Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11122
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
68
Распределение количества просмотров по годам:
1441236
1334858
1283626
1147705
976678
939103
855944
766318
904134
1091340
1083074
1017621
1012205
1005583
979277
1015902
1035949
1068488
944019
998763
932956
1168715
1181698
1160639
1117919
1207461
1221499
1171636
1138763
1192032
1089489
964984
746707
583074
444225
229125
149802
66811
15435
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
357
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
60

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Эволюция барьерного контакта GaAs-Ni в омический при воздействии лазерного излучения
36
О влиянии туннельной рекомбинации на квантовый выход фотогенерации носителей в неупорядоченных материалах
35
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
32
Кинетические эффекты в инжекторе с резонансным туннелированием электронов
30
Деформация лазерного импульса, распространяющегося в n-Ge при гелиевых температурах
29
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
28
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии n-типа. I. Геттерирующие микродефекты
28
Поперечный транспорт в двубарьерной гетероструктуре в условиях разогрева носителей
28
Анизотропия квантовых осцилляций магнитосопротивления и проводимости гетероструктур с 2D-электронами
28
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
28
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
27
Фотолюминесцентные свойства GaAs, легированного рением
27
Температурная и концентрационная зависимости положения линии излучения локализованных экситонов твердых полупроводниковых растворов ZnxCd1-xS
26
Химические тенденции для глубоких 3d-уровней в полупроводниковых соединениях AIIBVI
26
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
26
Глубокая самокомпенсация в системе PbSe<Cl, Seизб>
25
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
25
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
25
Перенос неравновесных носителей заряда в варизонных структурах с учетом зависимости подвижности от состава твердого раствора
25
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
25
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3908
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3439
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3369
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3307
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3290
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3194
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3172
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3154
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3141
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3132
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3124
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3084
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
3081
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3077
Именной указатель
3069
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
3060
Критика и библиография
3060
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
3052
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
3045
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
3040
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
3032
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
3032
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
3028
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
3008
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
3005
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
3001
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
3000
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2996
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2994
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2993
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2970
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2967
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2966
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2965
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2962
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2954
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2952
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2952
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2950
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2947
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2944
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2938
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2937
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2933
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2931
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2926
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2921
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2919
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2914
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2912
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Кальфа А.А.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Пихтин А.Н.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Львин В.Э.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme