"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9887
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
230

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
9
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
8
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
8
Резонансное прохождение резкой гетерограницы электроном проводимости
8
О степени ионизации собственных дефектов в кристаллах CdxHg1-xTe в широком интервале температур
8
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
8
Изгиб зон в арсениде галлия при формировании омического контакта (омические исследования)
8
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
8
К теории акустической инжекции в пьезополупроводниковых p-n-переходах
8
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
8
Примесные состояния индия в PbS
7
Кулоновская щель в спектре состояний a-CdGeAs2<Fe>
7
Микроволновый циклотронный резонанс в чистых кристаллах GaAs
7
Новый способ обработки спектров DLTS
7
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
7
Термоэдс теллурида ртути в магнитном поле
7
Исследование переноса дырок в аморфном гидрированном кремнии методом видикона
7
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
7
Особенности гальваномагнитных эффектов в n-Hg1-x-yCdxMnyTe при переходе металл-диэлектрик
7
Энергия связи дырки с нейтральным акцептором в алмазоподобных полупроводниках
7
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
857
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
828
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
825
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
815
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
813
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
800
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
781
Колебательные спектры кристаллов CdP2
775
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
775
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
774
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
774
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
768
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
761
О природе K-центра в кремнии
761
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
752
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
752
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
750
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
747
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
744
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
743
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
743
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
737
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
735
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
735
Электронная структура примеси на дислокации
731
Критика и библиография
731
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
728
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
727
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
727
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
724
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
723
Именной указатель
722
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
722
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
721
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
719
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
717
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
715
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
714
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
713
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
712
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
712
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
711
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
710
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
709
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
707
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
706
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
706
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
705
Нелинейность краевого поглощения CdSe
705
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
705

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme