Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11073
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
19
Распределение количества просмотров по годам:
1376287
1276452
1227520
1098324
935886
898272
819421
733250
867601
1052043
1042887
978950
969525
968388
943550
979685
999229
1031448
909359
961077
900213
1128293
1139782
1120160
1077930
1164322
1174082
1127801
1089236
1131896
1034951
909579
704866
541808
409608
207602
131885
51530
3996
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
114
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
22

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
59
Возбуждение и эволюция микроплазм --- пичковых автосолитонов в кремниевых p-i-n-структурах
32
Влияние облучения быстрыми электронами на краевую фотолюминесценцию эпитаксиальных слоев в n-InP
31
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
31
Именной указатель
29
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
29
Измерение ВАХ InGaAs при помощи пикосекундной электрооптической стробирующей установки
29
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
29
О коэффициенте термоэдс в эпитаксиальной структуре GaP
29
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
29
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
29
Ударная ионизация, производимая электронами, движущимися в неоднородном электрическом поле
29
Ток туннельного типа в поверхностно-барьерных структурах на основе слабо легированного арсенида галлия
28
Кинетика спада долговременной фотопроводимости в GaAs и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
27
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
27
Критика и библиография
27
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
27
Корреляция в поведении кислородных термодоноров и комплексов, ответственных за поглощение при 890 см-1, в Si, облученном в реакторе при разных температурах
27
Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si : Ge
27
Пьезомодуляционный эффект в структурах с квантовыми ямами
27
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3756
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3295
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3199
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3141
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3107
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3051
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3041
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3017
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3001
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2999
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2992
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2960
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2956
Именной указатель
2938
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2931
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2921
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2918
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2915
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2909
Критика и библиография
2904
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2903
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2900
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2895
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2881
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2878
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2876
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2865
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2851
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2839
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2839
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2833
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2830
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2828
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2827
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2816
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2815
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2815
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2815
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2814
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2811
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2809
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2805
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2799
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2797
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2797
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2790
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2789
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2788
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2787
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2786
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Голикова О.А.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Половцев И.С.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Корольков В.И.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Каплан Б.И.
2
Шевченко Н.В.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme