Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11024
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
68
Распределение количества просмотров по годам:
1180635
1102976
1063791
945603
812938
778481
713210
635048
756595
922746
911978
848066
847176
844617
824037
856723
878512
903037
796389
839004
786970
992521
1004751
973030
945437
1014677
1023703
978550
943208
960958
871102
755300
572058
424310
302515
142149
77862
12738
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
340
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
69

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
48
Термодинамический расчет зависимости ширины запрещенной зоны от состава многокомпонентных твердых растворов на основе соединений AIIIBV
43
Фотопроводимость в области циклотронного резонанса двумерного электронного газа в GaAs/AlGaAs при больших факторах заполнения
37
Резонансное прохождение резкой гетерограницы электроном проводимости
36
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
34
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
33
Примесная фотопроводимость эпитаксиальных слоев GexSi1-x, легированных фосфором
32
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
32
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
32
Изменение механизма локализации экситонов в CdS1-xTex при структурном преобразовании решетки
31
Особенности термоэлектрических и электрических свойств слоистого полупроводника InSe при низких температурах
31
Нестабильность проводимости пленок сульфида кадмия, обусловленная фотостимулированной диффузией кислорода
31
Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs2
30
Исправления к статье Спектральная память фотопроводимости высокоомного ZnSe" (ФТП. 1989. Т. 23. В 11. С. 2090--2093
30
Фотомагнитный эффект в кристаллах изолирующего арсенида галлия при лазерном возбуждении
30
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
30
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
30
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
30
Исследование коэффициента поглощения в PbTe, имплантированном цинком
30
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
30
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3267
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
2859
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2712
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2680
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2671
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2641
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2605
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2590
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2587
Именной указатель
2574
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2553
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2545
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2532
Критика и библиография
2528
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2526
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2523
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2522
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2517
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2517
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2514
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2497
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2493
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2491
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2482
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2481
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2475
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2475
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2474
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2470
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2466
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2465
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2463
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2462
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2460
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2458
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2455
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2451
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2439
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2439
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2436
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2435
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2433
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2430
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
2429
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2428
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2419
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2419
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2418
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
2417
Низкотемпературное облучение арсенида галлия
2416
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Гуцев Г.Л.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Пихтин А.Н.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Константинов О.В.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2025 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme