"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Межпримесная рекомбинация дырок через A+-состояния в слабо компенсированном p-Si
Ждан А.Г., Мельников А.П., Рыльков В.В.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Исследована кинетика примесной фотопроводимости (ПФП) образцов Si<В> с концентрацией бора Na=(1/7)·1016 см-3 и степенью компенсации K<10-3. Измерения ПФП проводились в области температур 4.2/18 K при слабой фоновой подсветке полупроводника. Обнаружено, что в образцах Si<B> с Na>~=4· 1016 см-3 нейтральные атомы бора играют роль как уровней прилипания, так и уровней непрямой рекомбинации; последняя доминирует в области температур 4.2/5 K. В результате на кривых релаксации ПФП при T< 6 K возникает область быстрого спада, амплитуда которого растет с понижением температуры. По величине постоянной времени медленной релаксации ПФП определены коэффициенты непрямой рекомбинации дырок через примесные A+-состояния нейтральных атомов бора, а по соотношению амплитуд быстрой и медленной составляющих релаксации ПФП найдено отношение подвижностей дырок в валентной и примесной зонах.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.