"Физика и техника полупроводников"
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
10272
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
19

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
36
Влияние электрического поля на профиль концентрации радиационных дефектов в кремнии, облученном электронами с энергией вблизи порога дефектообразования
33
Влияние легирующей примеси на процесс формирования разупорядоченной области в нейтронно-облученном кремнии
31
Возбуждение и эволюция микроплазм --- пичковых автосолитонов в кремниевых p-i-n-структурах
14
Особенности излучательной рекомбинации полупроводниковых твердых растворов на основе (GaSb)x(HgTe)1-x, (AlSb)x(HgTe)1-x
14
Затухание бризера в сверхрешетке
13
Влияние полевой диссоциации экситонов на фототок в полупроводниках
13
Аномальный эффект Холла в пленках антимонида индия, выращенных на подложках из окисленного кремния
13
Электрические и оптические эффекты при резонансном туннелировании в (Al, Ga)As-GaAs-гетероструктурах с двойным барьером
13
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
12
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
12
Кинетика дефектообразования в кремнии при имплантации в него ионов фосфора
12
Диффузионное легирование пленок a-Si : H примесями Sn, Ag, Fe и его влияние на электрические свойства
12
Вольтамперные характеристики потенциальных барьеров в гетероструктурах СdxHg1-xTe/CdTe
12
Статистические моменты при квантовом туннелировании
12
Бифуркации удвоения периода и хаос в модели температурно-электрической неустойчивости в полупроводнике с двумя уровнями прилипания
12
К теории переноса горячих электронов в гетероструктурных транзисторах
12
О механизмах образования фотоиндуцированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
12
Поверхностные плазменные волны в сверхрешетках с квантовыми ямами
12
Взаимная сортировка электронов и фононов по энергиям электрон-фононным увлечением
12
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
1103
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
1075
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
1070
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
1053
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
1043
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
1025
Колебательные спектры кристаллов CdP2
1019
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
1013
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
1012
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
1009
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
1003
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
995
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
992
Критика и библиография
991
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
989
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
983
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
981
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
978
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
978
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
977
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
973
Именной указатель
971
О природе K-центра в кремнии
968
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
963
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
962
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
960
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
957
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
952
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
952
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
952
Электронная структура примеси на дислокации
952
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
950
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
950
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
949
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
949
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
949
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
948
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
948
Образование позитронно-чувствительных дефектов в процессе термообработки кремния в хлорсодержащей атмосфере
945
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
944
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
944
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
943
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
942
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
942
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
942
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
941
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
940
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
940
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
938
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
937

Учредители

Издатель

© 2020 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme