Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11122
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
68
Распределение количества просмотров по годам:
1454865
1347662
1295742
1157813
985366
947516
864593
772984
912081
1099859
1091491
1026277
1020027
1013384
987234
1023603
1043274
1075860
951028
1005857
939455
1176807
1189779
1169021
1126574
1216828
1231220
1180564
1148359
1203742
1100477
975020
755783
590968
451396
233493
153124
69736
17219
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
357
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
58

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Самостабилизация винтовых волн в полупроводниках
39
Фотоионизация квантовых ям в сильном электрическом поле
30
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
29
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
29
Термоэдс теллурида ртути в магнитном поле
29
Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni в омический при воздействии лазерного излучения
28
О влиянии туннельной рекомбинации на квантовый выход фотогенерации носителей в неупорядоченных материалах
28
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
27
Электронные фазовые переходы полупроводник-полуметалл в магнитном поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi-Sb
27
Магнитофононные осцилляции проводимости с частотой коротковолнового акустического фонона вблизи границы полупроводника
27
Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках
27
Некоторые свойства индуцированных кислородом рекомбинационных центров в термообработанном кремнии
27
Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода
26
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
26
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
26
Деформация лазерного импульса, распространяющегося в n-Ge при гелиевых температурах
26
Магнитная восприимчивость примесей хрома в арсениде галлия
26
Поверхностные плазменные волны в сверхрешетках с квантовыми ямами
26
О модели двухэлектронной проводимости в Hg1-xCdTe
25
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
25
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3940
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3475
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3399
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3350
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3322
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3223
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3202
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3179
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3174
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3157
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3155
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
3115
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3104
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3101
Именной указатель
3092
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
3085
Критика и библиография
3084
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
3074
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
3074
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
3062
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
3059
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
3057
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
3054
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
3037
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
3029
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
3025
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
3023
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
3022
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
3018
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
3014
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2998
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2998
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2997
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2996
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2989
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2979
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2976
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2976
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2973
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2972
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2971
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2965
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2963
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2960
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2960
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2956
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2948
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
2940
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2940
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
2940
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Стрельчук А.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Соболев М.М.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme