Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10976
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
20
Распределение количества просмотров по годам:
1078649
1009672
972189
864780
746201
713037
653410
580620
696644
860000
852451
788742
790344
790403
769030
801211
825913
847244
745746
785439
737121
931616
944869
912281
883517
945775
957926
912751
882030
888375
797625
685455
509620
369175
254157
110306
50980
3109
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
133
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
33

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
38
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
26
Влияние центров MnGa в GaAs на эффект Фарадея вблизи края основной полосы поглощения
26
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
25
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
24
Исследование эффекта охлаждения и нагрева дырок светом в p-Ge
23
Параметры зонной структуры твердых растворов SixGe1-x
23
Акустические бризеры в ограниченных полупроводниках
23
Усредненное описание нелинейных волн плотности неравновесных носителей в полупроводниках
22
Оптические свойства эпитаксиальных гетероструктур AlGaAsSb/GaSb в инфракрасной области спектра
22
Спектр отрицательной люминесценции в InSb
22
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. I. Электрофизические свойства гетероперехода
21
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
21
Датчик электронов на основе кремниевого барьера Шоттки со слоем туннельно-прозрачного диэлектрика
20
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
20
Аннотации депонированных статей
20
Трансформация точечных дефектов при отжиге Si и Si : Ge, облученных нейтронами
20
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
20
Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
20
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
20
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
2912
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2650
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2489
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2484
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2464
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2452
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2401
Именной указатель
2375
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2362
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2357
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2349
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2346
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2344
Критика и библиография
2337
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2326
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2326
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2318
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2316
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2313
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2306
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2302
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2286
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2282
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2280
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2277
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2274
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2272
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2272
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2269
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2265
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2263
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2259
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2255
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2254
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2248
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2245
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
2242
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2240
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2239
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2236
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2234
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2234
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2229
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2229
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2227
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
2224
О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
2219
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2219
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2216
О природе K-центра в кремнии
2215

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme