"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Издателям » Статистика
Общее количество статей:
9935
Распределение статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
278

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Влияние разупорядоченности на фотолюминесценцию твердых растворов In1-xGaxP : Te переходного" диапазона составов
13
Влияние силовых полей на образование радиационных дефектов в кремнии при электронном облучении структур SiO2-Si
13
Исследования планарных фотосопротивлений на основе InGaAs/InP со скрытым p+-затвором
13
Электрические характеристики и температурный коэффициент напряжения пробоя микроплазм в низковольтных карбид-кремниевых p-n-структурах
13
Двумерный электронный газ в инверсионных слоях HgTe
12
Вольтамперные характеристики потенциальных барьеров в гетероструктурах СdxHg1-xTe/CdTe
12
Неравновесное испарение полупроводников, обусловленное тормозным поглощением света
12
Поляризованные оптические спектры монокристаллов Tl3SbS3
12
Критика и библиография
10
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
10
Механизм АФН эффекта в поликристаллических полупроводниках
10
Эффект запирания электронов в фотопреобразователях при высокой интенсивности освещения
10
Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ~ 100 а.е.м. и энергией до 100 МэВ. Спектроскопия дефектов
10
Поляризованная субмиллиметровая люминесценция горячих дырок
10
Влияние утечки электронов на пороговый ток AlGaAsSb/GaSb инжекционных гетеролазеров
10
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
10
Образование глубоких центров в фосфиде галлия при создании ионно-имплантированных фоточувствительных структур
10
Акустические бризеры в ограниченных полупроводниках
9
Природа спонтанной электролюминесценции в гетеросветодиодах на основе GaInAsSb для спектрального диапазона 1.8-2.4 мкм
9
Экспериментальное исследование фото-холл-эффекта в фоточувствительных поликристаллических слоях PbS
9
Статья
Просмотров
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
909
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
867
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
860
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
860
Особенности поведения изовалентной примеси --- индия при легировании арсенида галлия в процессе газофазовой эпитаксии из металлоорганических соединений
838
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
831
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
806
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
806
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
804
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
801
Колебательные спектры кристаллов CdP2
801
Влияние состава Ga1-xBix жидкой фазы на образование комплексов в эпитаксиальном GaAs, сильно легированном германием
798
О природе K-центра в кремнии
789
Кластерные образования в эпитаксиальных слоях твердых растворов p-GaInSbAs, выращенных на подложках n-GaSb : Te
783
Критика и библиография
781
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
779
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
777
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
774
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
774
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
773
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
773
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
769
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
769
Анизотропия кинетических эффектов в гетероструктурах с 2D-электронами на сильно разориентированных подложках
768
Влияние магнитного поля на электропроводность полупроводников в условиях резонансного рассеяния носителей тока
764
Рекомбинация носителей через акцепторные уровни собственных дефектов в кристаллах n-CdxHg1-xTe, подвергнутых ультразвуковой обработке
759
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
758
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
757
Электронная структура примеси на дислокации
756
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
751
Именной указатель
751
Двумерные ганновские домены в слоистых структурах
751
Пространственный перенос электронов в полевых транзисторах на гетероструктурах с селективным легированием
750
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
749
Нестационарный фотоэффект в варизонной m-p-n-структуре. IV. Влияние внешней нагрузки
748
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
746
Изоэлектронные примеси замещения Sc и Ti в CdTe
746
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
741
Внутреннее перераспределение электрического поля и оптическая нелинейность в P-i-N-гетероструктурах при электропоглощении света
741
Удельные сдвиги носителей заряда и фотопроводимость аморфного гидрированного кремния
741
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
740
Генерация и отжиг дефектов при совмещенном геттерировании в кремнии n-типа. II. Точечные дефекты, индуцированные геттерирующими микродефектами
740
Спектральные характеристики длинных фотодиодов с нелинейным профилем ширины запрещенной зоны
738
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
737
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
737
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
736
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
735
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
734
Влияние крупномасштабных флуктуаций распределения примесей на туннелирование и электропоглощение в обратно смещенных p-n-переходах
733
Тиристор, переключаемый магнитным полем
731

Учредители

Издатель

© 2019 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme