"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Механизм формирования неоднородности в нелегированных монокристаллах арсенида галлия, полученных методом Чохральского
Картавых А.В., Гришина С.П., Мильвидский М.Г., Рытова Н.С., Степанцова И.В., Юрова Е.С.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Методами сканирующего эффекта Фарадея, ИК поглощения, температурной зависимости эффекта Холла и "проекционного" химического травления исследована радиальная неоднородность нелегированных монокристаллов n-GaAs с концентрацией носителей заряда n=1· 1014/1·1016 см-3, диаметром ~60 мм. Показано, что основной причиной наблюдаемой электрической неоднородности является неравномерное распределение в объеме кристалла акцепторных центров NA с энергетическим уровнем EA~0.15 эВ, расположенным в верхней половине запрещенной зоны. Установлена зависимость концентрации и характера распределения центров NA от плотности и характера распределения "высокотемпературных" дислокаций (ВД), образовавшихся при t>~=1100oС. Предложен механизм формирования электрической неоднородности в нелегированных монокристаллах GaAs n-типа. Обсуждается вклад предложенного механизма в электрическую неоднородность нелегированного полуизолирующего GaAs.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.