Теоретически исследуются условия возбуждения и распространения бегущей волны перезарядки центров захвата, расположенных на границе раздела диэлектрик-монополярный полупроводник. Показано, что волна может возбуждаться при условии дрейфа носителей тока в полупроводнике (начиная с некоторой пороговой величины тянущего электрического поля), а также при условии, что время захвата свободного носителя центром мало по сравнению с временем выброса. Возникающая волна распространяется вдоль границы раздела со скоростью, значительно меньшей скорости дрейфа носителей. Частота колебаний также мала по сравнению с обратными временами захвата электрона на центр tau_k^-1 и максвелловской релаксации tau_M^-1. Волна затухает в обе стороны от границы. В глубь полупроводника она проникает благодаря диффузии, что приводит к дополнительным потерям, которые могут стать основными при исходном обогащающем изгибе зон у поверхности полупроводника. Напротив, обедняющие изгибы зон способствуют возбуждению неустойчивости.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.