Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1356450
1257769
1210602
1082075
923247
885936
807772
722769
854736
1037671
1031079
965907
958258
956895
932667
966269
987265
1018872
898091
948171
887670
1114485
1126475
1105523
1065195
1150255
1160199
1114486
1074439
1114339
1015243
892952
689388
529020
398741
200810
125584
46375
2412
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
57
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
49
Электрические и фотоэлектрические свойства твердых растворов p-GaInSbAs
47
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
44
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
36
Топологическая оценка вероятности образования собственных точечных дефектов в кристаллах AIIIBV со структурой сфалерита
33
Магнитофононный резонанс и эффект поперечного пробоя в сплавах Hg1-xCdxTe под давлением
33
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
33
Влияние поперечного градиента концентрации носителей заряда на распределение холловского потенциала в полупроводнике
33
Зависимость эффективной высоты потенциального барьера в М-ТД-П структурах при инфракрасной подсветке
32
ИК люминесценция в полуизолирующем и дырочном фосфиде галлия, обусловленная PGa
32
Оптические переходы в GaAs, легированном кислородом и хромом
32
Четный магнитный фотоэффект в структурах с p-n-переходом цилиндрической формы
31
Образование и отжиг вакансионных комплексов в поверхностном слое монокристаллического кремния, облученного ионами средней массы
31
Кулоновское взаимодействие зарядов вблизи двумерных слоев
31
Взаимодействие таллия с радиационными дефектами в кремнии
31
Определение электрофизических параметров полупроводников методом математического моделирования сигнала индуцированного тока
31
Перераспределение электрического потенциала в искусственно анизотропной (по электропроводности) полупроводниковой пластине с кольцевыми электродами
30
Химические тенденции для глубоких 3d-уровней в полупроводниковых соединениях AIIBVI
30
Особенности термоэлектрических и электрических свойств слоистого полупроводника InSe при низких температурах
30
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3705
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3248
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3149
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3098
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3056
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3007
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2999
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2968
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2965
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2960
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2955
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2915
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2911
Именной указатель
2896
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2894
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2874
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2873
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2873
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2871
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2867
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2864
Критика и библиография
2857
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2841
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2836
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2828
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2820
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2808
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2806
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2803
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2799
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2797
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2795
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2793
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2793
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2786
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2783
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2778
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2776
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2771
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2769
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2762
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2762
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2761
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2755
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2754
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2754
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2754
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2752
Радиационно-стимулированное образование термодоноров в зонном n-Si
2749
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2746
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Стрельчук А.М.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Жуковский П.В.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Филиппов С.Л.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Сурис Р.А.
2
Лагвилава Т.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Шиндич В.Л.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Акопян А.А.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Козуб В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Гольдфарб М.В.
2
Молоцкий М.И.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Звягин И.П.
2
Мелешко Н.В.
2
Ормонт Н.Н.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Пиотровский Т.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Дмитриев А.П.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Шубников М.Л.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme