Вышедшие номера
Home » Физика и техника полупроводников » Статистика
Общее количество статей:
11115
Распределение количества статей по годам:
517
490
469
411
345
329
302
266
295
311
285
292
278
262
263
259
256
277
251
260
244
294
288
284
279
295
305
301
303
316
330
309
287
248
203
135
117
98
61
Распределение количества просмотров по годам:
1434901
1328634
1277812
1142488
972361
934522
852238
762942
900188
1087194
1079038
1013445
1008426
1001621
975624
1012276
1032250
1065063
940423
995408
929681
1164445
1177268
1156291
1114042
1202990
1216613
1166942
1133896
1185366
1083883
960187
742118
578562
440859
226681
147809
65029
12608
Распределение количества авторов по годам:
1228
1240
1185
1078
885
882
744
715
727
800
756
791
761
773
802
802
826
907
876
892
763
962
1019
1010
968
1085
1151
1063
1156
1166
1310
1097
1124
952
833
548
556
467
324
Распределение количества организаций по годам:
143
55
131
107
117
125
151
174
159
167
148
175
163
181
187
187
227
154
216
211
211
237
252
286
241
275
269
295
249
323
260
170
109
93
85
52

Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов. Дата начала обработки информации по просмотрам - 27 января 2016 г.

За 2026 год:
Статья
Просмотров
УФ-фотодиоды на основе Pt/β-Ga2O3 с субмикросекундным быстродействием
311
Генерация терагерцового излучения в p-n-переходе при фемтосекундном лазерном возбуждении
117
Исследование самоподдерживающегося горения энергонасыщенных композитов на основе пористого кремния n-типа и перхлората бария
81
Легирование GaN магнием: факторы, ограничивающие концентрацию дырок
68
Изменение характера электропроводности в тонких пленках оксида индия-олова вследствие структурно-фазовой перестройки при термическом отжиге
65
Разработка дизайна планарных оптических волноводных структур и дифракционных решеток на основе тонкопленочного ниобата лития и слоев диоксида титана
62
Влияние сплошного гетерослоя NiO на токи утечки в диодах с барьером Шоттки на основе β-Ga2O3
50
Излучательные свойства структур с двумерными фотонными кристаллами с непроцессированной центральной областью
50
Структура и оптические свойства протяженных дефектов, введенных в кремний имплантацией ионов Ge+ с последующим отжигом
46
Низкоплотные массивы комплексов тройных квантовых точек InAs/GaAs(111)B
46
Изменение оптических параметров в микроструктурах диоксида ванадия при резистивных переключениях
46
Формирование методами печати тонкопленочных транзисторов с полупроводниковым каналом на основе оксида индия-галлия-цинка
45
Упорядоченные структуры серебра на кремнии: от " наноцветов" к " эндотаксиальным" наночастицам
45
Оптическое и электрооптическое отражение от резонансной брэгговской структуры из 30 сдвоенных квантовых ям InGaN/GaN
44
Резонансная фотолюминесценция квантовых точек InAs/GaAs
43
Первопринципный расчет атомных конфигураций в β-Ga2O3 в окрестности атома бора при облучении ионами B+
43
Разработка конструкции гетероструктуры полупроводникового затвора с объемной активной областью для модуляторов интенсивности лазерного излучения, работающих в спектральном диапазоне 1520-1650 нм
42
Спектры отражения монослоя WSe2 в зависимости от плотности свободных носителей заряда
42
Зависимость края поглощения пленок GeOx (0.21≤ x≤1.95) от их состава
42
Непрерывный терагерцовый квантовый каскадный лазер, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
40
Статья
Просмотров
Исследование самоподдерживающегося горения энергонасыщенных композитов на основе пористого кремния n-типа и перхлората бария
1144
Генерация терагерцового излучения в p-n-переходе при фемтосекундном лазерном возбуждении
919
Нетипичные C-V-характеристики структуры Al/SmF3/Ge, вызванные интерфейсными и приграничными ловушками
915
УФ-фотодиоды на основе Pt/β-Ga2O3 с субмикросекундным быстродействием
596
Анализ особенностей процесса диффузии Zn в гетероструктурах InGaAs/InAlAs/InP с учетом эффекта сегрегации
571
Селективный рост эпитаксиальных слоев GaAs на подложке Si методом газофазной эпитаксии из металлорганических соединений
527
Никита Сергеевич Аверкиев (к семидесятилетию со дня рождения)
482
Люминесцентный отклик GeSi структур, выращенных из ионно-молекулярных пучков, в зависимости от мощности лазерного возбуждения
447
Оптические свойства композитных пленок ITO-эпоксидная смола
435
Упорядоченные структуры серебра на кремнии: от " наноцветов" к " эндотаксиальным" наночастицам
435
Влияние толщины слоя на оптические параметры фазопеременного материала Sb2Te3
