Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

Миграция точечных дефектов в соединениях A^IVB^VI в поле лазерной волны

Пляцко С.В.¹

¹Институт физики полупроводников Национальной академии наук Украины, Киев, Украина

Поступила в редакцию: 16 июля 2001 г.

Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Представлены результаты по лазерно-стимулированному (homega<E_g) преобразованию дефектов в соединениях A^IVB^VI. Установлено увеличение скорости генерации дефектов в кристалле с ростом концентрации свободных носителей и электрического поля в электромагнитной волне лазерного излучения. Проведен анализ особенностей направленной миграции собственных и примесных дефектов при совместном воздействии лазерного излучения и внешнего электрического поля в модели, предполагающей основным источником дефектов области скопления включений, размер которых значительно меньше длины волны излучения в кристалле. Перемещение и направленная миграция индуцированных дефектов в решетке происходят в результате увлечения активированных атомов свободными носителями тока в поле лазерной волны E_L и внешнего электрического поля E_ex. Проведены оценки коэффициентов диффузии и эффективных зарядов увлечения дефектов, индуцированных лазерным излучением.

С.В. Пляцко, Ю.С. Громовой, Ф.Ф. Сизов. Квант. электрон. (Киев), 29, 93 (1985)
С.В. Пляцко, В.П. Кладько. ФТП, 31 (10), 1206 (1997)
С.В. Пляцко. ФТП, 34 (9), 1046 (2000)
Ю.С. Громовой, Л.А. Коровина, С.В. Пляцко, Ф.Ф. Сизов, С.Д. Дарчук, С.А. Белоконь. ФТП, 24 (2), 250 (1990)
N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Semicond. Sci. Technol., 3, 951 (1988)
N.N. Grigor'ev, T.A. Kudykina, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Infr. Phys., 28, 307 (1988)
Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. Mater. Lett., 8, 495 (1989)
Yu.S. Gromovoj, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov. J. Phys.: Condens. Matter, 2, 10 391 (1990)
S.D. Darchuk, G.N. Panin, S.V. Plyatsko, F.F. Sizov, E.B. Yakimov. J. Phys. Chem. Sol. 51, 1333 (1990)
С.Д. Дарчук, Т. Дитл, Л.А. Коровина, С. Колесник, М. Савицкий, Ф.Ф. Сизов. ФТП, 32, 786 (1998)
R. Breshi, A. Camanzi, V. Fano. J. Cryst. Growth, 58, 399 (1982)
A. Wocaun, J.G. Bergman, J.P. Heritage, A.M. Hass, P.F. Liao, D.H. Olson. Phys. Rev. B, 24 (2), 849 (1981)
А.А. Бендицкий, Л.В. Видута, В.И. Конов, С.М. Пименов, А.М. Прохоров, П.М. Томчук, Р.Д. Федорович, Н.И. Чаплиев, В.А. Яковлев. Препринт 291, ИОФ АН СССР (М., 1987)
В.Б. Фикс. Ионная проводимость в металлах и полупроводниках (М., Наука, 1969)
Б.И. Болтакс. Диффузия в полупроводниках (М., Физматгиз, 1961)
Дж.П. Старк. Диффузия в твердом теле (М., Энергия, 1980)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель