Исследованы фотопроводимость и конденсаторная фотоэдс в эпитаксиальных пленках GaAs и InP n-типа на полуизолирующих подложках. При не слишком высоких интенсивностях освещения зависимость фотопроводимости от фотоэдс, интенсивности освещения (подсветки), спектральные и частотные характеристики явления хорошо согласуются с барьерной моделью фотопроводимости, согласно которой фотопроводимость определяется изменением эффективной ширины как поверхностного, так и внутреннего барьеров. Разработаны методики разделения вклада в фотопроводимость каждого из барьеров и определения высоты поверхностного барьера.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.