"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN/InGaAs
Егоров А.Ю.1, Одноблюдов В.А.1, Крыжановская Н.В.1, Мамутин В.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены тройные гетероструктуры GaAs/GaAsN/InGaAs на подложках GaAs и исследованы их оптические свойства. Сопоставление спектров фотолюминесценции, измеренных экспериментально, с известными значениями параметров зонной диаграммы соединений (In, Ga)As, позволило оценить взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN и InGaAs/GaAsN. Показано, что гетеропереход GaAs/GaAsN является гетеропереходом I рода, а гетеропереход InxGa1-xAs/GaAsN может быть переходом I или II рода в зависимости от x.
  1. S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jap. J. Appl. Phys., 32, 4413 (1993)
  2. A. Lindsay, E.P. O'Reilly. Sol. St. Commun., 112, 443 (1999)
  3. L. Bellaiche, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 54, 17 568 (1996)
  4. G. Ji, D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
  5. А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong, C. Tu. ФТП, 9 (36), 1056 (2002)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.