Физика и техника полупроводников
Авторам
Вышедшие номера
- 2024
- 2023
- 2022
- 2021
- 2020
- 2019
- 2018
- 2017
- 2016
- 2015
- 2014
- 2013
- 2012
- 2011
- 2010
- 2009
- 2008
- 2007
- 2006
- 2005
- 2004
- 2003
- 2002
- 2001
- 2000
- 1999
- 1998
- 1997
- 1996
- 1995
- 1994
- 1993
- 1992
- 1991
- 1990
- 1989
- 1988
Расчет подвижности и термоэлектрической эффективности многослойных структур с квантовыми ямами
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия 
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный технический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 13 декабря 2001 г.
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.
Произведен расчет термоэлектрической добротности многослойных структур с квантовыми ямами с учетом изменения времени релаксации носителей по сравнению с объемным образцом. Учитывались механизмы рассеяния на акустических фононах, близкодействующем потенциале примесей и полярного рассеяния в приближении изотропного параболического закона дисперсии носителей. Использованная модель основана на предположении, что фононный спектр в сверхрешетке не отличается от объемного. Кроме того, рассеяние считается упругим и используется приближение времени релаксации для всех трех рассмотренных механизмов рассеяния. Сравнение с расчетом для объемного образца показало, что учет уменьшения времени релаксации в двумерном случае приводит к тому, что выражения для термоэлектрической добротности в обоих случаях совпадают и их величины оказываются равными, если химический потенциал в каждом из случаев выбирается из условия максимума добротности.
- L.D. Hicks, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 47, 12 727 (1993)
- L.D. Hicks, T.C. Harman, X. Sun, M.S. Dresselhaus. Phys. Rev. B, 53, 10 493 (1996)
- T.L. Reinecke, D.A. Broido. Proc. Mater. Res. Soc. Symp., 487, 161 (1997)
- D.A. Broido, T.L. Reinecke. Appl. Phys. Lett., 70, 2834 (1997)
- А.И. Ансельм. Введение в теорию полупроводников (М., Наука, 1978)
- B.K. Ridley. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 15, 5899 (1982)
- Б.А. Тавгер, В.Я. Демиховский. УФН, 96, 61 (1968)
- А.Я. Шик. ФТП, 7, 261 (1973)
- H.L. Stormer, A.C. Gossard, W. Wiegmann et al. Appl. Phys. Lett., 39, 912 (1982)
- Ю.И. Равич, Б.А. Ефимова, И.А. Смирнов. Методы исследования полупроводников в применении к халькогенидам свинца PbTe, PbSe и PbS (М., Наука, 1968). [Пер. на англ.: Yu.I. Ravich, B.A. Efimova, I.A. Smirnov. Semiconducting Lead Chalcogenides., ed. L.S. Stil'bans (Plenum Press, N.Y.--London, 1970)]
- B.K. Ridley. Rep. Prog. Phys., 54, 169 (1991)
- H. Rucker, E. Molinary, P. Lugli, Phys. Rev. B, 44, 3463 (1991)
- H. Rucker, E. Molinary, P. Lugli. Phys. Rev. B, 45, 6747 (1992)
- N.A. Zakhleniuk, C.R. Benett, N.C. Constantinov, B.K. Ridley, M. Babiker. Phys. Rev. B, 54, 17 838 (1996)
- N. Nishiguchi. Phys. Rev. B, 54, 1494 (1996)
- Ю.И. Иванов, М.В. Ведерников, Ю.И. Равич. Письма ЖЭТФ, 69, 290 (1999). [JETP Lett., 69, 317 (1999)].
- A. Balandin. Phys. Low-Dim. Structur. 1/2, 1 (2000)
- K. Hess. Appl. Phys. Lett., 35, 484 (1979)
Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.
Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.
