Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1326368
1231314
1185095
1059501
905098
867248
791729
705286
837265
1018503
1011630
945881
940175
933594
912646
945597
967645
999577
882900
930241
870554
1094565
1107328
1085955
1046294
1127483
1136768
1093987
1049469
1083619
985238
867622
669602
511100
382829
190606
118437
39971
232
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+-n-переходов
35
Горячие экситоны в области неоднородного электрического поля
34
Изменение высоты потенциального барьера контактов металл-кремний в условиях деформации
32
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
32
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
31
Особенности энергетического спектра Pb1-xSnxTe<Tl, Na>
31
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в GaAs
30
Отрицательная фотопроводимость на пороге возбуждения винтовой неустойчивости в плазме полупроводников
30
Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в n-InP
30
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
30
Микроплазмы в идеально однородных p-i-n-структурах
30
Акустоэлектронное взаимодействие в Te и CdS в сильном магнитном поле
30
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
29
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
29
Пространственный перенос двумерных электронов в структуре металл-AlxGa1-xAs-GaAs с селективным легированием
29
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
29
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
29
Фотостимулированный поперечный радиоэлектрический эффект при межзонной подсветке
29
Тиристор, переключаемый магнитным полем
29
Модификация центра E3 в облученном n-GaAs
29
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3636
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3171
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3039
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3016
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2998
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2951
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2937
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2910
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2907
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2905
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2892
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2857
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2851
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2835
Именной указатель
2831
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2819
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2817
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2810
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2809
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2809
Критика и библиография
2801
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2792
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2781
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2776
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2760
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2759
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2757
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2744
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2741
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2739
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2736
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2735
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2735
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2732
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2730
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2730
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2729
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2724
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2720
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2708
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2706
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2703
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2701
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2698
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2698
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2695
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2691
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2690
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2689
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2688
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Долманов И.Н.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Соболев М.М.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Каплан Б.И.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Дмитриев А.П.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme