"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Получение изотопно-чистых слоев кремния методом молекулярно-пучковой эпитаксии
Годисов О.Н.1, Калитеевский А.К.1, Сафронов А.Ю.1, Королев В.И.2, Бер Б.Я.3, Давыдов В.Ю.3, Денисов Д.В.3, Калитеевский М.А.3, Копьев П.С.3, Коварский А.П.3, Устинов В.М.3, Pohl H.-J.1
1ПО "Электромеханический завод", НТЦ "Центробежные технологии", Санкт-Петербург, Россия
2НПО "Радиевый институт им. В.Г. Хлопина", Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 17 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии с твердотельным источником были выращены слои изотопно-чистого кремния 28Si и 30Si с обогащением 99.93 и 99.34% соответственно. Методами вторичной ионной масс-спектроскопии и рамановского рассеяния света продемонстрированы высокая изотопная чистота и кристаллическое совершенство полученных слоев.
  1. T. Ruf, R.W. Henn, M. Asen-Palmer, E. Gmelin, M. Cardona, H.J. Pohl, G.G. Devyatych, P.G. Sennikov. Sol. St. Commun., 115, 243 (2000)
  2. M.L. Kozhukh. Nucl. Instrum. Meth. Phys. Res. A, 329, 453 (1993)
  3. B.E. Kane. Nature, 393, 133 (1998)
  4. Y. Nakabayashi, T. Segawa, H.I. Osman, K. Saito, S. Matsumoto, J. Murota, K. Wada, T. Abe. Jap. J. Appl. Phys., 39, L1133 (2000)
  5. H. Bracht, E.E. Haller, R. Clark-Phelps. Phys. Rev. Lett., 81, 393 (1998)
  6. A. Ural, P.B. Griffin, J.D. Plummer. Appl. Phys. Lett., 73 (12), 1706 (1998)
  7. О.Н. Годисов, А.К. Калитеевский, В.И. Королев, Б.Я. Бер, В.Ю. Давыдов, М.А. Калитеевский, П.С. Копьев. ФТП, 35 (8), 913 (2001)
  8. A. Ishizaka, Y. Shiraki. J. Electrochem. Soc., 133, 666 (1986)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.