Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
10999
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
43
Распределение количества просмотров по годам:
1136358
1062438
1025058
911944
784899
750400
688060
611933
731109
896490
886261
822782
822862
821587
800865
834088
855798
878788
774657
815817
765810
966673
979203
946891
919324
984449
995615
948250
916904
928150
837665
723423
544043
400145
280792
127621
66043
6484
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
236
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
51

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si : H
62
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
62
Релаксационные процессы в структурах металл-аморфный полупроводник-металл
61
Изменение механизма локализации экситонов в CdS1-xTex при структурном преобразовании решетки
59
Эффекты разогрева носителей заряда в инжекционных гетеролазерах на InGaAsP/InP
59
О локализованных возбужденных состояниях центров с отрицательной корреляционной энергией в стеклах
57
О связи шумовых характеристик с эффективностью термоэлектрического преобразования
56
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
56
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
56
Примесные состояния таллия в Pb1-xGexTe
55
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
55
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
52
Особенности примесной проводимости в неупорядоченных полупроводниках, имеющих собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией и электрически активные примесные атомы
51
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
50
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
50
Резонансное межзонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике
50
Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока
49
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
49
Параметры зонной структуры твердых растворов SixGe1-x
49
Излучение n-InSb в далекой ИК области
49
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3112
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2777
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2628
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2598
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2578
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2557
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2518
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2491
Именной указатель
2486
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2479
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2463
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2460
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2456
Критика и библиография
2453
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2445
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2441
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2440
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2439
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2429
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2423
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2409
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2401
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2400
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2400
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2399
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2395
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2391
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2386
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2384
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2378
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2378
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2376
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2375
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2373
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2373
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2364
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2358
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2356
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2356
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2351
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2349
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2348
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2340
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
2340
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2338
О применимости метода температурной зависимости емкости и активной проводимости для определения параметров глубоких центров в перекомпенсированном полупроводнике
2338
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2338
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2337
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2336
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
2330
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кальфа А.А.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Мусатов А.Л.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Каплан Б.И.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Поссе Е.А.
2
Константинов О.В.
2
Шастин В.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme