Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1310148
1216102
1170030
1046372
894286
856595
782010
696940
828020
1008838
1002097
936007
930669
924586
903705
936506
958612
989903
873952
920874
861808
1083926
1097132
1074229
1034324
1116970
1124020
1083202
1035596
1067602
971300
853894
657524
500499
373218
185186
113910
35944
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
88
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Спектр отрицательной люминесценции в InSb
34
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
34
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
32
Поперечный транспорт в двубарьерной гетероструктуре в условиях разогрева носителей
31
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
29
Резонансный захват носителей в спиновые квантовые ямы в магнитном поле
29
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
29
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
28
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
27
Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
27
Разогрев электронного газа высокочастотным электрическим полем в активной области полупроводникового гетеролазера
27
Расчет аномального эффекта Холла при комнатной температуре в термообработанном образце n-Ge
27
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
27
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
26
Исследование влияния химической обработки InP на скорость поверхностной рекомбинации методом комбинационного рассеяния света
26
Исследование комплексообразования в эпитаксиальном сильно легированном p-GaAs : Ge методом фотолюминесценции
26
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
25
Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния
25
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
25
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
25
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3596
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3141
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3000
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2978
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2956
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2912
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2899
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2871
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2868
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2867
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2860
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2829
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2819
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2808
Именной указатель
2808
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2791
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2783
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2782
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2777
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2776
Критика и библиография
2771
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2762
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2754
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2737
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2729
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2727
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2720
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2712
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2711
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2709
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2703
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2701
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2701
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2699
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2697
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2691
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2690
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2689
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2688
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2670
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2670
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2668
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2667
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2667
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2665
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2663
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2661
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2660
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2657
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2651
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Голикова О.А.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Козуб В.И.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Корольков В.И.
2
Соболев М.М.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Зуев В.В.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme