Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11115
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
61
Распределение количества просмотров по годам:
1436924
1330580
1279638
1144159
973716
935882
853394
763961
901359
1088485
1080216
1014666
1009497
1002749
976630
1013226
1033212
1065781
941049
996077
930451
1165446
1178288
1157249
1115087
1204283
1218076
1168280
1135319
1187330
1085533
961571
743457
579927
441825
227288
148247
65430
13324
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
324
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
52

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
О влиянии туннельной рекомбинации на квантовый выход фотогенерации носителей в неупорядоченных материалах
30
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
28
Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni в омический при воздействии лазерного излучения
27
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
26
Микроволновый циклотронный резонанс в чистых кристаллах GaAs
26
Влияние никеля на образование термодоноров в монокристаллах кремния
26
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
26
Магнитофононные осцилляции проводимости с частотой коротковолнового акустического фонона вблизи границы полупроводника
25
Глубокие центры в монокристаллах GaAs, выращенных методом Чохральского с добавлением кислорода
25
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
25
Кинетические эффекты в инжекторе с резонансным туннелированием электронов
25
Теория локальной туннельной генерации носителей в p-n-переходах на основе узкозонных полупроводников
24
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии n-типа. I. Геттерирующие микродефекты
24
Особенности токопереноса в ПДП структурах со сквозными проводящими каналами в диэлектрике
24
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
24
Взаимная сортировка электронов и фононов по энергиям электрон-фононным увлечением
24
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
24
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
23
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
23
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
23
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3892
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3434
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3361
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3300
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3279
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3187
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3169
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3137
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3131
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3122
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3113
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
3073
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3073
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3070
Именной указатель
3058
Критика и библиография
3054
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
3053
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
3042
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
3040
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
3030
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
3023
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
3021
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
3020
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
3000
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2998
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2996
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2990
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2986
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2984
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2983
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2960
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2958
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2958
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2958
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2953
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2948
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2948
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2943
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2938
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2938
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2936
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2933
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2929
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2924
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2921
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2918
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2912
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2910
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2905
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2905
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Константинов О.В.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Дмитриев А.П.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme