"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9327
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
16
Кинетические свойства твердых растворов Pb1-xSnxS1-ySey (x=0.19, y=0.5 и 0.98)
15
Электрические и спектральные характеристики структур Au-n-TlSbS2
14
Нелинейные особенности ВАХ для барьеров с седловыми точками
13
Аномальный эффект Холла в пленках антимонида индия, выращенных на подложках из окисленного кремния
13
Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии
12
Нелинейность краевого поглощения CdSe
11
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. I. Электрофизические свойства гетероперехода
11
Влияние магнитного поля на захват свободных носителей мелкими примесями в Ge
11
Аморфизация кремния при имплантации ионов Ar+ в интервале температур 150-400 K
11
Электронные свойства пленок моно- и субселенидов индия
11
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
11
Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
10
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
10
Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров
10
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
10
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
10
Кинетика спада долговременной фотопроводимости в GaAs и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
10
Влияние интенсивности электронного облучения на накопление K-центров в кремнии
10
Глубокий радиационный уровень в антимониде индия n-типа, облученном электронами
10
Статья
Просмотров
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
436
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
416
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
398
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
397
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
394
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
393
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
388
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
381
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
375
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
372
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
372
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
371
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
370
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
369
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
367
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
367
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
365
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
365
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
364
Колебательные спектры кристаллов CdP2
359
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
359
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
359
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
358
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
356
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
355
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
353
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
352
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
351
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
350
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
350
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
349
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
348
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
348
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
347
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
347
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
345
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
344
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
344
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
343
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
343
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
342
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных носителей заряда
342
Фотолюминесценция твердых растворов Cd0.4Hg0.6Te
340
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
340
Критика и библиография
340
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
339
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
339
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
338
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
338
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
338

Учредители

Издатель

  • СПб издательство «Наука»
© 2016 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme