Предложена новая модификация фототермического эффекта (ФТЭ) в полупроводнике с использованием постоянной интенсивности греющего света. Модулированный сигнал создается за счет взаимодействия фотоносителей с переменной деформацией. Получены теоретические частотные зависимости ФТЭ, которые принципиально отличаются от обычных. Дано качественное объяснение результатов.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.