Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 12 » Статья стр. 1475
<<<>>>
Слабая антилокализация и спин-орбитальное взаимодействие в квантовой яме In0.53Ga0.47As/InP в режиме замороженной фотопроводимости
Быканов Д.Д.1, Новиков С.В.1, Полянская Т.А.1, Савельев И.Г.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 10 июня 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.
PDF версия
Исследовано квантовое магнитосопротивление двумерного электронного газа в слабом магнитном поле на гетерогранице In0.53Ga0.46As/InP в режиме замороженной фотопроводимости. Знакопеременный характер зависимостей магнитосопротивления от магнитного поля свидетельствует о влиянии спин-орбитального взаимодействия на проводимость квантовой ямы. Показано, что основным вкладом в величину частоты спин-орбитального рассеяния 1/tauso является механизм, определяемый встроенным на гетерогранице электрическим полем, - линейным по волновому вектору электрона механизмом Рашбы. Полученные данные позволяют на основе существующих теорий оценить параметры спин-орбитального расщепления энергетического спектра alpha=(84± 10) Angstrem2 (по механизму Рашбы) и gamma=(73± 5) эВ·Angstrem3 (по механизму Дьяконова-Переля и Дрессельхауза).
  1. N.V. Agrinskaya, V.I. Kozub, T.A. Polyanskaya. Phys. St. Sol., 218 (1), 68 (2000)
  2. Б.И. Шкловский, А.Л. Эфрос. Электронные свойства легированных полупроводников (М., Наука, 1979)
  3. A.C. Beer. Galvanomagnetic Effects in Semiconductors. Suppl. 4 to Solid State Physics (Academic Press, N.Y., 1963)
  4. Б.Л. Альтшулер, А.Г. Аронов, А.И. Ларкин, Д.Е. Хмельницкий. ЖЭТФ, 81 (8), 768 (1981). [Sov. Phys. JETP, 54, 411 (1981)]
  5. B.L. Altshuler, A.G. Aronov. Electron-Electron Interaction In Disorderd Systems, ed. by A.L. Efros, M. Pollak (North-Holland, Amsterdam, 1985) p. 1 [ Modern Problems in Condensed Matter Sciences, v. 10]
  6. Т.А. Полянская, Ю.В. Шмарцев. ФТП, 23 (1), 3 (1989) [Sov. Phys. Semicond., 23 (1), 1 (1989)]
  7. A.M. Paalanen, D.C. Tsui, J.C.M. Hwang. Phys. Rev. Lett., 51 (24), 2226 (1983)
  8. S. Hikami, A.I. Larkin, Y. Nagaoka. Prog. Theor. Phys., 44 (2), 707 (1980)
  9. P.D. Dresselhaus, C.M. Papavassiliou, R.G. Wheeler, R.N. Sacks. Phys. Rev. Lett., 68 (1), 106 (1992)
  10. S.V. Iordanskii, Yu.B. Lyanda--Geller, G.E. Pikus. Письма ЖЭТФ, 60 (3), 199 (1994) [JETP Lett., 60, 206 (1994)]
  11. W. Knap, C. Skierbiszewski, A. Zduniak, E. Litwin--Staszewska, D. Bertho, F. Kobbi, J.L. Robert, G.E. Pikus, F.G. Pikus, S.V. Iordanskii, V. Mosser, K. Zekentes, Yu.B. Lyanda--Geller. Phys. Rev. B, 53, 3912 (1996)
  12. А.И. Ларкин. Письма ЖЭТФ, 31, 239 (1980) [Sov. Phys. JETP Lett., 31, 219 (1980)]
  13. Ж.И. Алфёров, А.Т. Гореленок, В.В. Мамутин, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, Ю.В. Шмарцев. ФТП. 18 (11), 1999 (1984) [Sov. Phys. Semicond., 18 (11), 1247 (1984)]
  14. М.И. Дьяконов, Ю.Ю. Качоровский. ФТП, 20, 210 (1986) [Sov. Phys. Semicond., 20, 110 (1986)]
  15. Yu.L. Bychkov, E.I. Rashba. J. Phys. C, 17, 6093 (1984)
  16. Л.В. Голубев, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев, И.И. Сайдашев. ФТП, 22 (11), 1948 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (11), 1238 (1988)]
  17. Н.А. Берт, В.В. Воробьева, М.В. Воронцова, А.М. Крещук, С.В. Новиков, К.Ю. Погребицкий, И.Г. Савельев, Д.Ж. Сайфидинов, Н.П. Сошников, А.Я. Шик. ФТП, 24 (4), 653 (1990) [Sov. Phys. Semicond., 24 (4), 410 (1990)]
  18. Д.Д. Быканов, А.М. Крещук, С.В. Новиков, Т.А. Полянская, И.Г. Савельев. ФТП, 32 (9), 1100 (1998) [Semiconductors, 32 (9), 985 (1998)]
  19. И.Г. Савельев, Т.А. Полянская. ФТП, 22 (10), 1818 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (10), 1150 (1988).]
  20. B.L. Altshuler, A.G. Aronov, D.E. Khmelnitskii. J. Phys. C, 15, 7367 (1982)
  21. H. Fukuyama, E. Abrahams. Phys. Rev. B, 27 (10), 5976 (1983)
  22. В. Карпус. ФТП, 22 (3), 439 (1988) [Sov. Phys. Semicond., 22 (3), 268 (1988)]
  23. И.Л. Дричко, А.М. Дьяконов, В.Д. Каган, А.М. Крещук, Т.А. Полянская и др. ФТП, 31 (11), 1357 (1997) [Semiconductors, 31 (11), 1170 (1997)]
  24. D.D. Bykanov, A.M. Kreshchuk, S.V. Novikov, T.A. Polyanskaya, I.G. Savel'ev. In: Proc. 24th Int. Conf. on the Physics of Semiconductors (Jerusalem, Israel, 1999), ed. by D. Gershenson (World Scientific, 1999) CD-ROM, papers No 0219
  25. T. Ando. Rev. Mod. Phys., 54 (2), 437 (1982)
  26. E. Zelinski, H. Shweizer, K. Sruebel, H. Eisele, G. Weimann. J. Appl. Phys., 59 (6), 2196 (1988).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme