Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1266665
1177577
1133459
1011691
864572
830007
758608
675477
802647
973637
965480
898897
896103
890708
870024
902586
925652
953289
841800
886688
830567
1045345
1059466
1029828
995024
1078575
1084762
1043402
998632
1028514
933867
817723
626027
473403
348934
171279
103089
27722
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
30
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
27
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
27
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
26
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
26
Корреляция в поведении кислородных термодоноров и комплексов, ответственных за поглощение при 890 см-1, в Si, облученном в реакторе при разных температурах
26
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
25
Разогрев электронного газа высокочастотным электрическим полем в активной области полупроводникового гетеролазера
25
Влияние толщины верхнего узкозонного слоя на концентрацию двумерных электронов в инвертированных гетероструктурах InP/In0.53Ga0.47As
24
Простая модель вольтамперных характеристик МДП транзистора
24
Резонансный захват носителей в спиновые квантовые ямы в магнитном поле
24
О состоянии европия в фосфиде индия
24
О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников
24
Влияние облучения электронами на физические свойства легированных германием монокристаллов кремния
23
Усредненное описание нелинейных волн плотности неравновесных носителей в полупроводниках
23
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
23
Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в n-InP
23
Проводимость МТДП структур в режиме без накопления неосновных носителей заряда
23
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
22
Зонная структура, оптические свойства и распределение заряда валентных электронов в CdSiAs2
22
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3490
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3017
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2871
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2869
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2866
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2802
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2769
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2768
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2760
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2747
Именной указатель
2743
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2737
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2704
Критика и библиография
2695
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2694
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2691
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2686
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2676
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2675
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2674
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2668
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2660
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2652
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2637
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2632
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2626
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2623
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2622
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2621
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2619
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2617
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2617
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2614
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2607
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2604
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2602
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2600
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2597
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2595
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2594
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2592
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2586
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2585
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2582
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2580
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2578
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
2567
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2566
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2558
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
2556
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Комиренко С.М.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Львин В.Э.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme