Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11064
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
10
Распределение количества просмотров по годам:
1319960
1225184
1179237
1054370
900927
863224
787833
701920
833618
1014895
1008131
942002
936744
930262
909114
941964
964322
995681
879511
926935
867167
1090559
1103329
1081473
1042241
1123545
1131209
1089817
1043883
1077760
980324
862681
665418
507322
379357
188868
116923
38673
36
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
62
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
87
15

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 1990 год:
Статья
Просмотров
Горячие экситоны в области неоднородного электрического поля
33
Особенности примесной проводимости в неупорядоченных полупроводниках, имеющих собственные дефекты с отрицательной корреляционной энергией и электрически активные примесные атомы
32
Исследование кинетики фотопроводимости в коротких фоторезисторах на основе InP : Fe
31
О понижении порога неустойчивости однородного лавинного пробоя кремниевых p+-n-переходов
30
Влияние деструктивного одноосного сжатия на шум 1/f в GaAs
30
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
30
Полевая релаксационная спектроскопия локализованных электронных состояний в системах полупроводник-диэлектрик
30
Диффузионное легирование пленок a-Si : H примесями Sn, Ag, Fe и его влияние на электрические свойства
30
Зонная структура короткопериодичных (001)-сверхрешеток (AlAs)n(GaAs)n
30
Электронное взаимодействие доноров с дислокацией
29
Механизмы излучательной рекомбинации в селениде свинца вблизи комнатной температуры
29
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
29
Насыщение фотопроводимости и особенности аннигиляции фотостимулированных дефектов в нелегированных пленках a-Si : H
29
О природе 0.8 эВ полосы фотолюминесценции в легированном теллуриде кадмия
29
Преимущественное положение примесей IV группы в арсениде галлия
28
Изменение высоты потенциального барьера контактов металл-кремний в условиях деформации
28
Структура кристаллов GaAs<Te>, модифицированных импульсным лазерным излучением
28
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
28
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
28
Изолированная примесь замещения элементов I и II периодов в нейтральном зарядовом состоянии в кристаллическом кремнии
27
Статья
Просмотров
Теплопроводность карбида кремния в области температур 300-3000 K
3620
Редкоземельные элементы в полупроводниках AIIIBV О б з о р
3158
Фотолюминесценция аморфных пленок a-Si1-xCx : H
3020
Кинетические явления в компенсированном n-InSb при низких температурах (О б з о р)
2995
Памяти Анатолия Робертовича Регеля (1915-1989)
2978
Влияние температуры облучения нейтронами на формирование дефектов структуры в кремнии, выращенном методом Чохральского
2937
Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении
2922
Процессы рекомбинации носителей заряда в CdxHg1-xTe О б з о р
2898
Биполяроны и преобразование солнечной энергии
2896
Низкотемпературные фотолюминесценция и фотопроводимость в нелегированных аморфных полупроводниках
2894
Туннельный ток через контакт к двумерному электронному газу
2880
Скорость рекомбинации неравновесной электронно-дырочной плазмы в лазерных кристаллах CdS
2845
Оценка точности метода определения раздельной концентрации примесей из измерений постоянной Холла
2837
Неомическая прыжковая проводимость слабо компенсированных полупроводников
2829
Именной указатель
2823
Спонтанное образование и эволюция локальных областей ударной ионизации в идеально однородных p-n-структурах
2808
Циклотронный резонанс дырок германия с отрицательными массами при H-16pt||[001]
2808
Механизмы снижения эффективности излучательной рекомбинации сильно легированного эпитаксиального p-GeAs : Ge
2800
Фотостимулированная диффузия золота в кремнии при импульсной фотонной обработке
2798
Ионизация примесей бризерами в сверхрешетке
2796
Критика и библиография
2792
Поперечная фотопроводимость классических композиционных сверхрешеток
2782
Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника
2769
Влияние условий электронного облучения на скорость образования A-центров в n-кремнии
2766
(In, Ga, Al)As ДГС РО лазеры на длину волны 1.1 мкм с (In, Ga)As напряженной квантовой ямой, ограниченной короткопериодной сверхрешеткой
2749
Проводимость полупроводниковой сверхрешетки в магнитном поле, перпендикулярном ее оси
2743
Изучение комплексов бора и кислорода с литием в компенсированном кремнии
2737
Колебательные спектры кристаллов CdP2
2734
Температурные и частотные зависимости электропроводности алмазных пленок
2729
Связь желтой электролюминесценции в 6H-SiC с глубокими центрами
2727
Вольт-амперные характеристики тонких пленок Pb1-xSnxTe<In> при различных уровнях фоновых засветок
2725
Распределение заряда и формирование глубоких уровней в полупроводниках по данным самосогласованного метода функций Грина: дефекты в кремнии и германии
2723
Обнаружение нового метастабильного уровня DX-центра в тонких легированных Si слоях AlxGa1-xAs
2719
Влияние технологии приготовления пленок a-Si : H на излучательную рекомбинацию
2719
К теории пограничных состояний в гетеропереходах
2718
Фотоэмиссия горячих электронов из диодов Шоттки p-InGaAs-Ag
2716
Распределение атомов кремния по пороговой энергии смещения и его зависимость от температуры
2712
Влияние температуры на столкновительное уширение уровней Ландау
2711
Фотолюминесценция и фото-ЭПР высокочистого селенида цинка, облученного электронами
2709
Пространственное распределение носителей заряда в условиях контактной эксклюзии
2692
Эффект немонотонной зависимости шума 1/f от интенсивности подсветки в Si и модель объемного шума 1/f в полупроводниках
2690
Фотолюминесценция квантовых слоев InxGa1-xAs, выращенных на плоскостях (100) и (111)A арсенида галлия
2690
Бесщелевые полумагнитные полупроводники HgFeSe О б з о р
2687
Влияние Yb на остаточные донорные и акцепторные примеси в GaP
2687
Фотопроводимость p-MnxHg1-xTe в магнитном поле
2685
Пограничные состояния электронного типа в инверсных гетероструктурах
2683
Крупномасштабные электрически активные примесные скопления в кристаллах кремния, выращенных методом Чохральского
2680
Метастабильные центры в низкоомных кристаллах CdTe : Cl n-типа
2679
Фотомагнитный эффект в системе n-AlxGa1-xAs/GaAs с 2D-электронами
2678
Устойчивые состояния и структурные превращения в аморфном гидрогенизированном кремнии
2677
Автор
Организация
Статей
Малютенко В.К.
9
Ломако В.М.
9
Копьев П.С.
7
Иванов-Омский В.И.
7
Леденцов Н.Н.
6
Грибников З.С.
6
Шаховцов В.И.
6
Иванов С.В.
5
Мельцер Б.Я.
5
Баранов А.Н.
5
Яковлев Ю.П.
5
Кадушкин В.И.
5
Кольченко Т.И.
5
Шик А.Я.
5
Ломасов В.Н.
5
Гельмонт Б.Л.
4
Алфёров Ж.И.
4
Хируненко Л.И.
4
Скипетров Е.П.
4
Немов С.А.
4
Казанский А.Г.
4
Капустин Ю.А.
4
Кернер Б.С.
4
Осипов В.В.
4
Пека Г.П.
4
Райчев О.Э.
4
Левинштейн М.Е.
4
Румянцев С.Л.
4
Чалдышев В.В.
4
Шмарцев Ю.В.
4
4
Конников С.Г.
4
Сеничкин А.П.
4
Георгицэ Е.И.
4
Берман Л.С.
4
Ткаченко В.Н.
4
Новиков С.В.
4
Крещук А.М.
4
Зебрев Г.И.
3
Яшник В.И.
3
Савельев И.Г.
3
Васько Ф.Т.
3
Герасименко Н.Н.
3
Хасиева Р.В.
3
Ковалюк З.Д.
3
Стельмах В.Ф.
3
Дьяконова Н.В.
3
Устинов В.М.
3
Клячкин Л.Е.
3
Суханов В.Л.
3
Рыжий В.И.
3
Толстихин В.И.
3
Житинская М.К.
3
Журавлев К.С.
3
Якушева Н.А.
3
Васильев В.А.
3
Пипа В.И.
3
Лашкарев Г.В.
3
Колокольников Б.М.
3
Андреев В.М.
3
Львова Т.В.
3
Шпинар Л.И.
3
Ясковец И.И.
3
Болгов С.С.
3
Савченко А.П.
3
Руссу Е.В.
