Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 6 » Статья стр. 662
<<<>>>
Светоизлучающие слои твердого раствора кремний--германий, легированные эрбием в процессе молекулярно-лучевой эпитаксии
Шенгуров В.Г.1, Светлов С.П.1, Чалков В.Ю.1, Андреев Б.А.2, Красильник З.Ф.2, Бэр Б.Я.3, Дроздов Ю.Н.2, Яблонский А.Н.2
1Научно-исследовательский физико-технический институт Нижегородского государственного университета, Нижний Новгород, Россия
2Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 8 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
PDF версия
Эпитаксиальные слои Si1-xGex, легированные эрбием, выращены методом сублимационной молекулярно-лучевой эпитаксии в атмосфере германа. Легирование эрбием осуществляли в процессе роста из монокристаллического Si : Er. Граница раздела Si/Si1-xGex (0.01=<q x=<q 0.09) исследована методом масс-спектрометрии вторичных ионов. Для Er и Ge наблюдались резкие границы распределения и значительное снижение их поверхностной сегрегации. Это означало, что водород выступает в роли "сурфактанта". Получены результаты по люминесцентным свойствам образцов Si/Si1-xGex, легированных эрбием.
  1. H. Ennen, G. Pomrenke, A. Axmann, K. Eisele, W. Haude, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 46, 381 (1985)
  2. J. Stimmer, A. Reittinger, G. Abstreiter, H. Holrbrecher, Ch. Buchal. Mater. Res. Soc. Symp. Proc., 422, 15 (1995)
  3. E. Neuteld, A. Sticht, A. Luigan, K. Brumer, G. Abstreiter. Appl. Phys. Lett., 73 (21), 3061 (1998)
  4. R. Serna, M. Lohmeier, P.M. Zagviin, E. Vlieg, A. Polman. Appl. Phys. Lett., 66, 1385 (1995)
  5. K. Miyashito, Y. Shiraki, D.C. Hougton, S. Fukatsu. Appl. Phys. Lett., 67 (2), 235 (1995)
  6. N. Ohtani, S. Mokler, M.H. Xie, J. Zhang, B.A. Joyce. Japan. J. Appl. Phys., 33, 2311 (1994)
  7. С.П. Светлов, В.Г. Шенгуров, В.Ю. Чалков, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, Ю.Н. Дроздов. Изв. РАН, сер. физ., 65 (2), 204 (2001)
  8. В.Г. Шенгуров, С.П. Светлов, В.Ю. Чалков, Г.А. Максимов, З.Ф. Красильник, Б.А. Андреев, М.В. Степихова, Д.В. Шенгуров, L. Palmetshofer, H. Ellmer. ФТП, 35 (8), 954 (2001)
  9. G.E. Becker, J.C. Bean. J. Appl. Phys., 48, 3395 (1997)
  10. H. Wado, T. Shimizu, M. Ishida, T. Nakamura. J. Cryst. Growth, 147, 320 (1995)
  11. R. Sauer, J. Weber, J. Stolz, E.R. Weber, K.-H. Kusters, H. Alexander. Appl. Phys. A, 36, 1 (1985)
  12. H. Przybylinska, W. Yantsch, Yu. Suprin-Belevitch, M. Stepikhova, L. Palmetshofer, G. Hendorfer, A. Kozanecki, R.J. Wilson, B.J. Sealy. Phys. Rev. B, 54, 2532 (1996)
  13. Б.А. Андреев, З.Ф. Красильник, В.П. Кузнецов, А.О. Солдаткин, М.С. Бреслер, О.Б. Гусев, И.Н. Яссиевич. ФТТ, 43 (6), 979 (2001)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme