Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11101
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
47
Распределение количества просмотров по годам:
1425806
1320123
1269894
1135412
965681
928990
847251
758714
895811
1081650
1074419
1008991
1003823
997267
971932
1007754
1027998
1060007
936279
991186
925575
1159266
1172579
1151671
1109050
1197553
1211366
1162166
1128237
1179126
1078223
954746
737053
574154
437939
224522
146125
63400
10904
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
262
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
45

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
33
Анизотропия квантовых осцилляций магнитосопротивления и проводимости гетероструктур с 2D-электронами
28
Критика и библиография
28
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
28
Анизотропия переноса носителей заряда в монокристаллах CdGeAs2
28
Фотолюминесценция горячих двумерных электронов в квантовых ямах и определение времен полярного рассеяния
28
Магнитная восприимчивость примесей хрома в арсениде галлия
28
Электрические свойства антимонида кадмия, легированного Sm и Eu, при низких температурах
27
Электронные фазовые переходы полупроводник-полуметалл в магнитном поле у тонких монокристаллических нитей сплавов Bi-Sb
27
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
27
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
26
Особенности однофононного захвата электрона в магнитном поле
26
Низкопороговые квантово-размерные AlGaAs-гетеролазеры для диапазона длин волн 730-850 нм, полученные методом низкотемпературной ЖФЭ
26
Электронные свойства кристаллов TlGaSe2 и TlInS2 в нестационарном режиме
26
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
26
Колебательные спектры кристаллической решетки политипов соединений ZnmIn2S3+m
25
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
25
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
25
Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе AlxGa1-xAs/GaAs
25
К вопросу о величине коэффициента ионизации в кремнии
25
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3874
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3410
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3337
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3280
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3262
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3164
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3152
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3117
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3112
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3104
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3094
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3054
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3051
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
3049
Критика и библиография
3037
Именной указатель
3036
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
3032
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
3024
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
3020
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
3014
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
3004
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
3003
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2999
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2986
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2981
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2975
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2974
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2973
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2963
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2957
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2942
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2939
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2939
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2938
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2932
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2926
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2924
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2924
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2921
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2919
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2917
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2914
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2910
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2903
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2898
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2897
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2897
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2893
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2887
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2882
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Теруков Е.И.
2
Дехтяр Ю.Д.
2
Сагалович Г.Л.
2
Козловский С.И.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Полыгалов Ю.И.
2
Поплавной А.С.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Фистуль В.И.
2
Покровский Я.Е.
2
Кюрегян А.С.
2
Кальфа А.А.
2
Голикова О.А.
2
Казанин М.М.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Лебедев А.А.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Пихтин А.Н.
2
Юнович А.Э.
2
Свешников А.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Лугаков П.Ф.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Львин В.Э.
2
Мороз С.Е.
2
Корольков В.И.
2
Табаров Т.С.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Мастеров В.Ф.
2
Аншон А.В.
2
Бабушкина Т.С.
2
Звонков Б.Н.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Миронов К.Е.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme