"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9351
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
24

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
11
Влияние давления на электрофизические свойства Pb1-xSnxSe (x=0.25), облученного электронами, в диэлектрической фазе
11
Влияние глубоких уровней на время жизни неосновных носителей заряда
10
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. III. Ток короткого замыкания
10
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
10
Влияние интенсивности электронного облучения на накопление K-центров в кремнии
10
Полевое гашение экситонной фотопроводимости в монокристаллах
10
Электронный парамагнитный резонанс комплексов FeFeB в кремнии
10
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
10
Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках
9
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
9
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
9
Анизотропия краевого оптического поглощения компенсированных кристаллов n-CdGeP2
9
Понижение термической стабильности комплексов VAsZnGa в GaAs при нейтронном облучении
9
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
9
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
9
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
9
Образование и отжиг вакансионных комплексов в поверхностном слое монокристаллического кремния, облученного ионами средней массы
8
Диэлектрическая релаксация в компенсированном кремнии
8
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
8
Статья
Просмотров
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
474
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
454
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
432
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
431
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
430
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
422
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
418
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
418
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
413
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
412
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
410
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
408
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
406
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
404
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
404
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
400
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
399
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
398
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
396
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
394
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
393
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
392
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
390
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
388
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
388
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
388
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
386
Критика и библиография
386
Колебательные спектры кристаллов CdP2
384
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
384
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
383
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
383
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
383
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
383
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
381
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
379
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
378
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
378
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
377
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
377
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных носителей заряда
377
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
377
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
376
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
375
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
375
О природе K-центра в кремнии
375
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
374
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
373
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
372
Гетеропереход n-GaAs-ZnS в МДП приборах. I. Электрофизические свойства гетероперехода
372

Учредители

Издатель

  • СПб издательство «Наука»
© 2016 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme