"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Глубокий уровень, образующийся в слоях GaN при облучении протонами
Соболев М.М.1, Соболев Н.А.1, Усиков А.С.1, Шмидт Н.М.1, Якименко А.Н.2, Гусинский Г.М.1, Найденов В.О.1
1Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный политехнический университет, Санкт-Петербург, Россия
Поступила в редакцию: 16 апреля 2002 г.
Выставление онлайн: 19 ноября 2002 г.

Методом емкостной спектроскопии исследованы параметры глубоких уровней в эпитаксиальных слоях n-GaN после облучения барьеров Шоттки протонами с энергией 1 МэВ и дозой 1012 см-2. Наблюдалось введение глубокого уровня EP1 в верхней половине запрещенной зоны с энергией активации 0.085 эВ. Образование этого дефекта зависит от напряжения смещения, приложенного к барьеру Шоттки во время облучения.
  1. S. Nakamura, S. Pearton, G. Fasol. The Blue Laser Diode (Springer, Berlin, 2000)
  2. H. Markoc. Springer. Ser. Mater. Sci., 32 (1999)
  3. M. Lambsdorrff, J. Kohl, J. Rosenzweig, A.A. Armann, J. Schneider. Appl. Phys. Lett., 58, 1881 (1991)
  4. V.M. Rao, W.-P. Hong, C. Caneau, G.-K. Chang, N. Papanicolaou, H.B. Dietrich. J. Appl. Phys., 70, 3943 (1991)
  5. F.D. Auret, S.A. Goodman, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 74, 407 (1999)
  6. Z.-Q. Fang, J.W. Hemsky, D.C. Look, M.P. Mack. Appl. Phys. Lett., 72, 448 (1998)
  7. D.V. Davydov, V.V. Emtsev, A.A. Lebedev, W.V. Lundin, D.S. Poloskin, N.M. Schmidt, A.S. Usikov, E.E. Zavarin. Mater. Sci. Forum, 353-- 356, 799 (2001)
  8. F.D. Auret, S.A. Goodman, F.K. Koschnick, J.-M. Spaeth, B. Beaumont, P. Gibart. Appl. Phys. Lett., 73, 3745 (1998)
  9. D. Ponse, G.C. Bourgoin. J. Phys. C: Sol. St. Phys., 18, 3839 (1985)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.