"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Глубокий уровень, образующийся в слоях GaN при облучении протонами
Соболев М.М.1, Соболев Н.А.1, Усиков А.С.1, Шмидт Н.М.1, Якименко А.Н.2, Гусинский Г.М.1, Найденов В.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методом емкостной спектроскопии исследованы параметры глубоких уровней в эпитаксиальных слоях n-GaN после облучения барьеров Шоттки протонами с энергией 1 МэВ и дозой 1012 см-2. Наблюдалось введение глубокого уровня EP1 в верхней половине запрещенной зоны с энергией активации 0.085 эВ. Образование этого дефекта зависит от напряжения смещения, приложенного к барьеру Шоттки во время облучения.
  • S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 2000)
  • H. Markoc. Springer. Ser. Mater. Sci., 32 (1999)
  • M. Lambsdorrff, J. Kohl, J. Rosenzweig, A.A. Armann, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 58, 1881 (1991)
  • V.M. Rao, W.-P. Hong, C. Caneau, G.-K. Chang, N. Papanicolaou, H.B. Dietrich. J. Appl. Phys., 70, 3943 (1991)
  • F.D. Auret, S.A. Goodman, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 74, 407 (1999)
  • Z.-Q. Fang, J.W. Hemsky, D.C. Look, M.P. Mack. Appl. Phys. Lett., 72, 448 (1998)
  • D.V. Davydov, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, N.M. Schmidt, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Mater. Sci. Forum, 353-- 356, 799 (2001)
  • F.D. Auret, S.A. Goodman, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 73, 3745 (1998)
  • D. Ponse, G.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)
  • Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

    Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.