Вышедшие номера
Фотолюминесценция эпитаксиальных пленок Cd0.3Hg0.7Te, легированных мышьяком
Ружевич М.С.1, Фирсов Д.Д. 2, Комков О.С. 2, Мынбаев К.Д. 1,3, Варавин В.С. 4, Якушев М.В. 4
1Университет ИТМО, Санкт-Петербург, Россия
2Санкт-Петербургский государственный электротехнический университет "ЛЭТИ" им. В.И. Ульянова (Ленина), Санкт-Петербург, Россия
3Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербург, Россия
4Институт физики полупроводников им. А.В. Ржанова Сибирского отделения Российской академии наук, Новосибирск, Россия
Email: max.ruzhevich@niuitmo.ru, d.d.firsov@gmail.com, okomkov@yahoo.com, mynkad@mail.ioffe.ru, varavin@isp.nsc.ru, yakushev@isp.nsc.ru
Поступила в редакцию: 5 июля 2023 г.
В окончательной редакции: 5 сентября 2023 г.
Принята к печати: 7 сентября 2023 г.
Выставление онлайн: 22 октября 2023 г.

Представлены результаты исследования фотолюминесценции пленок твердых растворов Cd0.3Hg0.7Te, выращенных методом молекулярно-лучевой эпитаксии на подложках из Si и легированных мышьяком. Анализ спектров фотолюминесценции, полученных при различных температурах и мощностях возбуждающего лазера, позволил судить о природе зарегистрированных пиков. В пленках, прошедших двухстадийный активационный отжиг, наблюдалась активация мышьяка с формированием мелких (7-8 мэВ) акцепторных уровней. Подтверждена эффективность мышьяка в качестве акцепторной примеси для теллуридов кадмия-ртути. Ключевые слова: CdHgTe, легирование, акцепторная примесь, фотолюминесценция.
  1. M. Kopytko, A. Rogalski. Sensors Actuators: A. Phys., 339, 113511 (2022)
  2. J.W. Garland, C. Grein, S. Sivananthan. J. Electron. Mater., 42, 3331 (2013)
  3. M.A. Berding, A. Sher. Appl. Phys. Lett., 74, 685 (1999)
  4. H.R. Vydyanath. Semicond. Sci. Technol., 5, S213 (1990)
  5. X. Biquard, I. Alliot, P. Ballet. J. Appl. Phys., 106, 103501 (2009)
  6. P. Ballet, B. Polge, X. Biquard, I. Alliot. J. Electron. Mater., 38, 1726 (2009)
  7. M.S. Ruzhevich, K.D. Mynbaev. Rev. Adv. Mater. Sci. Technol., 4 (4), 17 (2022)
  8. I.C. Robin, M. Taupin, R. Derone, A. Solignac, P. Ballet, A. Lusson. Appl. Phys. Lett., 95, 202104 (2009)
  9. F. Gemain, I.C. Robin, S. Brochen, P. Ballet, O. Gravrand, G. Feuillet. Appl. Phys. Lett., 102, 124104 (2013)
  10. F. Yue, J. Chu, J. Wu, Z. Hu, Y. Li, P. Yang. Appl. Phys. Lett., 92, 121916 (2008)
  11. F.-Y. Yue, L. Chen, Y.-W. Li, Z.-G. Hu, L. Sun, P.-X. Yang, J.-H. Chu. Chin. Phys. B, 19, 117106 (2010)
  12. G.K.O. Tsen, R.H. Sewell, A.J. Atanacio, K.E. Prince, C.A. Musca, J.M. Dell, L. Faraone. Semicond. Sci. Technol., 23, 015014 (2008)
  13. M. Zandian, A.C. Chen, D.D. Edwall, J.G. Pasko, J.M. Arias. Appl. Phys. Lett., 71, 2815 (1997)
  14. Y. Selamet, C.H. Grein, T.S. Lee, S. Sivananthan. J. Vac. Sci. Technol. B, 19, 1488 (2001)
  15. М.В. Якушев, В.С. Варавин, В.Г. Ремесник, Д.В. Марин. ФТП, 48, 788 (2014)
  16. Г.Ю. Сидоров, Н.Н. Михайлов, В.С. Варавин, Д.Г. Икусов, Ю.Г. Сидоров, С.А. Дворецкий. ФТП, 42, 668 (2008)
  17. D.D. Firsov, O.S. Komkov, V.A. Solov'ev, P.S. Kop'ev, S.V. Ivanov. J. Phys. D: Appl. Phys., 49, 285108 (2016)
  18. О.С. Комков, М.В. Якушев. Фотомодуляционная оптическая спектроскопия варизонных гетероструктур CdHgTe. ФТП, принято в печать (2023). УТОЧНЯЕТСЯ!
  19. C.R. Becker, V. Latussek, A. Pfeuffer-Jeschke, G. Landwehr, L.W. Molenkamp. Phys. Rev. B, 62, 10353 (2000).
  20. К.Д. Мынбаев, Н.Л. Баженов, В.И. Иванов-Омский, В.А. Смирнов, М.В. Якушев, А.В. Сорочкин, В.С. Варавин, Н.Н. Михайлов, Г.Ю. Сидоров, С.А. Дворецкий, Ю.Г. Сидоров. Письма ЖТФ, 36 (11), 39 (2010)
  21. D. Shaw, P. Capper. Extrinsic Doping, Chap. 14 in: Mercury cadmium telluride: growth, properties, and applications, ed. by P. Capper, J. Garland (John Wiley \& Sons Ltd., Chichester, 2017) p. 323. https://doi.org/10.1002/9780470669464

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.