Методом измерения времени жизни позитронов проведены исследования радиационных дефектов вакансионного типа, образующихся в карбиде кремния при облучении быстрыми электронами (диапазон флюенсов 1·10¹⁵-3·10¹⁸ см^-2) при различных температурах (50, 100, 400 и 600^oС). Обнаружено, что облучение электронами приводит к образованию по крайней мере двух типов вакансионных дефектов. Дефекты первого типа, стабильные до температур отжига T_a=150^oС, представляют собой, вероятно, генетически связанные пары Френкеля. Дефекты второго типа, которыми предположительно являются азот-вакансионные (N-V)-комплексы, отжигаются при T_a<=1400^oС. Показано, что в процессе термического отжига (диапазон T_a=1000-1200^oС) образцов карбида кремния, облученных до высоких флюенсов электронов, имеет место процесс образования вакансионных кластеров, который существенным образом связан с концентрацией примесного азота.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.