"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN/InGaAs
Егоров А.Ю.1, Одноблюдов В.А.1, Крыжановская Н.В.1, Мамутин В.В.1, Устинов В.М.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 21 мая 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методом молекулярно-пучковой эпитаксии выращены тройные гетероструктуры GaAs/GaAsN/InGaAs на подложках GaAs и исследованы их оптические свойства. Сопоставление спектров фотолюминесценции, измеренных экспериментально, с известными значениями параметров зонной диаграммы соединений (In, Ga)As, позволило оценить взаимное расположение краев энергетических зон в гетероструктурах GaAs/GaAsN и InGaAs/GaAsN. Показано, что гетеропереход GaAs/GaAsN является гетеропереходом I рода, а гетеропереход InxGa1-xAs/GaAsN может быть переходом I или II рода в зависимости от x.
  • S. Sakai, Y. Ueta, Y. Terauchi. Jap. J. Appl. Phys., 32, 4413 (1993)
  • A. Lindsay, E.P. O'Reilly. Sol. St. Commun., 112, 443 (1999)
  • L. Bellaiche, S.-H. Wei, A. Zunger. Phys. Rev. B, 54, 17 568 (1996)
  • G. Ji, D. Huang, U.K. Reddy, T.S. Henderson, R. Houdre, H. Morkoc. J. Appl. Phys., 62, 3366 (1987)
  • А.Ю. Егоров, Е.С. Семенова, В.М. Устинов, Y.G. Hong, C. Tu. ФТП, 9 (36), 1056 (2002)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.