"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9680
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
23

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
17
Параметры зонной структуры твердых растворов SixGe1-x
15
Особенности возбуждения плазмонов в ионно-имплантированном полупроводнике
15
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
14
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
14
Изменение механизма локализации экситонов в CdS1-xTex при структурном преобразовании решетки
14
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
14
Метод определения отношений сечений фотоионизации для многозарядных акцепторов в полупроводниках
14
Диффузия примеси в полупроводниках при импульсном лазерном отжиге
13
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-AlxGa1-xAs-GaAs с селективным легированием
13
О природе K-центра в кремнии
13
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
13
Пьезомодуляционный эффект в структурах с квантовыми ямами
13
Структура ИК поглощения кислорода в германии
13
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
12
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
12
Формирование структур с блокированной прыжковой проводимостью гидрогенизацией кремния, легированного галлием
12
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
12
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
12
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
12
Статья
Просмотров
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
638
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
637
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
629
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
626
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
625
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
624
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
615
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
606
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
605
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
591
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
582
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
576
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
574
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
573
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
573
Колебательные спектры кристаллов CdP2
571
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
569
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
567
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
566
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
565
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
565
Критика и библиография
561
Пространственное распределение зарядов, прогенерированных туннельной инжекцией электронов из кремния в термический диоксид МДП структуры
561
Электронная структура примеси на дислокации
561
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
560
О природе K-центра в кремнии
560
Об определении энергии ионизации глубоких уровней из данных DLTS
559
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
557
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
557
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
557
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
557
Оптические характеристики PbSe. Переходы в высшие зоны
554
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
551
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
550
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
549
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
548
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
548
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
548
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
547
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
547
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
543
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
542
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
542
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
540
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
539
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
538
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
537
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
536
Нелинейность краевого поглощения CdSe
535
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
534

Учредители

Издатель

© 2018 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme