Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11073
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
19
Распределение количества просмотров по годам:
1381362
1280692
1231724
1101824
939030
902158
822013
735776
870403
1055108
1046467
982142
976810
971467
946450
982417
1002478
1034353
912064
964351
902634
1131673
1143441
1123466
1081089
1167730
1181372
1131339
1092716
1136056
1038913
917661
707857
544783
411793
209036
133053
52474
4648
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
114
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
55
Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в n-InP
43
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
42
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
41
Фотоэлектрические свойства эпитаксиальных гетероструктур GaAs/InGaAs с квантовой ямой
38
Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
37
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
36
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
36
Критика и библиография
35
Стимулированная полем диффузия в некристаллических полупроводниках в случае переменного поля
35
Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе AlxGa1-xAs/GaAs
35
Ток туннельного типа в поверхностно-барьерных структурах на основе слабо легированного арсенида галлия
35
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
33
Электронный парамагнитный резонанс комплексов FeFeB в кремнии
33
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
33
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
33
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
33
p-n-переходы в PbS, полученные ионной имплантацией
33
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ~ 100 а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
33
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
33
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3767
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3307
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3214
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3154
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3115
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3062
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3058
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3023
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3011
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3011
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3002
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2972
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2963
Именной указатель
2947
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2940
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2931
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2925
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2922
Критика и библиография
2918
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2916
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2915
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2913
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2909
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2901
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2893
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2885
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2875
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2862
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2849
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2846
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2843
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2840
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2835
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2833
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2828
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2826
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2825
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2824
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2823
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2819
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2817
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2816
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2810
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2805
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2804
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2801
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2799
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2798
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2798
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2798
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Шиндич В.Л.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Константинов О.В.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Дмитриев А.П.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme