Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11054
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
Распределение количества просмотров по годам:
1281235
1190462
1146689
1023922
874808
839615
766785
682976
811527
986409
978832
912109
908327
902558
881620
914535
937309
965887
853497
898776
841784
1058763
1072797
1043484
1007203
1091857
1097833
1056837
1009726
1043428
947877
831299
637228
483335
357690
176166
107048
31020
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
92

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
26
Расчет аномального эффекта Холла при комнатной температуре в термообработанном образце n-Ge
24
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
23
Особенности примесной проводимости в неупорядоченных полупроводниках, имеющих собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией и электрически активные примесные атомы
23
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
22
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
22
Исследование эпитаксиальных слоев InGaAsP с низким уровнем легирования
21
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
21
Поперечный транспорт в двубарьерной гетероструктуре в условиях разогрева носителей
21
Разогрев электронного газа высокочастотным электрическим полем в активной области полупроводникового гетеролазера
21
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-AlxGa1-xAs-GaAs с селективным легированием
20
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
20
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
20
Спектр отрицательной люминесценции в InSb
20
Резонансный захват носителей в спиновые квантовые ямы в магнитном поле
20
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
20
О механизме легирования халькогенидных стеклообразных полупроводников
20
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
19
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
19
Резонансное межзонное комбинационное рассеяние света в полумагнитном полупроводнике
19
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3528
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3061
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
2916
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2906
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2897
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2845
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2817
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2811
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2803
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2785
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2783
Именной указатель
2768
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2745
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2743
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2726
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2719
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2719
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2718
Критика и библиография
2718
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2715
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2714
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2703
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2674
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2673
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2663
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2663
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2658
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2657
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2657
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2655
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2652
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2649
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2647
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2646
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2642
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2639
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2638
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2637
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2625
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2621
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2620
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2619
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2618
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2618
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2610
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2608
Эмиссионные характеристики полупроводниковых гетероструктур с барьером Шоттки InGaAs-InP-Ag
2596
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
2593
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2587
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
2584
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Стрельчук А.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Соболев М.М.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme