Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1345984
1249783
1202256
1074157
918252
879199
802447
715340
848625
1031163
1023827
958046
951452
945138
924305
957129
979262
1013595
893771
942484
881956
1108179
1119367
1099029
1059430
1140278
1152692
1107022
1065651
1102415
1001731
883776
683225
523419
393756
197514
123407
44681
1993
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Фотохимическая перестройка глубоких центров в кремнии, легированном селеном
28
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
26
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
26
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
25
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
25
Простой метод определения плотности поверхностных состояний по температурным измерениям ВАХ МОП транзисторов
25
Поляризованные оптические спектры монокристаллов Tl3SbS3
24
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
24
Исправления к статье Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe" (ФТП. 1989. Т. 23. В 11. С. 2090--2093
24
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
24
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
23
Фотоплеохроизм легированных кристаллов GaSe
23
Винтовая неустойчивость в варизонных полупроводниках
23
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
23
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
22
Инжекционно-стимулированная трансформация спектров люминесценции зеленых GaP : N-светодиодов
22
Компенсация кремния при дрейфе лития из ограниченного резервуара
22
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном генерировании в кремнии n-типа. I. Геттерирующие микродефекты
22
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
22
Критика и библиография Новые книги по полупроводникам
22
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3686
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3218
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3092
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3054
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3044
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2987
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2979
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2952
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2947
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2941
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2936
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2897
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2897
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2879
Именной указатель
2871
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2858
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2852
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2851
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2850
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2849
Критика и библиография
2843
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2839
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2823
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2808
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2805
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2796
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2792
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2782
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2782
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2776
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2775
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2772
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2769
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2768
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2767
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2766
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2764
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2763
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2761
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2752
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2751
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2746
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2745
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2740
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2738
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2735
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2729
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2728
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
2727
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2721
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme