Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11082
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
28
Распределение количества просмотров по годам:
1402353
1299027
1248837
1116872
950599
914411
833739
745945
881584
1067175
1058993
993438
988771
982968
957784
994170
1014169
1046190
922510
976950
913154
1144344
1157334
1136449
1093757
1181302
1194681
1144853
1109723
1155890
1056077
933892
720730
558293
423661
216064
139192
57503
8022
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
178
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
36

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Исследование размерности странного аттрактора и амплитудного порога синхронизации хаотических автоколебаний фототока в n-Ge(Ni)
22
Фотоэлектрические характеристики многослойных p+-i-n+-структур GaAs-AlGaAs с квантовыми ямами
22
Особенности спектров ИК поглощения термодоноров в кристаллах Si : Ge
21
Влияние меди на спектры излучения кристаллов ZnSe
20
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
20
Колебательные спектры кристаллов CdP2
19
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
19
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
19
Структурная упорядоченность и оптические свойства аморфного кремния
19
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
19
Кинетика дефектообразования в кремнии при имплантации в него ионов фосфора
19
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
18
Магнитная восприимчивость примесей хрома в арсениде галлия
18
Диффузионное легирование пленок a-Si : H примесями Sn, Ag, Fe и его влияние на электрические свойства
18
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
17
Детектирование импульсного ионизирующего излучения с помощью варизонных структур
17
Фотоплеохроизм легированных кристаллов GaSe
17
Характер взаимодействия имплантированного в кремний гелия с атомами решетки
17
Взаимная сортировка электронов и фононов по энергиям электрон-фононным увлечением
17
Межзонные оптические переходы в легированных многодолинных полупроводниках
17
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3820
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3350
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3268
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3200
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3185
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3113
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3103
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3067
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3063
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3048
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3048
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3013
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3004
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2991
Именной указатель
2990
Критика и библиография
2975
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2970
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2967
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2964
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2964
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2964
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2954
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2951
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2936
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2933
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2929
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2917
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2911
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2902
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2892
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2881
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2881
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2879
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2877
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2873
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2873
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2870
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2869
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2867
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2865
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2863
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2857
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2856
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2847
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2845
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2844
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2843
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2841
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2838
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2838
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Луценко М.Э.
2
Булах Б.М.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Малыш Н.И.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Ждан А.Г.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Волков А.С.
2
Козловский С.И.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ивченко Е.Л.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Крылов Д.Г.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Голикова О.А.
2
Емцев В.В.
2
Клингер П.М.
2
Гафийчук В.В.
2
Дацко Б.И.
2
Жиляев Ю.В.
2
Криволапчук В.В.
2
Машкевич О.Л.
2
Шейнкман М.К.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Комиренко С.М.
2
Мусатов А.Л.
2
Половцев И.С.
2
Штельмах К.Ф.
2
Терлецкий И.А.
2
Романов В.В.
2
Пихтин А.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Лютович К.Л.
2
Глинчук К.Д.
2
Свешников А.А.
2
Гуревич Ю.Г.
2
Смоляр А.Н.
2
Хвостиков В.П.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Акопян А.А.
2
Львин В.Э.
2
Гольдфарб М.В.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Корольков В.И.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Кисин М.В.
2
Звягин И.П.
2
Каплан Б.И.
2
Шевченко Н.В.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Велиюлин Э.И.
2
Шикина Н.И.
2
Шикин В.Б.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Шастин В.Н.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Мокина И.А.
2
Рудь Ю.В.
2
Шубников М.Л.
2
Гицу Д.В.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme