Физика и техника полупроводников

Авторам

Правила оформления публикаций

Вышедшие номера

2024
- 1 2
2023
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9
2022
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2021
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2020
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2019
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2018
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13
2017
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2016
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2015
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2014
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2013
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2012
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2011
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2010
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2009
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2008
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2007
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2006
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2005
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2004
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2003
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2002
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2001
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
2000
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1999
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1998
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1997
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1996
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1995
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1994
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1993
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1992
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1991
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1990
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1989
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12
1988
- 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12

InGaAs фотодиод с пониженным темновым током на диапазон 1.17-1.29 мкм с дискретным метаморфным буферным слоем

DOI: 10.61011/FTP.2023.06.56480.4964

Минобрнауки РФ, Работа выполнена при поддержке государственного задания, FSWR-2023-0037

Самарцев И.В.¹, Звонков Б.Н.¹, Байдусь Н.В.¹, Чигинева А.Б.¹, Жидяев К.С.¹, Дикарева Н.В.¹, Здоровейщев А.В.¹, Рыков А.В. ¹, Планкина С.М.¹, Нежданов А.В.¹, Ершов А.В. ¹

¹Нижегородский государственный университет им. Н.И. Лобачевского, Нижний Новгород, Россия Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Lobachevsky State University, Nizhny Novgorod, Russia

Email: samartsev@nifti.unn.ru, bnv@nifti.unn.ru, chigineva@nifti.unn.ru, zhidyaev@nifti.unn.ru, dnat@ro.ru, zdorovei@gmail.com, rykovsc@gmail.com, plankina@phys.unn.ru, nezhdanov@phys.unn.ru, ershov@phys.unn.ru

Поступила в редакцию: 30 мая 2023 г.

В окончательной редакции: 20 июня 2023 г.

Принята к печати: 17 июля 2023 г.

Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

PDF версия

Абстракт
Литература
Статистика просмотров

Приведены результаты исследований по созданию фотодиодов для спектрального диапазона >1 мкм, сформированных на подложках GaAs. Разработана технология эпитаксиального выращивания методом МОС-гидридной эпитаксии InGaAs p-i-n-фотодиодных структур c дискретным метаморфным буферным слоем In_0.3Ga_0.7As/GaAs. Для фотодиодов, изготовленных на основе полученных структур, спектральная зависимость фототока имела максимум на длине волны 1.24 мкм, спектральная область фоточувствительности составляла 1.17-1.29 мкм на уровне 10% от ее максимума при комнатной температуре. Представлены вольт-амперные характеристики фотодиодов в диапазоне температур 9-300 K. Показано, что темновой ток содержит генерационно-рекомбинационную и туннельную компоненты. Достигнуто пониженное значение плотности темнового тока 8·10^-5 А/см² при обратном смещении -5 В и комнатной температуре. Ключевые слова: МОС-гидридная эпитаксия, наноматериалы, полупроводники A^IIIB^V, инфракрасные фотодиоды, темновой ток.

Yang He, Yurun Sun, Yan Song, Yongming Zhao, Shuzhen Yu, Jianrong Dong. Jpn. J. Appl. Phys., 55, 065501 (2016)
Daehwan Jung, Patrick G. Callahan, Bongki Shin, Kunal Mukherjee, Arthur C. Gossard, John E. Bowers. J. Appl. Phys., 122, 225703 (2017)
N.A. Kalyuzhnyy, S.A. Mintairov, A.M. Nadtochiy, V.N. Nevedomskiy, D.V. Rybalchenko, M.Z. Shvarts. Electron. Lett., 53 (3), 173 (2017)
Pamela Jurczak, Kimberly A. Sablon, Marina Gutierrez, Huiyun Liu, Jiang Wu. Infr. Phys. Technol., 81, 320 (2017)
K. Swaminathan, L.-M. Yang, T.J. Grassman, G. Tabares, A. Guzman, A. Hierro, M.J. Mills, S.A. Ringel. Opt. Express, 19, 7280 (2011)
Yang Nan-Nan, Ma Ying-Jie, Gu Yi, Chen Xing-You, Gong Qian, Zhang Yong-Gang. J. Infrared Millim. Waves, 38 (3), 275 (2019)
Zhu Bin, Han Qin, Yang Xiao-Hong, Ni Hai-Qiao, He Ji-Fang, NiuZhi-Chuan, Wang Xin, Wang Xiu-Ping, Wang Jie. Chinese Phys. Lett., 27 (3), 038504 (2010)
S. Fedderwitz, A. Stohr, K.H. Tan, S.F. Yoon, Michael Weiss, ArturPoloczek, W.K. Loke, S. Wicaksono, Tien Khee Ng, V. Rymanov, A. Patra, E. Tangdiongga, Dieter Jager. IEEE Phot. Techn. Lett., 21 (13), 911 (2009)
X.Y. Chen, Y.G. Zhang, Y. Gu, L. Zhou, Y.Y. Cao, X. Fang, Hsby Li. J. Cryst. Growth, 393, 75 (2014)
X.Y. Chen, Y. Gu, Y.G. Zhang, Y.J. Ma, B. Du, J. Zhang, W.Y. Ji, Y.H. Shi, Y. Zhu. J. Cryst. Growth, 488, 51 (2018)
S.Q. Liu, Q. Han, B. Zhu1, X.H. Yang, H.Q. Ni, J.F. He, X. Wang, M.F. Li, Y. Zhu, J. Wang, X.P. Wang, Z.C. Niu. Appl. Phys. Lett., 98, 201104 (2011)
S.M. Plankina, O.V. Vikhrova, Yu.A. Danilov, B.N. Zvonkov, N.Yu. Kononova, A.V. Nezhdanov, I.Yu. Pashenkin. Semiconductors, 50, 1539 (2016)
Sudip Saha, Daniel T. Cassidy, D.A. Thompson. J. Appl. Phys., 113, 124301 (2013)
J. Groenen, R. Carles, G. Landa. Phys. Rev. B, 58 (16), 10452 (1998)
S.N.G. Chu, S. Nakahara, K.E. Strege, W.D. Johnston, jr. J. Appl. Phys., 57, 4610 (1985)
P.V. Seredin, A.V. Glotov, V.E. Ternovaya, E.P. Domashevskaya, I.N. Arsentyev, L.S. Vavilova, I.S. Tarasov. Semiconductors, 45, 1433 (2011)
I.V. Samartsev, S.M. Nekorkin, B.N. Zvonkov, V.Ya. Aleshkin, A.A. Dubinov, I.J. Pashenkin, N.V. Dikareva, A.B. Chigineva. Semiconductors, 52 (12), 1564 (2018)
A.V. Sorochkin V.S. Varavin, A.V. Predein, I.V. Sabinina, M.V. Yakushev. Semiconductors, 46, 535 (2012)

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.

Учредители

Издатель