"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9270
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
259

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Всего
Абстракт
Полный текст
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
20
17
3
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In0.53Ga0.47As
19
18
1
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
19
11
8
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
19
15
4
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
19
16
3
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
17
15
2
Низкотемпературная фотолюминесценция эпитаксиальных пленок фосфида галлия, выращенных на кремниевых подложках
17
14
3
Новый способ обработки спектров DLTS
16
12
4
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
16
12
4
Дуальные датчики Холла
16
14
2
Исправления к статье Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe" (ФТП. 1989. Т. 23. В 11. С. 2090--2093
16
12
4
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
16
11
5
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
16
12
4
Влияние приповерхностного электрического поля на анизотропию оптического отарежения поверхности (110) арсенида галлия
16
15
1
Кинетические свойства твердых растворов Pb1-xSnxS1-ySey (x=0.19, y=0.5 и 0.98)
16
13
3
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
16
11
5
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в GaAs
16
12
4
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
15
10
5
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
15
14
1
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
15
11
4
Статья
Всего
Абстракт
Полный текст
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
414
217
197
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
376
215
161
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
370
216
154
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
367
144
223
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
363
265
98
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
362
230
132
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
357
248
109
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
350
210
140
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
348
154
194
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
347
181
166
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
346
242
104
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
343
237
106
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
343
154
189
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
343
242
101
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
336
220
116
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
335
225
110
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
334
242
92
Колебательные спектры кристаллов CdP2
333
194
139
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
331
180
151
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
331
209
122
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
330
238
92
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
328
232
96
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
326
155
171
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
325
226
99
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
324
190
134
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
322
256
66
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
322
229
93
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
322
184
138
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
322
206
116
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
320
203
117
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
320
225
95
Инверсные распределения электронов в полупроводниковых гетероструктурах с одной квантовой ямой
320
211
109
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
319
213
106
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
319
225
94
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
319
230
89
Влияние отклонения от стехиометрии на свойства диффузионных p-n-переходов на основе карбида кремния
316
220
96
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
316
213
103
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных носителей заряда
316
227
89
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
315
219
96
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
313
209
104
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
313
217
96
Критика и библиография
313
182
131
Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730-850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
312
234
78
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
311
171
140
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
310
205
105
О природе K-центра в кремнии
310
218
92
Фотолюминесценция твердых растворов Cd0.4Hg0.6Te
309
185
124
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
309
222
87
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
309
208
101
Изучение переходной области между эпитаксиальными слоями InP и In0.53Ga0.47As в гетероструктурах с 2МЭГ
309
226
83
print '
';

Учредители

Издатель

  • СПб издательство «Наука»
© 2016 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme