Смагина Ж.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
3
Слипченко С.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Пихтин Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
3
Левин Р.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Зиновьев В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Зиновьева А.Ф.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
2
Мудрый А.В.
ГНПО " Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению", Минск, Беларусь
2
Живулько В.Д.
ГНПО " Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению", Минск, Беларусь
2
Захаров В.Е.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
2
Марков Л.К.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Смирнова И.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Цацульников А.Ф.
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
2
Азаров И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Володин В.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
2
Гришин А.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Подоскин А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Кондратов М.И.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
2
Яковлев Н.Н.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Кушнарев Б.О.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Цымбалов А.В.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Копьев В.В.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Алмаев Д.А.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
2
Шамахов В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Токарев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фомин Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Мясоедов А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Берт Н.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Копытов П.Е.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Старков И.А.
НТЦ тонкопленочных технологий в энергетике, Санкт-Петербург, Россия
1
Новиков И.И.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Блохин С.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Папылев Д.С.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Андрюшкин В.В.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Ковач Я.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Никитина Е.В.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Воропаев К.О.
АО «ОКБ-Планета», Великий Новгород, Россия
1
Новиков П.Л.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Двуреченский А.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Бородавченко О.М.
Научно-практический центр Национальной академии наук Беларуси по материаловедению, Минск, Беларусь
1
Гавриков А.А.
Институт физики и Научно-исследовательский институт физических исследований, Российский государственный университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Кузнецов В.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Дядькина Н.Е.
Институт физики и Научно-исследовательский институт физических исследований, Российский государственный университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Колобов А.В.
Институт физики и Научно-исследовательский институт физических исследований, Российский государственный университет им. А.И. Герцена, Санкт-Петербург, Россия
1
Ильющенков Д.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Павлюченко А.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Нащекин А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Карпова А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Фрейман В.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Воробьев И.М.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ватницкий О.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Томкович М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Кукушкина Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Зегря А.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Савенков Г.Г.
Санкт-Петербургский государственный технологический институт (Технический университет), Санкт-Петербург, Россия
1
Шашков Е.В.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Зегря Г.Г.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Александров П.А.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Шемардов С.Г.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Васильев А.Л.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Беклемишева А.В.
Национальный исследовательский центр "Курчатовский институт", Mосква, Россия
1
Бессолов В.Н.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Иванов А.Ю.
Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
1
Компан М.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Коненкова Е.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Соломникова А.В.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Шарофидинов Ш.Ш.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шалимова М.Б.
Самарский национальный исследовательский университет им. академика С.П. Королева, Самара, Россия
1
Яблонский А.Н.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Юрасов Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шалеев М.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Шенгуров Д.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Родякина Е.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Новиков А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Лысак В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Учаев М.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Сошников И.П.
Институт аналитического приборостроения Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Окулич Е.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Окулич В.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Тетельбаум Д.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Александров И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Гутаковский А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Вдовин В.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Федина Л.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Дураков Д.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Петров А.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Рогило Д.И.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Щеглов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Иванов В.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Казаринова Д.Д.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Лизунова А.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Волков И.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Власов И.С.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Колисова Е.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Цаплин И.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Корнюшин Д.В.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Ворошилова В.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Лошкарев А.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет) (МФТИ, Физтех), Долгопрудный, Россия
1
Горшков А.П.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Шварцман В.Д.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Волкова Н.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Цветков А.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Планкина С.М.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Панфилов А.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Семенов А.Н.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Нечаев Д.В.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Трошков С.И.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Алексеев П.А.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Шмидт Н.М.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Калиновский В.С.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Жмерик В.Н.
ФТИ им. А.Ф. Иоффе, ул. Политехническая, 26, 194021, Санкт-Петербург
1
Орешко И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Шушканов И.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Нураев Д.С.
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
Голышков Г.М.
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
Бричкин А.С.
Институт физики твердого тела им. Ю.А. Осипьяна РАН, Черноголовка, Россия
1
Марков Д.П.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Пригода К.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Большаков В.О.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Солодовченко Н.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Ермина А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Жарова Ю.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Жукавин Р.Х.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Хабибуллин Р.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Багаев Т.А.
АО НИИ " Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
1
Афоненко А.А.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Ушаков Д.В.
Белорусский государственный университет, Минск, Республика Беларусь
1
Иконников А.В.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Курицын Д.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Постнов Д.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Ковалевский К.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Антонов А.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Дубинов А.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Белов Д.А.
Московский государственный университет им. М.В. Ломоносова, Москва, Россия
1
Зубов Ф.И.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Глинский И.А.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Рыков И.Е.
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Мартычев И.Е.
АО НИИ " Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
1
Ладугин М.А.
АО НИИ " Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
1
Мармалюк А.А.
АО НИИ " Полюс" им. М.Ф. Стельмаха, Москва, Россия
1
Павлов А.Ю.
НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Галиев Р.Р.
НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Пономарев Д.С.
НИЦ " Курчатовский институт", Москва, Россия
1
Морозов С.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Гавриленко В.И.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Картель М.С.
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Томинов Р.В.
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Кошуджу Э.
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Смирнов В.А.
Лаборатория нейроэлектроники и мемристивных наноматериалов (НЕЙРОМЕНА), Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Рехвиашвили С.Ш.
Институт прикладной математики и автоматизации КБНЦ РАН, Нальчик, Россия
1
Быков А.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Номоконов Д.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Бетке И.А.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Бакаров А.К.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Иванов А.А.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Чалдышев В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Заварин Е.Е.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Сахаров А.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Лундин В.В.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
НТЦ микроэлектроники Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
1
Налимова С.С.
Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Спивак Ю.М.
Санкт-Петербургскаий государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Шомахов З.В.
Кабардино-Балкарский государственный университет им. Х.М. Бербекова, Нальчик, Россия
1
Большаков А.Д.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Кондратьев В.М.
Санкт-Петербургский национальный исследовательский Академический университет имени Ж.И. Алфёрова Российской академии наук, Санкт-Петербург, Россия
Московский физико-технический институт (национальный исследовательский университет), Долгопрудный, Московская обл., Россия
1
Мошников В.А.
Санкт-Петербургскаий государственный электротехнический университет " ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
1
Космачев П.В.
Центр исследований и разработок " Перспективные технологии в микроэлектронике" Национального исследовательского Томского государственного университета, Томск, Россия
1
Балакирев С.В.
Лаборатория эпитаксиальных технологий, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Солодовник Н.Е.
Лаборатория эпитаксиальных технологий, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Шандыба Н.А.
Лаборатория эпитаксиальных технологий, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Духан Д.Д.
Лаборатория эпитаксиальных технологий, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Солодовник М.С.
Лаборатория эпитаксиальных технологий, Южный федеральный университет, Таганрог, Россия
1
Капогузов К.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Мутилин С.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Калинина В.Б.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Гайдук А.Е.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Тумашев В.С.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Милюшин Д.М.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Паращук Н.С.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Бонюшкин Ю.Е.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
Государственный университет просвещения, Москва, Россия
1
Курилов А.Д.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Морозов А.А.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Чаусов Д.Н.
Институт общей физики им. А.М. Прохорова РАН, Москва, Россия
1
Лямина В.В.
Новосибирский государственный университет, Новосибирск, Россия
1
Перевалов Т.В.
Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
1
Швец П.В.
Научно-образовательный центр " Функциональные наноматериалы", Балтийский федеральный университет им. И. Канта, Калининград, Россия
1
Волков П.В.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Бушуйкин П.А.
Институт физики микроструктур Российской академии наук, Нижний Новгород, Россия
1
Сидоренко К.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Здоровейщев А.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Лемешевская Г.А.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Клементьев Д.С.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Самарцев И.В.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Бобров А.И.
Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия
1
Евстратов И.Ю.
ООО " Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
1
Карпов С.Ю.
ООО " Софт-Импакт", Санкт-Петербург, Россия
1
Шашкин И.С.
Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
1
Козлов И.А.
Концерн ЦНИИ " Электроприбор", Санкт-Петербург, Россия
1
Скляров Ф.В.
Концерн ЦНИИ " Электроприбор", Санкт-Петербург, Россия
1
Алмаев А.В.
Кафедра полупроводниковой электроники, Радиофизический факультет Национального исследовательского Томского государственного университета, 634050, Томск, Россия
1
© 2026 Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук