Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11090
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
36
Распределение количества просмотров по годам:
1417336
1312237
1261803
1128660
960428
923702
842436
754204
890538
1076973
1068314
1003497
998085
992212
966795
1002988
1023296
1055280
931830
986482
921079
1153903
1167253
1146013
1103638
1191798
1205304
1155581
1120853
1170008
1069820
946632
730858
568103
433065
221647
143811
61140
8937
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
218
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
38

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
32
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
26
Влияние меди на спектры излучения кристаллов ZnSe
25
Особенности поведения радиационных дефектов в структурах на основе AlxGa1-xAs/GaAs
24
Влияние пластической деформации на гальваномагнитные и фотоэлектрические свойства n-CdxHg1-xTe
22
Фотоплеохроизм легированных кристаллов GaSe
22
Глубокие уровни дефектов, возникающих в структурах Si-PtaSib в результате воздействия импульсной фотонной обработки
22
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
22
Исследование механизмов формирования 1/f-шума в p-n-переходах
22
Перенос электронов через нерезкий Gamma X-гетеропереход
21
Двумерный электронный газ в изотипном гетеропереходе
21
Опечатки и исправления (ФТП. 1990. Т. 24. В. 4. С. 610-630)
20
Воздействие горячих электронов на люминесценцию GaAs
20
Резонансная зона в сплаве Pb1-xSnxSe (x=0.07), облученном электронами
20
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
20
Комбинационное рассеяние света на смешанных LO-фонон-плазмонных колебаниях в двухмодовых твердых растворах n-AlxGa1-xAs (x>0.4)
20
Узкозонные гетеропереходы II типа в системе твердых растворов GaSb-InAs
20
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
20
Электрофизические свойства сплавов Cu2-xSe, легированных электроактивными добавками
19
Отрицательная дифференциальная проводимость монокристаллов InSe в диапазоне температур 4.2-30 K
19
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3850
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3388
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3313
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
3248
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
3234
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
3146
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
3127
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
3096
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
3092
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
3080
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
3073
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
3038
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
3032
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
3026
Именной указатель
3015
Критика и библиография
3005
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
3005
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2999
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2995
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2993
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2989
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2985
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2980
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2964
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2962
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2960
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2949
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2945
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2932
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2927
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2921
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2917
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2916
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2916
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2907
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2905
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2903
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2901
Гальваномагнитные характеристики твердых растворов PbTe(Cr) при изменении температуры и под давлением
2900
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2898
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2895
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2888
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2887
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2884
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2881
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2879
Энергетическая щель и эффективная масса в твердых растворах FexHg1-xSe
2869
Электрофизические свойства планарных n+-p-переходов, созданных легированием арсенида индия ионами серы
2868
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2867
Электрофизические свойства и фотолюминесценция кремния, легированного алюминием методом фотоядерных реакций
2865
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Инкин В.Н.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Решина И.И.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme