"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9992
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
26

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
163
Структура ИК поглощения кислорода в германии
12
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
9
Фотоионизация квантовых ям в сильном электрическом поле
9
Междузонные ИК переходы в одноосно деформированном узкощелевом полупроводнике
9
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
9
Тензоэлектрические явления в контактах металл-арсенид галлия при анизотропном давлении
8
Емкостная спектроскопия локализованных состояний в халькогенидных стеклообразных полупроводниках
8
Кислородосодержащие термодоноры, образующиеся в кремнии при горячем" gamma-облучении
8
Магнитоконцентрационный эффект в неоднородно легированных полупроводниках
8
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
8
Нелинейное магнитопоглощение в полупроводнике компоненты сильной бигармонической световой волны
8
Растекание и поверхностная рекомбинация неравновесных носителей в квантово-размерных (Al, Ga)As ДГС РО лазерах с широким полоском
7
Взаимодействие таллия с радиационными дефектами в кремнии
7
Особенности температурной зависимости фотопроводимости слабо легированного бором a-Si : H
7
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
7
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
7
Диффузия примеси в полупроводниках при импульсном лазерном отжиге
7
Спектры фототока delta-легированных GaAs сверхрешеток nipi
6
Фотолюминесценция твердых растворов Cd0.4Hg0.6Te
6
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
937
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
894
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
881
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
880
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
868
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
849
Колебательные спектры кристаллов CdP2
832
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
827
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
826
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
826
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
824
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
819
О природе K-центра в кремнии
812
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
810
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
808
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
807
Критика и библиография
805
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
804
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
802
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
802
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
797
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
793
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
791
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
790
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
790
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
789
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
787
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
781
Электронная структура примеси на дислокации
778
Именной указатель
777
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
775
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
775
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
775
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
773
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
771
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
771
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
769
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
769
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
768
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
767
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
766
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
766
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
766
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
766
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
762
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
762
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
762
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
757
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
756
Нелинейность краевого поглощения CdSe
754

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme