Вышедшие номера
Виктор Ильич Фистуль (к семидесятипятилетию со дня рождения )
Выставление онлайн: 20 июля 2002 г.

[!t] [width=]fistul.eps 1 мая 2002 года исполнилось 75 лет Виктору Ильичу Фистулю - академику Российской академии естественных наук, доктору физико-математических наук, профессору Московской государственной академии тонкой химической технологии им. М. В. Ломоносова (МИТХТ). После окончания в 1949 г. физико-механического факультета Ленинградского политехнического института В. И. Фистуль работал мастером ОТК, инженером и старшим инженером заводской лаборатории на заводе "Уралэлектроаппарат" в г. Свердловск (ныне Екатеринбург). С 1952 по 1964 г.г. он работал в Научно-исследовательском институте электронной промышленности, а с 1964 по 1977 г.г. трудился в Научно-исследовательском институте редкометаллической промышленности (Гиредмет), в котором он прошел путь от старшего научного сотрудника до заведующего физическим отделом. В конце 50-х годов в нашей стране начала бурно развиваться полупроводниковая электроника, и с 1959 г. научные интересы В. И. Фистуля прочно и надолго оказались связанными с полупроводниками. Они явились тем объектом научных исследований, для которого наиболее отчетливо видна связь между двумя важнейшими естественными науками - физикой и химией. Характеристики полупроводниковых материалов зависят от природы и ничтожно малых концентраций примеси. Эта связь привлекла внимание Виктора Ильича и связала его самого с тайнами состояния и поведения примесей в этих кристаллах. Именно этому направлению посвящена большая часть научных работ В. И. Фистуля. Всемирно известны его исследования сильнолегированных полупроводников. Они привели его к обнаружению и объяснению политропии (многоформия) примесей в полупроводниках. Результаты этих исследований обобщены В. И. Фистулем в двух мнографиях: Сильнолегированные полупроводники" (1965 г.) и Распад пересыщенных полупроводниковых твердых растворов" (1977 г.). Выполненные под руководством В. И. Фистуля исследования примесных атомов с частично заполненными электронными оболочками в полупроводниках AIV и AIIIBV позволили установить основные закономерности их поведения. Эти исследования нашли отражение в монографии Примеси переходных металлов в полупроводниках" (1983 г.), написанной совместно с его учеником Э. М. Омельяновским. Результатом изучения газообразующих примесей в кристаллах AIV явилось открытие (N 259, 1983 г.) глубокого донорного состояния водорода в германии и кремнии. Большой вклад внес В. И. Фистуль с учениками в изучение теории поведения амфотерных и изовалентных примесей в кристаллах AIIIBV. В 1992 г. им была опубликована монография Амфотерные примеси в полупроводниках". В 1962 г. В. И. Фистуль совмещает научную работу в Гиредмете с преподаванием в МИТХТ, где в 1977 г. становится заведующим кафедрой "Технология полупроводниковых материалов". В 1985 г. в МИТХТ по его инициативе создается кафедра "Физика и химия твердого тела", заведующим которой он был до 1991 г., а сегодня продолжает работать на этой кафедре в должности профессора. В. И. Фистуль проявил себя как замечательный педагог. Фактически он стал организатором научно-педагогической школы по полупроводниковому материаловедению в МИТХТ, которая явилась прекрасной кузницей научных и педагогических кадров. Под его руководством выполнено 6 докторских и 47 кандидатских диссертаций. В. И. Фистуль является автором 225 статей, 8 монографий, 4 учебников для высшей школы, научно-популярной книги для старших школьников. Его двухтомный учебник Физика и химия твердого тела" (1995 г.) получил широкое признание специалистов. За научные достижения В. И. Фистуль удостоен звания "Заслуженный деятель наука и техники РФ", отмечен Государственными премиями СССР в области науки и техники (1975 г., 1987 г.), награжден медалями им. академика Курнакова (1985 г.), академика Капицы (1995 г.), Петра I (1996 г.), дипломом Международного биографического центра "За научные заслуги" (2000 г.). В 1998 г. Международный биографический центр присвоил В. И. Фистулю почетное звание "Человек года". Ханойский технический университет избрал его почетным профессором. Со дня основания журнала " Физика и техника полупроводников" на протяжении многих лет В. И. Фистуль был членом его редколлегии. В настоящее он по-прежнему активно трудится в науке, в подготовке инженерных и научных кадров, в издательской деятельности. Виктор Ильич Фистуль - всесторонне образованный и обаятельный человек, уважаемый всеми, кто сотрудничает и встречается с ним. Мы желаем Виктору Ильичу здоровья, оптимизма, творческого долголетия. Коллеги по работе в МИТХТ, Редколлегия журнала "Физика и техника полупроводников".
  1. Н.А. Чарыков, А.М. Литвак, М.П. Михайлова, К.Д. Моисеев, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 410 (1997)
  2. В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов, В.С. Сорокин. ЖФХ, 71, 415 (1997)
  3. В.В. Кузнецов, П.П. Москвин, В.С. Сорокин. Неравновесные явления при жидкостной гетероэпитаксии полупроводниковых твердых растворов (М., Металлургия, 1991)
  4. В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов. Изв. вузов. Матер. электрон. техн., 2, 48 (1998)
  5. В.В. Кузнецов, Э.Р. Рубцов, О.А. Лебедев. Неорг. матер., 34 (5), 525 (1998)
  6. В.В. Кузнецов, Н.М. Стусь, Г.Н. Талалакин, Э.Р. Рубцов. Кристаллография, 37, 998 (1992)
  7. V.L. Vasil'ev, M.V. Baidakova, E.A. Kognovitskaya, V.I. Kuchinskii, L.P. Nikitina, V.M. Smirnov. Abstracts 3rd Int. Conf. Mid-IR Optoel. Materials and Devices, Sept., 1999 (Aachen, Germany, 1999) p. 9
  8. V.L. Vasil'ev, S.N. Losev, V.M. Smirnov, V.V. Kuznetsov, E.A. Kognovitskaya, E.R. Rubtsov. Proc. 5th Conf. on Intermolecular Interaction in Matter (Lublin, Poland, 1999) p. 96
  9. V.L. Vasil'ev, D. Akhmedov, G.S. Gagis, V.I. Kuchinskii, V.M. Smirnov, D.N. Tretyakov. Abstracts 4th Int. Conf. on Mid-IR Optoel. Materials and Devices, April 1--4 (Montpellier, France, 2001) p. 97
  10. М.П. Михайлова, Г.Г. Зегря, К.Д. Моисеев, Н.И. Тимченко, Ю.П. Яковлев. ФТП, 29, 687 (1995)
  11. M.P. Mikhailova, K.D. Moiseev, Y.A. Berezovets, R.V. Parfeniev, N.L. Bazhenov, V.A. Smirnov, Yu.P. Yakovlev. IEEE Proc. Optoelectron., 145, 269 (1998)
  12. К.Д. Моисеев, А.А. Торопов, Я.В. Терентьев, М.П. Михайлова, Ю.П. Яковлев. ФТП, 34, 1432 (2000)
  13. M.P. Mikhailova, A.N. Titkov. Semicond.Sci. Technol., 9, 1279 (1994)
  14. Н.Л. Баженов, Г.Г. Зегря, В.И. Иванов-Омский, М.П. Михайлова, М.Ю. Михайлов, К.Д. Моисеев, В.А. Смирнов, Ю.П. Яковлев. ФТП, 31, 1216 (1997)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.