"Физика и техника полупроводников"
Издателям
Вышедшие номера
Применение емкостной методики DLTS к исследованию полупроводников с неоднородным распределением примесей (дефектов)
Антонова И.В., Васильев А.В., Панов В.И., Шаймеев С.Сю
Выставление онлайн: 20 мая 1988 г.

Проведен теоретический анализ температурной зависимости концентрации заряженных центров с глубокими уровнями в запрещенной зоне для случая неоднородного распределения центров по объему кристалла. Показано, что если центры собраны в скопления, то с изменением температуры T меняется средняя концентрация заряженных глубоких уровней N-ГУ(T). Измерение зависимости N-ГУ(T) дает возможность рассчитывать параметры, характеризующие скопления примесей (дефектов). Разработанная методика применена для тестирования и исследования неоднородностей, содержащихся в кремнии, облученном нейтронами (разупорядоченные области с дивакансионным ядром), легированном золотом в процессе выращивания (скопления дефектных центров с участием атомов золота).

Подсчитывается количество просмотров абстрактов ("html" на диаграммах) и полных версий статей ("pdf"). Просмотры с одинаковых IP-адресов засчитываются, если происходят с интервалом не менее 2-х часов.

Дата начала обработки статистических данных - 27 января 2016 г.