В p⁺-n-структурах, изготовленных на основе 6H-SiC по различным технологиям, проведено исследование спектров электролюминесценции (ЭЛ), а также определены параметры и концентрации глубоких уровней. Обнаружено, что в p⁺-n-структурах, имеющих желтую ЭЛ (hnu_max~ 2.14 эВ), всегда присутствуют D-центры (E_v+0.58 эВ). Показано, что наблюдавшаяся ЭЛ может быть объяснена излучательной рекомбинацией дырки, захваченной на D-центр, и электрона в зоне проводимости. Принятая модель рекомбинации, если исходить из параметров D-центра, хорошо объясняет зависимость ЭЛ от плотности прямого тока и температуры, а также температурную зависимость постоянной времени послесвечения.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.