Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1349492
1253090
1205588
1077528
920804
881701
804377
717574
850893
1033528
1026757
960881
954029
947731
926899
959874
981686
1016281
896192
945046
884305
1110686
1122001
1101873
1062399
1143077
1155518
1109734
1068682
1105712
1004720
886768
685444
525855
395980
199278
124616
45621
2248
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
27
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике
26
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
26
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
26
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
24
О механизме воздействия изовалентной примеси In на свойства и ансамбль дефектов GaAs, выращиваемого методом молекулярно-лучевой эпитаксии
24
Опечатки и исправления (ФТП, 1990. Т. 24. В. 6. С. 1019-1025)
23
Коротковолновая фоточувствительность поверхностно-барьерных структур GaAs
23
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в GaAs
22
Циклотронный и комбинированный резонансы в полумагнитных твердых растворах Hg1-x-yCdxMnyTe
22
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
21
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
21
Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе
20
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
20
Диффузия примеси в полупроводниках при импульсном лазерном отжиге
20
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
20
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
20
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
19
Электронные фазовые переходы полупроводник-полуметалл в магнитном поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi-Sb
19
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
19
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3697
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3233
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3103
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3060
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3051
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2993
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2992
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2956
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2954
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2951
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2947
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2906
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2904
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2890
Именной указатель
2886
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2867
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2866
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2862
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2858
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2857
Критика и библиография
2851
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2844
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2833
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2816
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2811
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2809
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2802
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2789
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2787
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2785
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2783
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2776
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2775
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2773
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2772
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2770
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2770
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2769
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2766
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2757
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2757
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2753
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2752
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2751
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2747
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2746
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
2740
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2736
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2735
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2730
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Покровский Я.Е.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Лазоренко В.И.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Юнович А.Э.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Пиотровский Т.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme