Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1298825
1205917
1160866
1037720
886909
850436
775936
691696
821954
1000971
994128
927593
923056
916862
895972
928894
951130
981057
866983
913185
854995
1075477
1088907
1063945
1024787
1108462
1114831
1074409
1024807
1058491
962094
845300
649830
493997
367109
181678
111459
34932
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
91

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
29
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
27
Спектр отрицательной люминесценции в InSb
27
Расчет аномального эффекта Холла при комнатной температуре в термообработанном образце n-Ge
26
Критика и библиография Новые книги по полупроводникам
26
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
25
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
25
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
25
Вольтамперные характеристики потенциальных барьеров в гетероструктурах СdxHg1-xTe/CdTe
25
Эффект Стеблера-Вронского в аморфном гидрированном кремнии, легированном фосфором
25
Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (омические исследования)
25
Зонная структура, оптические свойства и распределение заряда валентных электронов в CdSiAs2
24
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
24
Структура полос поглощения термодонорных центров в кремнии
23
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
23
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
23
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
23
Получение методом молекулярно-пучковой эпитаксии гетероструктур GaSb/InAs/GaSb с высокой подвижностью двумерных электронов
23
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
23
Циклотронный и комбинированный резонансы в полумагнитных твердых растворах Hg1-x-yCdxMnyTe
23
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3574
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3115
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2972
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2953
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2934
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2894
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2866
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2847
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2845
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2843
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2831
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2803
Именной указатель
2794
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2790
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2771
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2761
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2758
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2757
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2757
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2753
Критика и библиография
2753
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2743
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2719
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2717
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2705
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2703
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2696
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2694
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2693
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2688
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2686
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2684
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2682
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2681
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2676
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2673
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2671
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2669
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2668
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2646
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2646
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2646
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2644
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2643
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2642
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2642
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2641
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2637
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2632
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
2625
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme