожух, А.В. Литовченко, Ю.В. Марков, Ю.В. Петров. Атом. энергия, 65 (1), 558 (1988)
  • B.E. Kane. Nature, 393, 133 (1998)
  • A.A. Larionov, L.E. Fedichkin, A.A. Kokin, K.A. Valiev. Nanotechnology, 11 (4), 392 (2000)
  • О.Н. Годисов, А.К. Калитеевский, В.И. Королев, Б.Я. Бер, В.Ю. Давыдов, М.А.Калитеевский, П.С. Копьев. ФТП, 35 (8), 913 (2001)
  • H. Bracht, E.E. Haller, R. Clark-Phelps. Phys. Rev. Lett., 81 (2), 393 (1998).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.