"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Слабая антилокализация и спин-орбитальное взаимодействие в квантовой яме In0.53Ga0.47As/InP в режиме замороженной фотопроводимости
Быканов Д.Д.1, Новиков С.В.1, Полянская Т.А.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Исследовано квантовое магнитосопротивление двумерного электронного газа в слабом магнитном поле на гетерогранице In0.53Ga0.46As/InP в режиме замороженной фотопроводимости. Знакопеременный характер зависимостей магнитосопротивления от магнитного поля свидетельствует о влиянии спин-орбитального взаимодействия на проводимость квантовой ямы. Показано, что основным вкладом в величину частоты спин-орбитального рассеяния 1/tauso является механизм, определяемый встроенным на гетерогранице электрическим полем, --- линейным по волновому вектору электрона механизмом Рашбы. Полученные данные позволяют на основе существующих теорий оценить параметры спин-орбитального расщепления энергетического спектра alpha=(84± 10) Angstrem2 (по механизму Рашбы) и gamma=(73± 5) эВ·Angstrem3 (по механизму Дьяконова--Переля и Дрессельхауза).
  • N.V. Agrinskaya, V.I. Kozub, T.A. Polyanskaya. Phys. St. Sol., 218 (1), 68 (2000)
  • Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  • A.C. Beer. Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. Suppl. 4 to Solid State Physics (Academic Press, N.Y., 1963)
  • Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81 (8), 768 (1981). [Sov. Phys. JETP, 54, 411 (1981)]
  • B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Electron-Electron Interaction In Disorderd Systems, ed. by A.L. Efros, M. Pollak (North-Holland, Amsterdam, 1985) p. 1 [ Modern Problems in Condensed Matter Sciences, v. 10]
  • Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23 (1), 3 (1989) [Sov. Phys. Semicond., 23 (1), 1 (1989)]
  • A.M. Paalanen, D.C. Tsui, J.C.M. Hwang. Phys. Rev. Lett., 51 (24), 2226 (1983)
  • S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys., 44 (2), 707 (1980)
  • P.D. Dresselhaus, C.M. Papavassiliou, R.G. Wheeler, R.N. Sacks. Phys. Rev. Lett., 68 (1), 106 (1992)
  • S.V. Iordanskii, Yu.B. Lyanda--Geller, G.E. Pikus. Письма ЖЭТФ, 60 (3), 199 (1994) [JETP Lett., 60, 206 (1994)]
  • W. Knap, C. Skierbiszewski, A. Zduniak, E. Litwin--Staszewska, D. Bertho, F. Kobbi, J.L. Robert, G.E. Pikus, F.G. Pikus, S.V. Iordanskii, V. Mosser, K. Zekentes, Yu.B. Lyanda--Geller. Phys. Rev. B, 53, 3912 (1996)
  • А.И. Ларкин. Письма ЖЭТФ, 31, 239 (1980) [Sov. Phys. JETP Lett., 31, 219 (1980)]
  • Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, В.В. Мамутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарцев. ФТП. 18 (11), 1999 (1984) [Sov. Phys. Semicond., 18 (11), 1247 (1984)]
  • М.И. Дьяконов, Ю.Ю. Качоровский. ФТП, 20, 210 (1986) [Sov. Phys. Semicond., 20, 110 (1986)]
  • Yu.L. Bychkov, E.I. Rashba. J. Phys. C, 17, 6093 (1984)
  • Л.В. Голубев, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. ФТП, 22 (11), 1948 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (11), 1238 (1988)]
  • Н.А. Берт, В.В. Воробьева, М.В. Воронцова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, К.Ю. Погребицкий, И.Г. Савельев, Д.Ж. Сайфидинов, Н.П. Сошников, А.Я. Шик. ФТП, 24 (4), 653 (1990) [Sov. Phys. Semicond., 24 (4), 410 (1990)]
  • Д.Д. Быканов, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев. ФТП, 32 (9), 1100 (1998) [Semiconductors, 32 (9), 985 (1998)]
  • И.Г. Савельев, Т.А. Полянская. ФТП, 22 (10), 1818 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (10), 1150 (1988).]
  • B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitskii. J. Phys. C, 15, 7367 (1982)
  • H. Fukuyama, E. Abrahams. Phys. Rev. B, 27 (10), 5976 (1983)
  • В. Карпус. ФТП, 22 (3), 439 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (3), 268 (1988)]
  • И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, В.Д. Каган, А.М. Крещук, Т.А. Полянская и др. ФТП, 31 (11), 1357 (1997) [Semiconductors, 31 (11), 1170 (1997)]
  • D.D. Bykanov, A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel'ev. In: Proc. 24-=SUP=-th-=/SUP=- Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Jerusalem, Israel, 1999), ed. by D. Gershenson (World Scientific, 1999) CD-ROM, papers No 0219
  • T. Ando. Rev. Mod. Phys., 54 (2), 437 (1982)
  • E. Zelinski, H. Shweizer, K. Sruebel, H. Eisele, G. Weimann. J. Appl. Phys., 59 (6), 2196 (1988).
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.