"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10184
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
218

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Затухание бризера в сверхрешетке
21
Модификация центра E3 в облученном n-GaAs
16
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
15
Перестройка спектра излучения лазера на p-Ge при одноосной деформации
14
Изменение механизма локализации экситонов в CdS1-xTex при структурном преобразовании решетки
14
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
13
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии
13
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
13
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
12
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
12
Исследование метастабильных квазилокальных состояний индия в теллуриде свинца методом туннельной спектроскопии
12
Детектирование импульсного ионизирующего излучения с помощью варизонных структур
12
Определение констант деформационного потенциала в HgCdTe
12
Квантово-размерный и деформационный эффекты в структурах на основе PbSe/Pb1-xEuxSe, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии
12
Двухузельная модель дефектов типа A-центров
11
Исследование n-HgTe в сильных электрических полях
11
Экспериментальное исследование фото-холл-эффекта в фоточувствительных поликристаллических слоях PbS
11
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
11
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
11
Теория локальной туннельной генерации носителей в p-n-переходах на основе узкозонных полупроводников
11
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1050
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1026
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1017
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1004
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
997
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
973
Колебательные спектры кристаллов CdP2
961
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
953
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
952
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
949
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
947
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
941
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
940
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
934
Критика и библиография
932
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
932
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
929
О природе K-центра в кремнии
923
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
922
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
921
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
918
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
912
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
909
Именной указатель
907
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
906
Электронная структура примеси на дислокации
906
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
905
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
904
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
904
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
901
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
899
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
898
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
895
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
895
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
893
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
892
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
891
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
891
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
890
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
889
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
889
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
888
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
887
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
886
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
886
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
882
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
878
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
878
Тиристор, переключаемый магнитным полем
878
Проявление" скоплений атомов электрически не активных примесей в n-кремнии при gamma-облучении
876

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme