"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Влияние электрического поля на термическую эмиссию дырок собственными дефектами в p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией
Герасимов А.Л., Гринсон А.А., Гуткин А.А., Прошин В.И.
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Исследовано влияние электрического поля напряженностью до ~105 В/см на скорость термической эмиссии дырок etp с глубоких уровней с энергиями активации 0.7, 0.4, 0.35 и 0.2 эВ в специально не легированном p-GaAs, полученном жидкостной эпитаксией. Увеличение etp для последних трех уровней согласуется с ожидаемым в трехмерной модели эффекта Пула--Френкеля в случае однократно заряженного притягивающего кулоновского центра. Отсутствие зависимости etp от поля для центра с энергией активации 0.7 эВ (уровень B в GaAs, полученном жидкостной эпитаксией) показывает, что этот центр не обладает притягивающим кулоновским потенциалом и, следовательно, уровень B не соответствует второму зарядовому состоянию дефекта с энергией активации 0.4 эВ (уровень A), как предполагалось ранее. Последний вывод подтверждается также сопоставлением изменений концентраций уровней A и B в приповерхностном слое при низкотемпературном отжиге.

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.