Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1360632
1261967
1214570
1086239
926113
888998
810616
725333
857669
1040858
1033768
969265
960959
959781
935226
969648
990452
1022349
901246
951679
891112
1118573
1130094
1108454
1068312
1153451
1163296
1117423
1078284
1118507
1019500
896481
692740
532052
401436
202524
127055
47789
2636
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
65
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
51
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
47
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
46
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
45
Четный магнитный фотоэффект в структурах с p-n-переходом цилиндрической формы
44
Изменение концентрации атомов бора и фосфора в узлах решетки кремния при облучении электронами
44
Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока
44
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
43
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
43
Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев
43
Электрические и спектральные характеристики структур Au-n-TlSbS2
42
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
42
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
41
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
41
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
40
Проявление дискретных уровней при релаксационной спектроскопии локализованных электронных состояний с непрерывным спектром
40
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
39
Особенности энергетического спектра Pb1-xSnxTe<Tl, Na>
39
Переход Мотта в германии с радиационными дефектами
39
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3718
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3260
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3169
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3104
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3072
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3015
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3002
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2983
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2976
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2967
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2964
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2924
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2924
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2901
Именной указатель
2899
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2886
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2886
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2884
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2883
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2875
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2874
Критика и библиография
2869
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2855
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2852
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2845
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2831
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2828
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2816
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2814
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2807
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2806
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2803
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2801
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2797
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2797
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2791
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2783
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2783
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2780
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2775
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2774
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2771
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2770
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2770
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2768
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2766
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2764
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2757
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2757
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
2755
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Шиндич В.Л.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Дмитриев А.П.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme