Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1330756
1235365
1189279
1062960
908233
869833
794098
707689
839916
1020847
1014066
948175
942418
935937
915155
948013
970117
1002124
885176
933007
872857
1097747
1110113
1089135
1049570
1130177
1140528
1096868
1053016
1087811
988886
871275
672570
513894
385406
192126
119501
41128
781
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Влияние анизотропного травления на глубокие уровни в приповерхностной области арсенида галлия
38
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
35
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
35
Кинетика накопления и отжига поверхностных состояний на границе раздела структур кремний-окисел кремния при облучении
34
Изменение энергии ионизации радиационного дефекта с уровнем Ec-0.2 эВ в n-Si при одноосной деформации
34
Фотостимулированный поперечный радиоэлектрический эффект при межзонной подсветке
34
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
33
Динамический эффект Бурштейна-Мосса в монокристаллическом CdSe и стекле КС-19
33
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
32
Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода
32
Особенности энергетического спектра Pb1-xSnxTe<Tl, Na>
32
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
32
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si : H
32
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
31
Комбинационное рассеяние света на смешанных LO-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах n-AlxGa1-xAs (x>0.4)
31
Фотолюминесценция твердых растворов Cd0.4Hg0.6Te
31
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
31
О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
31
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
31
Тиристор, переключаемый магнитным полем
31
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3642
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3182
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3048
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3032
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3011
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2958
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2951
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2921
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2913
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2913
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2912
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2870
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2865
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2847
Именной указатель
2845
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2830
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2828
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2825
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2823
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2822
Критика и библиография
2815
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2805
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2794
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2785
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2770
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2769
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2769
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2755
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2754
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2748
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2747
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2746
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2746
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2746
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2744
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2741
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2734
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2734
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2733
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2721
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2718
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2716
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2713
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2707
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2705
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2704
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2701
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2701
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2698
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2695
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Стрельчук А.М.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Шиндич В.Л.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Дмитриев А.П.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme