"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Годисов О.Н.1, Калитеевский А.К.1, Сафронов А.Ю.1, Королев В.И.2, Бер Б.Я.3, Давыдов В.Ю.3, Денисов Д.В.3, Калитеевский М.А.3, Копьев П.С.3, Коварский А.П.3, Устинов В.М.3, Pohl H.-J.1
1ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
2НПО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с твердотельным источником были выращены слои изотопно-чистого кремния 28Si и 30Si с обогащением 99.93 и 99.34% соответственно. Методами вторичной ионной масс-спектроскопии и рамановского рассеяния света продемонстрированы высокая изотопная чистота и кристаллическое совершенство полученных слоев.
  • T. Ruf, R.W. Henn, M. Asen-Palmer, E. Gmelin, M. Cardona, H.J. Pohl, G.G. Devyatych, P.G. Sennikov. Sol. St. Commun., 115, 243 (2000)
  • M.L. Kozhukh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 329, 453 (1993)
  • B.E. Kane. Nature, 393, 133 (1998)
  • Y. Nakabayashi, T. Segawa, H.I. Osman, K. Saito, S. Matsumoto, J. Murota, K. Wada, T. Abe. Jap. J. Appl. Phys., 39, L1133 (2000)
  • H. Bracht, E.E. Haller, R. Clark-Phelps. Phys. Rev. Lett., 81, 393 (1998)
  • A. Ural, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Appl. Phys. Lett., 73 (12), 1706 (1998)
  • О.Н. Годисов, А.К. Калитеевский, В.И. Королев, Б.Я. Бер, В.Ю. Давыдов, М.А. Калитеевский, П.С. Копьев. ФТП, 35 (8), 913 (2001)
  • A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.