3
Курова И.А.
3
Владимиров В.В.
3
Коллюх А.Г.
3
Беляев А.Е.
3
Медведев Б.К.
3
Архипов В.И.
3
Иванюкович В.А.
3
Карась В.И.
3
Ладыгин Е.А.
3
Дмитриев А.Г.
3
Ильичев Э.А.
3
Быковский В.А.
3
Царенков Б.В.
3
Гершензон Е.М.
3
Погорлецкий В.М.
3
Смирнов В.А.
3
Алешкин В.Я.
3
Гореленок А.Т.
3
Шмидт Н.М.
3
Витовский Н.А.
3
Крючков С.В.
3
Воробьева В.В.
3
Любченко А.В.
2
Луценко М.Э.
2
Кулиш Н.Р.
2
Лисица М.П.
2
Шапошников С.В.
2
Барышев Н.С.
2
Ибрагимова М.И.
2
Гольдман Е.И.
2
Марков А.В.
2
Освенский В.Б.
2
Бордовский Г.А.
2
Афанасьева Н.П.
2
Цидильковский И.М.
2
Сагалович Г.Л.
2
Таиров Ю.М.
2
Цветков В.Ф.
2
Абдукадыров А.Г.
2
Ашкинадзе Б.М.
2
Бельков В.В.
2
Красинская А.Г.
2
Поплавной А.С.
2
Елизаров А.И.
2
Богобоящий В.В.
2
Олейник С.П.
2
Матына Л.И.
2
Варламов И.В.
2
Липшиц Т.Л.
2
Погребицкий К.Ю.
2
Берковиц В.Л.
2
Мякенькая Г.С.
2
Гуцев Г.Л.
2
Дахно А.Н.
2
Джуртанов Б.Е.
2
Лагунова Т.С.
2
Сиповская М.А.
2
Резников Б.И.
2
Царенков Г.В.
2
Добровольский В.Н.
2
Фистуль В.И.
2
Сыродоев Г.А.
2
Кюрегян А.С.
2
Яблоновский Е.И.
2
Кальфа А.А.
2
Пашковский А.Б.
2
Шейнкман М.К.
2
Мильвидский М.Г.
2
Стрельчук А.М.
2
Прошин В.И.
2
Дощанов К.М.
2
Лазоренко В.И.
2
Аветисян С.К.
2
Минасян Г.Р.
2
Жуковский П.В.
2
Захаренков Л.Ф.
2
Баранский П.И.
2
Комиренко С.М.
2
Баграев Н.Т.
2
Маляренко А.М.
2
Половцев И.С.
2
Долманов И.Н.
2
Сурис Р.А.
2
Болотов В.В.
2
Камаев Г.Н.
2
Гусейнов А.А.
2
Смоляр А.Н.
2
Боднарук О.А.
2
Горбатюк И.Н.
2
Раренко И.М.
2
Шиндич В.Л.
2
Кикоин К.А.
2
Гольдберг Ю.А.
2
Мезрин О.А.
2
Трошков С.И.
2
Лубышев Д.И.
2
Мигаль В.П.
2
Семягин Б.Р.
2
Клингер М.И.
2
Скрышевский В.А.
2
Стриха В.И.
2
Кульбачинский В.А.
2
Львин В.Э.
2
Цэндин К.Д.
2
Викулин И.М.
2
Брунков П.Н.
2
Соболев М.М.
2
Шевченко Н.В.
2
Утенко В.И.
2
Мокеров В.Г.
2
Зуев В.В.
2
Радауцан С.И.
2
Соболев Н.А.
2
Цыпленков И.Н.
2
Фукс Б.И.
2
Омельяновская Н.М.
2
Никитенко В.Р.
2
Дашевский З.М.
2
Руленко М.П.
2
Джаманбалин К.К.
2
Поссе Е.А.
2
Заячук Д.М.
2
Константинов О.В.
2
Литвак-Горская Л.Б.
2
Вейс А.Н.
2
Мастеров В.Ф.
2
Звонков Б.Н.
2
Малкина И.Г.
2
Мокина И.А.
2
Яссиевич И.Н.
2
Талипов Ф.М.
2
Вывенко О.Ф.
2
Бирюлин Ю.Ф.
2
Мынбаев К.Д.
2

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme