"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9559
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
232

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Резонанс Фано эффекта увлечения электронов фотонами в полупроводниках
27
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
19
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
18
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
16
Самостабилизация винтовых волн в полупроводниках
15
О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников
15
Изменение энергии ионизации радиационного дефекта с уровнем Ec-0.2 эВ в n-Si при одноосной деформации
15
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
15
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
14
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
14
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
14
Шумовая температура в компенсированном n-InSb<Cr>
14
Электронная структура примеси на дислокации
14
Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (омические исследования)
14
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
14
Предметный указатель
14
Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных хлоридным методом
13
Особенности пьезосопротивления gamma-облученного n-Ge при подсветке
13
УФ стимулированные изменения зарядового состояния свободной поверхности системы Si-SiO2
13
Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
13
Статья
Просмотров
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
551
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
526
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
520
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
515
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
512
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
506
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
499
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
497
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
491
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
490
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
489
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
488
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
487
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
484
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
482
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
480
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
478
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
475
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
473
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
472
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
471
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
471
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
469
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
469
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
467
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
466
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
466
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
464
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
464
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
463
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
462
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
462
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
461
Критика и библиография
457
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
456
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
455
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
455
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
455
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
455
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
454
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
453
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
453
О природе K-центра в кремнии
452
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
450
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
450
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
449
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
448
Именной указатель
448
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
448
Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии
448

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme