Предлагается метод спектроскопии ПС по релаксационным сигналам, адекватный случаю, когда опустошение ПС происходит в режимах авто- или термоавтоэлектронной эмиссии. Поскольку темп выброса носителей заряда с ПС существенно зависит от электрического поля в слое обеднения полупроводника, естественно анализировать зависимости измеряемых сигналов от величины поверхностного изгиба зон U_s. Для дискретных и непрерывно распределенных по энергии ПС построена теория, описывающая зависимость релаксационных сигналов - плотности тока разряда ПС и сигнала DLTS от U_s. Рассмотрены два случая - измерение разряда ПС при постоянном и при монотонно возрастающем U_s. Построенная теория позволяет проводить спектроскопию ПС, опустошающихся только в авто- и термоавтоэмиссионном режимах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.