427
Пористые слои в кремнии, полученные высокодозной имплантацией ионов гелия
390
Полуполярные AlGaN-слои на наноструктурированной подложке Si(100)
388
Непрерывный терагерцовый квантовый каскадный лазер, выращенный методом металлоорганической газофазной эпитаксии
376
Нанокомпозиты пористого кремния и оксида цинка для газовой сенсорики
343
Спектры отражения монослоя WSe2 в зависимости от плотности свободных носителей заряда
333
Оптическое и электрооптическое отражение от резонансной брэгговской структуры из 30 сдвоенных квантовых ям InGaN/GaN
325
Исследование резистивного переключения в мемристорной структуре на основе пленки оксида титана с графеновым интерфейсом
325
Изменение характера электропроводности в тонких пленках оксида индия-олова вследствие структурно-фазовой перестройки при термическом отжиге
316
Квантовое магнетосопротивление высокоподвижного двумерного электронного газа с анизотропной проводимостью в мостиках Холла и дисках Корбино
300
Легирование GaN магнием: факторы, ограничивающие концентрацию дырок
253
Низкоплотные массивы комплексов тройных квантовых точек InAs/GaAs(111)B
216
Изменение оптических параметров в микроструктурах диоксида ванадия при резистивных переключениях
214
Влияние сплошного гетерослоя NiO на токи утечки в диодах с барьером Шоттки на основе β-Ga2O3
208
Разработка дизайна планарных оптических волноводных структур и дифракционных решеток на основе тонкопленочного ниобата лития и слоев диоксида титана
207
Зависимость края поглощения пленок GeOx (0.21≤ x≤1.95) от их состава
206
Разработка конструкции гетероструктуры полупроводникового затвора с объемной активной областью для модуляторов интенсивности лазерного излучения, работающих в спектральном диапазоне 1520-1650 нм
203
Излучательные свойства структур с двумерными фотонными кристаллами с непроцессированной центральной областью
114
Формирование методами печати тонкопленочных транзисторов с полупроводниковым каналом на основе оксида индия-галлия-цинка
103
Резонансная фотолюминесценция квантовых точек InAs/GaAs
100
Плазменно-активированная молекулярно-пучковая эпитаксия Al-обогащенных слоев AlGaN:Si и монослойных сверхрешеток (цифровых твердых растворов) (GaN/AlN):Si
96
Структура и оптические свойства протяженных дефектов, введенных в кремний имплантацией ионов Ge+ с последующим отжигом
94
Первопринципный расчет атомных конфигураций в β-Ga2O3 в окрестности атома бора при облучении ионами B+
91
Исследование динамики включения сильноточных высоковольтных токовых ключей на основе GaAs/AlGaAs-гетеротиристоров
83
Одно- и двухстадийный рост GaInP-наноструктур на подложках кремния из паровой фазы
82
Контроль формирования ступенчато-террасированной поверхности на подложках 6H-SiC(0001) методом in situ отражательной электронной микроскопии
80
Воздействие излучения фемтосекундного лазера на оптическую поверхность германия
28
Особенности трансформации малых квадратных зон при их термомиграции через пластину кремния (100)
27
Экспериментальные и теоретические исследования анизотропии колебательных и электронных свойств α-GeTe
24
Термический отжиг эпитаксиальных пленок Cd0.7Hg0.3Te, легированных индием
23
Cпектроскопия анизотропии плазмонов в клиновидных нанокластерах золота на поверхности (001) GaP
23
Применение модели Варшни и спектроскопии комбинационного рассеяния света для анализа ударных эффектов в полупроводниках
22
Электронная структура и локализация электронной плотности на границе раздела монослой Ca/GaN(0001)
21
Синтез одностенных углеродных нанотрубок в условиях двойного пространственного ограничения в системе Si-SiC
21
Механизмы формирования спектра радиочастотного модуляционного отражения полупроводниковых гетероструктур
20
Экспресс-способ получения электролюминесцентных характеристик p-i-n-структур с квантовыми ямами при возбуждении лазерным излучением
20
Люминесценция p-n-гетероструктур на основе InAs, InAsSb и InAsSbP
20
Алгоритм обработки данных резистивного полупроводникового газового сенсора при его работе в режиме термомодуляции
19
Определение параметров центров безызлучательной рекомбинации в гетероструктурах CdTe/ZnTe по температурному тушению экситонной люминесценции
18
Комбинационное рассеяние света в тонких пленках GaInAsBi на подложке GaAs
17
Автор
Организация
Статей
Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Малевский Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Цацульников А.Ф.
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
3
Левин Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зиновьев В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Зиновьева А.Ф.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мудрый А.В.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Живулько В.Д.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Захаров В.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Марков Л.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Азаров И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кондратов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яковлев Н.Н.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Кушнарев Б.О.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Цымбалов А.В.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Копьев В.В.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Алмаев Д.А.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Мясоедов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Давыдов В.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Алексеев П.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Власов А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Усикова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Покровский П.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Уваров А.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Михайлов О.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Поздеев В.А.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Росси
2
Гудовских А.С.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Росси
2
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Левина С.А.
2
Нахимович М.В.
2
Шварц М.З.
2
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Копытов П.Е.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Старков И.А.
НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
1
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Папылев Д.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Андрюшкин В.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Новиков П.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Бородавченко О.М.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
1
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Карпова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фрейман В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Воробьев И.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ватницкий О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Томкович М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кукушкина Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зегря А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Беклемишева А.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов А.Ю.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Компан М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соломникова А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Шарофидинов Ш.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шалимова М.Б.
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Лысак В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Учаев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сошников И.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Окулич Е.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Окулич В.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Тетельбаум Д.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Александров И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Иванов В.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Казаринова Д.Д.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Лизунова А.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Волков И.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Власов И.С.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Колисова Е.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Цаплин И.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Корнюшин Д.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Ворошилова В.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Лошкарев А.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Панфилов А.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Семенов А.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Нечаев Д.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Трошков С.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шмидт Н.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Калиновский В.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Жмерик В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Орешко И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Марков Д.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пригода К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Большаков В.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Солодовченко Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ермина А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Жарова Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Хабибуллин Р.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Багаев Т.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Белов Д.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Глинский И.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Рыков И.Е.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Мартычев И.Е.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Ладугин М.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Мармалюк А.А.
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Павлов А.Ю.
НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Картель М.С.
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Томинов Р.В.
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Кошуджу Э.
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Смирнов В.А.
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Рехвиашвили С.Ш.
Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ РАН, Нальчик, Россия
1
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Бетке И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Спивак Ю.М.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Шомахов З.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик, Россия
1
Большаков А.Д.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Кондратьев В.М.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Мошников В.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Солодовник М.С.
Лаборатория эпитаксиальных технологий, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Капогузов К.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Мутилин С.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Калинина В.Б.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Гайдук А.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Тумашев В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Милюшин Д.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Кичай В.Н.
1
Чаусов Д.Н.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Лямина В.В.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Перевалов Т.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Швец П.В.
Научно-образовательный центр " Функциональные наноматериалы", Балтийский федеральный университет им. И. Канта, Калининград, Россия
1
Волков П.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Бушуйкин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Сидоренко К.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Здоровейщев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Лемешевская Г.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Козлов И.А.
Концерн ЦНИИ " Электроприбор", Санкт-Петербург, Россия
1
Скляров Ф.В.
Концерн ЦНИИ " Электроприбор", Санкт-Петербург, Россия
1
Алмаев А.В.
Кафедра полупроводниковой электроники, Радиофизический факультет Национального исследовательского Томского государственного университета, 634050, Томск, Россия
1
Пшенай-Северин Д.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Смирнов A.H.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Eлисеев И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сахно М.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шабалдин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Бурков А.Т.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Михайлов Н.Н.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Середин Б.М.
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
1
Попов В.П.
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
1
Малибашев А.В.
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
1
Степченко А.Д.
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
1
Скиданов А.А.
АО " ВЗПП-Микрон", Воронеж, Россия
1
Коновалов А.В.
АО " ВЗПП-Микрон", Воронеж, Россия
1
Царева Е.А.
АО " ВЗПП-Микрон", Воронеж, Россия
1
Приображенский С.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Хахулин С.А.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
1
Нащекин A.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Казаков С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Гревцев М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Каплунов И.А.
Тверской государственный университет, Тверь, Россия
1
Третьяков С.А.
Тверской государственный университет, Тверь, Россия
1
Иванова А.И.
Тверской государственный университет, Тверь, Россия
1
Васильев А.Д.
Тверской государственный университет, Тверь, Россия
1
Юшков К.Б.
Национальный исследовательский технологический университет " МИСИС", Москва, Россия
1
Лабзовская М.Э.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Серов А.Ю.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Философов Н.Г.
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Штром И.В.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Брюшинин М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Куликов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Петров А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соколов И.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Буримов Н.И.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Шандаров С.М.
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
1
Бойко А.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Николаев В.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Солдатенков Ф.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соболев М.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Караваева А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Минтаиров М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Евстропов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кунков Р.Э.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Лухмырина Т.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Матвеев Б.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ременный М.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Березанов Д.Ю.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ларионов В.Р.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Маричев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Баранов А.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Ярчук Э.Я.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Росси
1
Савицкий А.И.
Научно-производственный комплекс "Технологический центр", Москва, Россия
1
Переверзева С.Ю.
Научно-производственный комплекс "Технологический центр", Москва, Россия
1
Василевская Ю.О.
Научно-производственный комплекс "Технологический центр", Москва, Россия
1
Куксин А.В.
Национальный исследовательский университет " МИЭТ", Москва, Россия
1
Сибатов Р.Т.
Научно-производственный комплекс "Технологический центр", Москва, Россия
1
Артеев Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Николаев А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Научно-технологический центр микроэлектроники и субмикронных гетероструктур Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Организация
Статей
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
29
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
8
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
6
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
6
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
5
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
4
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
3
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
3
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
2
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
2
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
2
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
2
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Томский государственный университет систем управления и радиоэлектроники, Томск, Россия
2
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
1
АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
1
Институт физики и Научно-исследовательский институт физических исследований, Российский государственный университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
Санкт-Петербургский политехнический университет Петра Великого, Санкт-Петербург, Россия
1
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
"НИИ "Полюс" им. М.Ф. Стельмаха", Москва, Россия
1
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ РАН, Нальчик, Россия
1
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик, Россия
1
Лаборатория эпитаксиальных технологий, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Государственный университет просвещения, Москва, Россия
1
Научно-образовательный центр " Функциональные наноматериалы", Балтийский федеральный университет им. И. Канта, Калининград, Россия
1
ООО " Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
1
Концерн ЦНИИ " Электроприбор", Санкт-Петербург, Россия
1
Кафедра полупроводниковой электроники, Радиофизический факультет Национального исследовательского Томского государственного университета, 634050, Томск, Россия
1
Южно-Российский государственный политехнический университет (НПИ) им. М.И. Платова, Новочеркасск, Россия
1
АО " ВЗПП-Микрон", Воронеж, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ", Санкт-Петербург, Россия
1
Тверской государственный университет, Тверь, Россия
1
Институт электрофизики и электроэнергетики РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Национальный исследовательский технологический университет " МИСИС", Москва, Россия
1
ООО ”ВПГ Лазеруан“, Фрязино, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный университет, Санкт-Петербург, Россия
1
Национальный исследовательский Томский государственный университет, Томск, Россия
1
Институт оптики атмосферы им. В.Е. Зуева Сибирского отделения РАН, Томск, Россия
1
Федеральный исследовательский центр Южный научный центр РАН, Ростов-на-Дону, Россия
1
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Росси
1
Научно-производственный комплекс "Технологический центр", Москва, Россия
1

Учредители

Издатель

© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук
Powered by webapplicationthemes.com - High quality HTML Theme