Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Год 2002, выпуск 6 » Статья стр. 746
<<<>>>
Фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе 4H-SiC, ионно-легированного алюминием
Виолина Г.Н.1, Калинина Е.В.2, Холуянов Г.Ф.2, Онушкин Г.А.2, Коссов В.Г.3, Яфаев Р.Р.3, Халлен А.4, Константинов А.О.5
1Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3Электрон Оптроник, Санкт-Петербург, Россия
4Royal Institute of Technology Department of Electronics, Electrum 229, SE 164 40 Kista, Sweden
5Acreo AB, Electrum 236, SE 164 40 Kista, Sweden
Поступила в редакцию: 29 ноября 2001 г.
Выставление онлайн: 20 мая 2002 г.
PDF версия
Исследованы фотоэлектрические свойства p+-n-переходов на основе ионно-легированного алюминием 4H-SiC, сформированных в слаболегированных эпитаксиальных слоях n-типа проводимости, выращенных методом газотранспортной эпитаксии. Показано, что такие фотодетекторы удачно сочетают достоинства фотоструктур, сформированных на основе барьеров Шоттки и эпитаксиальных p-n-переходов. Результаты теоретического расчета спектральных характеристик ионно-легированных фотодетекторов находятся в хорошем согласии с экспериментальными данными. Структуры обладают близкой к 100% эффективностью собирания неравновесных носителей заряда в спектральном диапазоне энергии квантов 3.5-4.25 эВ.
  1. Г.Ф. Холуянов. ФТТ, 2, 1909 (1960)
  2. Г.Н. Виолина, Г.Ф. Холуянов. РЭ, 11, 2034 (1966)
  3. P. Glosow, G. Ziegler, W. Suttrop, G. Pensl, R. Hannis. SPIE 868, Optoel. Techn. for Rem. Sens. from Space, 40 (1987)
  4. Р.Г. Веренчикова, В.Я. Санкин. Письма ЖТФ, 14 (10), 756 (1988)
  5. Е.В. Калинина, А.В. Суворов, Г.Ф. Холуянов. ФТП, 14 (6), 1099 (1980)
  6. E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, A. Zubrilov, V. Kossov, R. Yafaev, A. Kovarski, A. Hallen, A. Konstantinov, S. Karlsson, C. Adas, S. Rendakova, V.A. Dmitriev. App. Phys, Lett., 77 (19), 3051 (2000)
  7. В.С. Балландович, О.А. Омар, В.А. Попов. Известия ЛЭТИ, 250, 20 (1979)
  8. E. Kalinina, G. Kholujanov, V. Solov'ev, A. Strel'chuk, V. Kossov, R. Yafaev, A. Kovarskii, A. Shchukarev, S. Obyden, G. Saparin, P. Ivannikov, A. Hallen, A. Konstantinov. In: Proc. E-MRS Spring Meeting 2001 (Strasbourg, France, 2001) F-VI.2.
  9. А.М. Стрельчук. ФТП, 29 (7), 1190 (1995)
  10. Г.Ф. Холуянов. ФТП, 3 (5), 658 (1969)
  11. D.M. Brown, E.T. Downey, M. Ghezzo, J.W. Kretchmer, R.J. Saia, J.S. Liu, J.A. Edmond, G. Gati, J.M. Pimbley, W.E. Schneider. IEEE Trans. Electron. Dev., 40 (2), 325 (1993)
  12. J.A. Edmond, H.S. Kong, С.H. Carter, Jr. Phys. Rev. B, 185, 453 (1993)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель

© 2024 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme