Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1163348
1087400
1049559
932999
802945
767942
704142
626064
747096
911972
901465
838162
837737
835477
814777
848205
870035
893746
788163
830244
778800
983180
995069
963661
934843
1001245
1013089
964355
932556
947983
857258
743050
561678
415403
294301
136722
73003
10836
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
49
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
43
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
41
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
37
Распространение ультразвука в жидком кремнии
36
О влиянии радиационных дефектов на кинетику образования термодоноров в кремнии
35
Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в n-InP
35
Электрофизические свойства CdxHg1-xTe, подвергнутого ионно-лучевому травлению
34
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
34
Аннотации депонированных статей
33
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+-n-переходов
33
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
33
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
32
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
32
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
31
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
31
Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых растворов на основе соединений AIIIBV
31
Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев
31
Физическая модель эффекта управления полевым транзистором через полуизолирующую подложку
30
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
30
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3202
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2831
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2684
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2656
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2635
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2607
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2576
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2554
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2552
Именной указатель
2548
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2521
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2511
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2511
Критика и библиография
2501
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2497
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2494
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2493
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2490
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2486
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2478
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2463
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2460
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2460
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2459
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2459
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2454
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2443
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2441
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2440
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2439
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2438
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2430
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2430
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2428
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2424
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2421
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2418
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2411
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2410
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2407
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2402
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2402
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2401
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2400
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2399
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2390
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2388
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
2387
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2386
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2383
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Сыродоев Г.А.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme